美國亞利桑那州鳳凰城官員在18日無異議通過臺(tái)積電開發(fā)案2.05億美元資金，協(xié)助臺(tái)積電在當(dāng)?shù)嘏d建120億美元晶圓廠計(jì)劃，用以改善當(dāng)?shù)氐缆泛退吹然A(chǔ)建設(shè)，這將成為全美第一座先進(jìn)制程設(shè)施。

對(duì)此，南韓業(yè)界爆料，臺(tái)積電在晶圓代工領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子，近日確定美國德州奧斯汀提出采用極紫外光（EUV）微影技術(shù)的系統(tǒng)LSI設(shè)廠計(jì)劃，投資規(guī)模約100億美元。

據(jù)韓媒《infostockdaily》報(bào)導(dǎo)，據(jù)三星以及相關(guān)行業(yè)人士近日透露，三星電子將在德州奧斯汀建立晶圓廠，并使用EUV光刻機(jī)臺(tái)，生產(chǎn)非記憶體半導(dǎo)體與系統(tǒng)LSI產(chǎn)品，投資規(guī)模預(yù)估100億美元，月產(chǎn)能約7萬片。

為了搶攻在2030年成為非記憶體半導(dǎo)體龍頭地位，南韓砸大錢向ASML買進(jìn)EUV機(jī)臺(tái)，三星集團(tuán)副會(huì)長(zhǎng)李在镕日前也親赴ASML在荷蘭總部，希望能向該公司趕緊拉貨，為的就是希望能在先進(jìn)制程上打敗臺(tái)積電。

韓媒曾報(bào)導(dǎo)，三星還進(jìn)攻客制化系統(tǒng)單芯片（SoC） 團(tuán)隊(duì)，讓旗下系統(tǒng)LSI 部門成立「 Custom SoC 」客制化單芯片團(tuán)隊(duì)，與全球各大ICT 廠商建立緊密合作關(guān)系。

據(jù)《路透》報(bào)導(dǎo)，根據(jù)鳳凰城提出的臺(tái)積電開發(fā)協(xié)議來看，市府將提撥2.05億美元，用于改善道路和水源等基礎(chǔ)建設(shè)，分別為6100萬美元建設(shè)道路，3700萬美元補(bǔ)強(qiáng)水資源基礎(chǔ)建設(shè)，以及1.07億美元改善廢水處理。臺(tái)積電將興建新廠房，在未來5年創(chuàng)造1900個(gè)新的工作機(jī)會(huì)。

臺(tái)積電董事會(huì)日前核準(zhǔn)美國亞利桑那州設(shè)立100%持股子公司計(jì)劃，實(shí)收資本額35億美元，實(shí)收資本額為美金35億元（約新臺(tái)幣997億5，000萬元）。依據(jù)臺(tái)積電5月15日宣布赴美設(shè)廠內(nèi)容來看，臺(tái)積電將采用5納米制程生產(chǎn)芯片，規(guī)劃月產(chǎn)能為2萬片，直接創(chuàng)造超過1，600個(gè)高科技專業(yè)工作機(jī)會(huì)，間接創(chuàng)造上千個(gè)工作機(jī)會(huì)。

生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片，規(guī)劃月產(chǎn)能為20，000片晶圓，將直接創(chuàng)造超過1，600個(gè)高科技專業(yè)工作機(jī)會(huì)，并間接創(chuàng)造半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)中上千個(gè)工作機(jī)會(huì)。臺(tái)積電目前在美國華盛頓州卡馬斯市有一座晶圓廠，并在德州奧斯汀、加州圣何西設(shè)有設(shè)計(jì)中心，亞利桑那州將成為臺(tái)積電在美第二座生產(chǎn)基地。

延伸閱讀：三星砸1160億美元加速研發(fā)3nm

三星電子去年宣布將砸1160億美元投資旗下晶圓代工業(yè)務(wù)后，近期三星高層主管透露，預(yù)計(jì)3納米芯片將于2022年起量產(chǎn)，趕上晶圓代工龍頭臺(tái)積電（ 2330-TW ）進(jìn)度，搶食蘋果、超微等先進(jìn)制程代工大單。

