是德科技開放實驗室主題日（Application Focus Day）從2012年正式舉辦以來，是德科技北京/上海/深圳/成都四個實驗室為各個地區(qū)的用戶每年都帶來10場以上的技術專題活動。開放實驗室主題日的目的是向用戶展示是德科技最高性能的測試設備，最先進的測試手段，為產品驗證最佳的測試方案。主題日一直受到廣大用戶的支持和好評，在業(yè)界得到了非常好的口碑，也創(chuàng)造了是德科技開放實驗室的一個品牌形象。

電源模塊是電子產品心臟，70%以上的電子產品損壞都來自于電源部件，而功率開關器件則是電源模塊中最容易損壞的元器件。

為了選擇更好的功率開關器件，或者尋找器件損壞的原因，詳細的測試其靜態(tài)（B1505A/B1506A）和動態(tài)參數極為重要。特別是寬禁帶器件（SiC，GaN）的發(fā)展和廣泛應用，開關速度越來越快，器件的開關損耗超過靜態(tài)損耗成為主要功耗來源，器件的動態(tài)參數也成為評估器件性能的重要參數，寬禁帶器件快速的開關速度給動態(tài)參數測試帶來了極大的挑戰(zhàn)。

動態(tài)參數測試系統要求極低的回路電感、足夠的示波器/探頭和連接線帶寬、高精度和可重復的測試結果以及安全的測試環(huán)境。是德科技于2019年下半年在原先IGBT和SiC/SiMOSFET PD1500A雙脈沖測試平臺基礎上推出GaN MOSFET動態(tài)參數測試系統,目前已經在諸多功率器件廠商、測試實驗室、高校和研究所中廣泛使用。

該系統樣機于2021年5月17日下午到5月21日下午在成都開放實驗室展示，以支持川渝地區(qū)功率器件產業(yè)的發(fā)展?？梢灾С挚蛻鬞O247和D2PAK 封裝IGBT，Si/SiC MOSFET，TO-220封裝 CASCODEGaN MOSFET的測試，演示GaN System GS66508B、英諾賽科INN650D02等GaN MOSFET的實際測試，交流動態(tài)參數測試技術等。

PD1500A 測試項目：

開關特性（開關時間，延遲，能量，開關曲線等）

反向恢復特性（時間，電流，能量等）

Qg

IV曲線

短路測試，雪崩測試（coming soon）

原文標題：是德科技開放實驗室主題日: PD1500A 動態(tài)參數測試系統應用及演示 (成都，5月17日~21日）

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