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為什么不在加快氮化鎵晶體管的部署和采用方面加大合作力度

電子設(shè)計(jì) ? 來源:電子設(shè)計(jì) ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2022-01-26 15:12 ? 次閱讀
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作者:Sandeep Bahl

我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能夠大大增加這項(xiàng)高能效技術(shù)的市場滲透能力。

如果GaN取得勝利,我們將都是贏家。世界范圍內(nèi)的能效只需提高1%,我們就能關(guān)閉45個(gè)火力發(fā)電廠。在日常生活中,我們已經(jīng)目睹了GaN技術(shù)的部署和采用——其實(shí)直到幾個(gè)月前,我還沒發(fā)現(xiàn)這一點(diǎn),因?yàn)槲遗畠簡栁褿aN長什么樣子,我才意識到,在家中的節(jié)日彩燈中有數(shù)百個(gè)GaN?。耗鞘荊aN LED里使用的GaN。

GaN可靠性是一個(gè)不錯(cuò)的合作主題。即使GaN晶體管現(xiàn)在通過了傳統(tǒng)硅質(zhì)量檢測應(yīng)力測試,即“qual”,其采用仍然很慢。這是因?yàn)椤皅ual”并不能保證低用戶退貨率,其原因在于它是基于硅材料的。雖然通過“qual”測試對于器件的生產(chǎn)制造、質(zhì)量和可靠性具有重要的意義,但它并不能表明器件使用壽命、故障率和應(yīng)用相關(guān)性方面對GaN晶體管的意義。開發(fā)人員有多種選擇,即使硅材料解決方案體積更大且能耗更高,但是它們已經(jīng)過了測試。

對于采用GaN的開發(fā)人員來說,他們需要有信心去相信部件在預(yù)計(jì)的使用壽命內(nèi)能夠穩(wěn)健耐用地運(yùn)行。在TI,我們始終在深入思考這意味著什么,并將其歸結(jié)為圖1中所表示的2個(gè)項(xiàng)目。首先,傳統(tǒng)硅技術(shù)方法需要針對GaN和其故障模式進(jìn)行拓展。第二,應(yīng)力測試需要包括電源管理的開關(guān)條件,而這是傳統(tǒng)硅材料qual測試無法解決的。

當(dāng)一個(gè)行業(yè)攜起手來共同開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)時(shí),這些標(biāo)準(zhǔn)就會(huì)被認(rèn)為是可信的。預(yù)測的可靠性標(biāo)準(zhǔn)需要對技術(shù)和其故障模式,以及在測試、質(zhì)量鑒定和產(chǎn)品運(yùn)行方面的知識深入了解。預(yù)測性標(biāo)準(zhǔn)的優(yōu)勢在于極大加快了市場普及,而第一步就是意識到現(xiàn)有技術(shù)的不足和缺陷。

我首先在一份白皮書中(確定 GaN 產(chǎn)品可靠性的綜合方法)對這個(gè)問題進(jìn)行說明。這份白皮書引發(fā)了業(yè)內(nèi)的討論,這也促使我們將這個(gè)對話延續(xù)下去,我們在今年3月召開的應(yīng)用電力電子會(huì)議 (APEC) 上提交了一份行業(yè)對話論文,并且接受IEEE國際可靠性物理學(xué)討論會(huì) (IRPS) 技術(shù)委員會(huì)的邀請。我們希望本次對話能夠進(jìn)一步擴(kuò)展至工作組層面,并且在其他人也針對這個(gè)重要話題發(fā)表看法時(shí)拓展工業(yè)領(lǐng)域的協(xié)作。

TI正在通過可靠且值得信賴的GaN產(chǎn)品努力打造一個(gè)能效更高的未來,同時(shí)也將數(shù)年的硅制造專業(yè)知識和先進(jìn)器件開發(fā)技術(shù)引入到GaN中。TI一直充分利用現(xiàn)有的生產(chǎn)制造基礎(chǔ)設(shè)施和能力,使600V GaN工藝符合要求。為了確保可靠性和穩(wěn)健耐用性,在對TI的器件進(jìn)行測試時(shí),TI所使用的GaN特定測試方法的有效性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了傳統(tǒng)硅質(zhì)量鑒定做法。

借助于合格的器件,電源設(shè)計(jì)人員能夠?qū)崿F(xiàn)GaN的滿功率運(yùn)行,從而打破市場普及阻礙,而最為重要的一點(diǎn)是,這使我們有可能生活在一個(gè)能效更高的世界中。

審核編輯:何安

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