知名市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu) Yole Développement（Yole）在其報(bào)告中表示，在過(guò)去的幾年中，射頻（RF）應(yīng)用由于 GaN 技術(shù)的實(shí)施而得到了推動(dòng)。但 GaN RF 市場(chǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力仍然是電信和國(guó)防應(yīng)用。他們進(jìn)一步指出，到 2025 年，整個(gè) GaN RF 市場(chǎng)將從 2019 年的 7.4 億美元增長(zhǎng)到超過(guò) 20 億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率為 12％。

報(bào)告指出，自 20 年前首款商用產(chǎn)品問(wèn)世以來(lái)，GaN 技術(shù)已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場(chǎng)中的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。憑借其在 4G LTE 電信基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)的滲透力，預(yù)計(jì) GaN on SiC 將在 5G Sub-6Hz RRH 中保持強(qiáng)大的地位。

而在新興的 5G Sub-6Ghz AAS（Active Antenna Systems），大規(guī)模多輸入多輸出（MIMO）部署領(lǐng)域中，GaN 與 LDMOS 之間的競(jìng)爭(zhēng)仍在繼續(xù)。盡管具有成本效益的 LDMOS 技術(shù)在 Sub-6GHz 頻段的高頻性能方面取得了顯著進(jìn)步，但 GaN on SiC 卻具有出色的帶寬、PAE 和功率輸出。

來(lái)到具體的市場(chǎng)狀況。首先看電信基礎(chǔ)設(shè)施方面，據(jù) Yole 的報(bào)告，GaN 射頻在這個(gè)領(lǐng)域的部署將長(zhǎng)期保持不變。而在AAS中，帶寬的增加將有利于推動(dòng) GaN RF 的需求。此外，在未來(lái)幾年中，小型蜂窩(small cells)和回傳連接(backhaul connections)將看到 GaN 的驚人部署。

其次看一下軍事應(yīng)用領(lǐng)域，隨著政府的投資以取代基于TWT（Travelling Wave Tube）的系統(tǒng)來(lái)改善國(guó)家安全，國(guó)防仍將是 GaN RF 市場(chǎng)的主要推動(dòng)力之一。雷達(dá)是軍事應(yīng)用的主要推動(dòng)力，這主要是由于基于 GaN 的新型AESA（Active Electronically Scanned Array）系統(tǒng)中的 T/R 模塊的增加以及對(duì)機(jī)載系統(tǒng)輕型設(shè)備的嚴(yán)格要求。

報(bào)告指出，到 2025 年，整個(gè) GaN RF 軍事市場(chǎng)將超過(guò) 11 億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率為 22％。

而對(duì)于大家關(guān)注的 GaN 應(yīng)用于手機(jī)，Yole 表示，GaN 的高性能和小尺寸可能吸引了 OEM 廠商的興趣。但 GaN PA 何時(shí)能被手機(jī)廠商采用，將取決于 GaN 未來(lái)五年的技術(shù)成熟度，供應(yīng)鏈、成本以及 OEM 的決定。

作為射頻領(lǐng)域的專(zhuān)家，Qorvo 在 GaN 方面也有領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)。在之前的財(cái)報(bào)會(huì)議上，Qorvo 方面指出，為滿(mǎn)足 5G 高頻率需求，公司將協(xié)助基站制造商向氮化鎵（GaN）功率放大器轉(zhuǎn)變，積極部署宏基站和大規(guī)模 MIMO 網(wǎng)絡(luò)，助推全球 5G 基礎(chǔ)設(shè)施部署。預(yù)計(jì)未來(lái)功率放大器的大半市場(chǎng)將轉(zhuǎn)向氮化鎵（GaN），并且這一趨勢(shì)也會(huì)加速推進(jìn)。

Qorvo FAE 經(jīng)理荀穎在今年六月份的演講中也強(qiáng)調(diào)。在 5G 用例的推動(dòng)下，除了宏基站，市場(chǎng)也對(duì)小基站有了更多的需求。伴隨而來(lái)的是推動(dòng)這些基站從頻率、帶寬以及效率等多方面提高?！皩?duì)于運(yùn)營(yíng)商來(lái)說(shuō)，就希望在 5G 基站方面找到一個(gè)運(yùn)營(yíng)成本，資本支出、可靠性和吞吐率等多個(gè)方面都是最優(yōu)的解決方案，而擁有低功耗、高功率密度和長(zhǎng)壽命等優(yōu)勢(shì)的氮化鎵就成為了開(kāi)發(fā)者們的選擇”。荀穎說(shuō)。

針對(duì)現(xiàn)在硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵兩種不同的方面，Qorvo 指出，碳化硅基氮化鎵在熱耗和可靠性方面的表現(xiàn)都優(yōu)于硅基氮化鎵，為此 Qorvo 選擇了碳化硅基氮化鎵為公司在這個(gè)領(lǐng)域的主要發(fā)展方向。

Qorvo 能夠提供從 90nm 到 0.5um 的 GaN 制造工藝，此外還能能夠生產(chǎn)砷化鎵 HBT 和 pHEMT，這些產(chǎn)品加上Qorvo在砷化鎵 BAW、SAW、TC-BAW 和 TC-SAW以及 RF CMOS 和 SOI 開(kāi)關(guān)方面的布局。讓Qorvo 有能力給客戶(hù)大規(guī)模提供符合經(jīng)濟(jì)要求的器件。