臺(tái)積電顯然在研發(fā)過(guò)程中又取得了重大突破。這次，這家全球最大的合同芯片制造商在其2nm架構(gòu)的開(kāi)發(fā)方面取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，該架構(gòu)將在不久的將來(lái)在處理器中看到。

根據(jù)PatentlyApple的一份報(bào)告，其供應(yīng)鏈的消息來(lái)源透露，即將到來(lái)的2nm工藝將采用一種新的多橋溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MBCFET）架構(gòu)，這與該器件中使用的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）架構(gòu)不同。 3nm和5nm工藝。這一發(fā)展也標(biāo)志著臺(tái)積電像三星一樣，在目前的競(jìng)爭(zhēng)中遙遙領(lǐng)先。

臺(tái)積電一位官員還對(duì)出版物表示：“我們很樂(lè)觀地認(rèn)為，2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試生產(chǎn)的良率將達(dá)到90%，這將有助于我們繼續(xù)贏得來(lái)自蘋果和惠達(dá)等主要制造商的大訂單。未來(lái)?！贝送猓摴居?jì)劃在2024年某個(gè)時(shí)候達(dá)到量產(chǎn)能力。星Galaxy S20 FE vs OnePlus 8 vs Xiaomi Mi 10 Pro：規(guī)格對(duì)比。

早在2019年，臺(tái)積電就專門成立了一個(gè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，為2nm工藝的開(kāi)發(fā)找到可行的途徑。該團(tuán)隊(duì)還必須考慮成本，設(shè)備兼容性，技術(shù)成熟度和性能以及其他條件。值得注意的是，2nm架構(gòu)采用了基于環(huán)繞柵（GAA）工藝的MBCFET，解決了FinFET工藝導(dǎo)致的電流控制泄漏的物理限制。

雖然這家芯片制造商已經(jīng)在為2024年開(kāi)發(fā)2nm處理器，但它也已經(jīng)開(kāi)始研究超出其范圍的工藝。這包括在不久的將來(lái)進(jìn)行1nm制程和其他風(fēng)險(xiǎn)投資的可能性。根據(jù)DigiTimes的報(bào)告，臺(tái)積電也在加緊擴(kuò)大其臺(tái)灣中部工廠的2nm工藝。該報(bào)告還表明臺(tái)灣公司與其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星之間的差距正在擴(kuò)大。

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