91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

安森美半導(dǎo)體匹配GaN功率晶體管的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器方案

科訊視點(diǎn) ? 2020-10-10 12:11 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

無(wú)論是家電消費(fèi)品,或者是我們身邊的電子設(shè)備,還有日趨電子化的汽車(chē),我們無(wú)時(shí)無(wú)刻不在接觸電子產(chǎn)品。在這些設(shè)備中,都需要一種叫做“門(mén)極驅(qū)動(dòng)器”的電子器件,在電路中起到“開(kāi)關(guān)”和“門(mén)”的作用,它在將電能流向最終應(yīng)用的過(guò)程中非常重要。在電子產(chǎn)品領(lǐng)域,電力電子系統(tǒng)以極高能效在交流和直流形式之間以及直流電壓之間轉(zhuǎn)換著電力。而好的門(mén)極驅(qū)動(dòng)方案可以幫助電子電力系統(tǒng)更高效穩(wěn)定的完成電力的轉(zhuǎn)換。

電源轉(zhuǎn)換的主要?jiǎng)恿κ情_(kāi)關(guān):功率MOSFET、IGBT、寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體器件、SiC MOSFET和氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。在大多數(shù)拓?fù)渲?,這些晶體管以kHz至MHz的頻率開(kāi)和關(guān)。門(mén)極電壓控制開(kāi)關(guān)是打開(kāi)還是關(guān)斷,這就是門(mén)極驅(qū)動(dòng)器的用武之地,門(mén)極驅(qū)動(dòng)器用于控制電源開(kāi)關(guān)的門(mén)極電壓,復(fù)雜而又要求很高。

在實(shí)際運(yùn)用中,門(mén)極驅(qū)動(dòng)器的選擇會(huì)影響能效,可靠性,安全性和方案尺寸。獲得《21IC中國(guó)電子網(wǎng)》 2019年度“Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)” 的安森美半導(dǎo)體門(mén)極驅(qū)動(dòng)器NCP51820,就充分展現(xiàn)了高效能、低功耗在GaN技術(shù)中的完美應(yīng)用。

門(mén)極驅(qū)動(dòng)器NCP51820 (圖片來(lái)源:ON Semiconductor)

GaN對(duì)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器性能要求非常高。GaN是高速器件,因其電容很低,在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中很有優(yōu)勢(shì),但是沒(méi)有雪崩電壓額定值,所以門(mén)極驅(qū)動(dòng)器選用相當(dāng)關(guān)鍵。門(mén)極電路中的功耗隨門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓和頻率的變化而變化,開(kāi)關(guān)是納秒級(jí)的,峰值電流可為安培級(jí),因此驅(qū)動(dòng)電路需要匹配這速度,同時(shí)仍然需要提供大量的電流。

安森美半導(dǎo)體門(mén)極驅(qū)動(dòng)器方案NCP51820 GaN門(mén)極驅(qū)動(dòng)器及NCP1568有源鉗位反激控制器電路采用具有調(diào)節(jié)的+5.2V幅值的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器,用于高邊和低邊輸出最佳增強(qiáng)型GaN。并且采用了先進(jìn)的結(jié)隔離技術(shù),以定制導(dǎo)通和關(guān)斷邊沿率,達(dá)到最佳的EMI/能效。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    安森美vGaN技術(shù)解鎖極致功率密度與效率

    安森美 (onsemi) 的垂直氮化鎵 (vGaN) 晶體管是新一代功率器件,能夠以高頻率處理極高電壓, 效率顯著優(yōu)于傳統(tǒng)的硅芯片。 這項(xiàng)技術(shù)在行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先水平。 安森美的這個(gè)先進(jìn)設(shè)
    的頭像 發(fā)表于 12-17 15:45 ?528次閱讀

    SiLM27213EK-DG專(zhuān)用MOSFET門(mén)驅(qū)動(dòng)器,高頻高效率開(kāi)關(guān)電源解決方案

    的開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用中,功率MOSFET或新興的SiC/GaN器件的潛能能否完全釋放,極度依賴于門(mén)驅(qū)動(dòng)器的性能。一個(gè)平庸的
    發(fā)表于 12-10 08:55

    安森美隔離式雙通道IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器:NCx575y0系列的深度解析

    在電子工程領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙晶體管)的應(yīng)用極為廣泛,而其柵極驅(qū)動(dòng)器的性能對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率起著關(guān)鍵作用。今天我們就來(lái)深入探討安森美(onsemi)的NCx575y0系列
    的頭像 發(fā)表于 12-05 11:18 ?1717次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>隔離式雙通道IGBT柵極<b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>:NCx575y0系列的深度解析