三星晶圓代工部門一位高階主管上月于一場(chǎng)活動(dòng)中表示，三星3 納米芯片將在2022 年正式量產(chǎn)，這項(xiàng)消息此前未曾被提及，意味著三星將與臺(tái)積電將在同年推出3 納米芯片，三星晶圓代工設(shè)計(jì)平臺(tái)開發(fā)執(zhí)行副總Park Jae-hong 于活動(dòng)中表示，目前三星已與合作伙伴一起開發(fā)初始的研發(fā)工具。

若屆時(shí)3納米制程三星能趕上臺(tái)積電，將有機(jī)會(huì)成為蘋果（ AAPL-US ）與超微（ AMD-US ）高階芯片除臺(tái)積電以外的替代廠商，Park Jae-hong表示，為積極跟上市場(chǎng)趨勢(shì)并降低單芯片（systems-on-chip）開發(fā)的研發(fā)障礙，三星將持續(xù)研發(fā)創(chuàng)新、并透過與合作伙伴的密切合作來加強(qiáng)三星的代工生態(tài)系，此舉也暗示，三星正加快與臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)。

有別于臺(tái)積電沿用成熟的FinFET 結(jié)構(gòu)，三星的3 納米制程將采用全新GAA （環(huán)繞閘極） 架構(gòu)，使其能夠?qū)π酒诵牡碾娋w進(jìn)行重新設(shè)計(jì)和改造，讓芯片面積更小、處理速度更快，并降低功耗。

三星證券分析師Kim Young-soo 預(yù)估，三星選擇的GAA 架構(gòu)，預(yù)計(jì)將于2024 年被臺(tái)積電用于2 納米制程的研發(fā)，技術(shù)上而言，三星有望在2023 年時(shí)超車臺(tái)積電，當(dāng)年臺(tái)積電才將開始研發(fā)2 納米制程，可預(yù)期的是，未來市場(chǎng)上會(huì)有大量處理器與邊緣計(jì)算芯片需求，三星要擴(kuò)大市占，關(guān)鍵是能購買多少極紫外光微影（EUV） 制程設(shè)備。

不過，南韓的仁荷大學(xué)材料科學(xué)與工程系教授Rino Choi 表示，盡管三星采用新技術(shù)可望加速超越臺(tái)積電，然而，若三星在初期無法快速提高產(chǎn)量，可能會(huì)因此蒙受損失。

市場(chǎng)分析師對(duì)于三星是否能搶占臺(tái)積電主導(dǎo)地位多表示懷疑，臺(tái)積電每年花費(fèi)約170億美元研發(fā)先進(jìn)制程，盡管三星半導(dǎo)體部門計(jì)劃2020年花費(fèi)260億美元的資本支出，但其中主要仍集中在記憶體業(yè)務(wù)投資。

相較記憶體，處理器芯片的代工更為復(fù)雜，晶圓代工廠必須時(shí)時(shí)為客戶訂制解決方案，加大晶圓代工領(lǐng)域進(jìn)入障礙，此障礙也使過去三星多較為依賴客戶的芯片設(shè)計(jì)進(jìn)行代工。

不過，近期三星加強(qiáng)晶圓代工解決方案，也獲輝達(dá)（Nvidia）好評(píng)，三星高層向彭博社（Bloomberg）透露，晶圓代工業(yè)務(wù)去年客戶增加3成，除了輝達(dá)與IBM曾前來詢問外，高通（Qualcomm）也與三星簽訂1兆韓元的手機(jī)處理器芯片合約。

三星表示，在芯片代工和相關(guān)應(yīng)用（如Galaxy 手機(jī)） 都具有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，加上3D 晶圓封裝王牌預(yù)估這些優(yōu)勢(shì)將能滿足客戶的代工要求。然而，有些公司可能會(huì)對(duì)訂單外包給競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手抱持謹(jǐn)慎態(tài)度，而這也是臺(tái)積電與三星的一大差異所在。

里昂證券（CLSA） 分析師Sanjeev Rana 為此表示，三星和臺(tái)積電的競(jìng)爭(zhēng)不僅只在芯片性能，而是先進(jìn)制程芯片下誰能維持較佳的功率與效率，此外，雖然三星不斷獲得一些大客戶訂單，但臺(tái)積電與客戶的長(zhǎng)期關(guān)系建立上，能提供更好的協(xié)調(diào)設(shè)計(jì)和制造以及產(chǎn)量。
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