    意法半導(dǎo)體GaN柵極驅(qū)動(dòng)器助力打造運(yùn)動(dòng)控制解決方案

    了解專(zhuān)為N溝道增強(qiáng)模式GaN晶體管打造的高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的最新技術(shù)成果。此類(lèi)器件具有無(wú)與倫比的效率和可靠性,堪稱(chēng)SMPS、電池充電器、適配器、泵、壓縮機(jī)等各種消費(fèi)類(lèi)和工業(yè)應(yīng)用的理想選擇。意法
    的頭像 發(fā)表于 12-03 10:03 ?803次閱讀

    安森美NCx5710y:高性能IGBT門(mén)驅(qū)動(dòng)器的卓越之選

    在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙晶體管)作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件,被廣泛應(yīng)用于各種高功率場(chǎng)景。而IGBT門(mén)
    的頭像 發(fā)表于 12-01 14:24 ?574次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>NCx5710y:高性能IGBT<b class='flag-5'>門(mén)</b><b class='flag-5'>極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)器</b>的卓越之選

    安森美榮獲2025全球電子成就獎(jiǎng)之年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品獎(jiǎng)

    (World Electronics Achievement Awards, 簡(jiǎn)稱(chēng)WEAA)年度功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品獎(jiǎng),彰顯了安森美在第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 11-27 13:55 ?1533次閱讀

    安森美雙NPN偏置電阻晶體管:簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)的理想之選

    在電子電路設(shè)計(jì)中,如何簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、降低成本并節(jié)省電路板空間一直是工程師們關(guān)注的重點(diǎn)。安森美(onsemi)推出的MUN5213DW1、NSBC144EDXV6和NSBC144EDP6系列雙NPN偏置電阻晶體管(BRT),為解決這些問(wèn)題提供了有效的解決
    的頭像 發(fā)表于 11-27 11:25 ?435次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>雙NPN偏置電阻<b class='flag-5'>晶體管</b>:簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)的理想之選

    ?MJD31C/MJD32C系列雙功率晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    安森美 (onsemi) MJD31C雙極晶體管為NPN設(shè)備,專(zhuān)為通用放大器和低速開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。此系列互補(bǔ)功率晶體管采用環(huán)氧樹(shù)脂,符合UL 94 V-0(0.125英寸)標(biāo)準(zhǔn);其引腳
    的頭像 發(fā)表于 11-25 11:38 ?861次閱讀

    安森美入局垂直GaN,GaN進(jìn)入高壓時(shí)代

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,安森美發(fā)布垂直GaN功率半導(dǎo)體技術(shù),憑借 GaN-on-GaN 專(zhuān)
    的頭像 發(fā)表于 11-10 03:12 ?7534次閱讀

    安森美推出垂直氮化鎵功率半導(dǎo)體

    隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)以及其他高能耗應(yīng)用而激增,安森美(onsemi)推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導(dǎo)體,為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹(shù)立新標(biāo)桿。這些突破
    的頭像 發(fā)表于 10-31 13:56 ?2204次閱讀

    SLM27526EN-DG 雙通道4.5A/5.5A高速門(mén)驅(qū)動(dòng)器,支持并聯(lián)驅(qū)動(dòng)與負(fù)壓耐受

    、高匹配精度和負(fù)壓耐受能力,為高可靠性功率系統(tǒng)提供緊湊而高效的驅(qū)動(dòng)解決方案,尤其適合對(duì)時(shí)序一致性要求嚴(yán)苛的多通道或并聯(lián)應(yīng)用。#SLM27526 #高速低邊門(mén)
    發(fā)表于 08-20 08:31

    寬帶隙WBG功率晶體管的性能測(cè)試與挑戰(zhàn)

    晶體管的性能得到了顯著提升,開(kāi)啟了更高效率和更快動(dòng)態(tài)響應(yīng)的可能性。寬帶隙晶體管在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著關(guān)鍵角色,包括開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、逆變器和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器,因?yàn)?/div>
    的頭像 發(fā)表于 04-23 11:36 ?913次閱讀
    寬帶隙WBG<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>晶體管</b>的性能測(cè)試與挑戰(zhàn)

    晶體管電路設(shè)計(jì)(下)

    晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源接地放大電路的設(shè)計(jì),源跟隨電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電
    發(fā)表于 04-14 17:24

    ?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊

    安森美(onsemi,美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM31智能功率模塊(IPM)系列。
    的頭像 發(fā)表于 03-19 14:31 ?1300次閱讀

    GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門(mén)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

    GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門(mén)驅(qū)動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 03-13 18:06 ?5.2w次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>功率</b>器件<b class='flag-5'>門(mén)</b><b class='flag-5'>極</b><b class='flag-5'>驅(qū)動(dòng)</b>電路設(shè)計(jì)<b class='flag-5'>方案</b>