91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

比亞迪半導(dǎo)體成功自主研發(fā)并量產(chǎn)1200V功率器件驅(qū)動芯片BF1181

比亞迪半導(dǎo)體 ? 來源:比亞迪半導(dǎo)體 ? 作者:比亞迪半導(dǎo)體 ? 2021-12-16 10:52 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近期,比亞迪半導(dǎo)體基于先前研發(fā)成果的穩(wěn)固基礎(chǔ)上,繼續(xù)整合自身優(yōu)勢,成功自主研發(fā)并量產(chǎn)1200V功率器件驅(qū)動芯片——BF1181,今年12月實(shí)現(xiàn)向各大廠商批量供貨。

BF1181是一款磁隔離單通道柵極驅(qū)動芯片,用于驅(qū)動1200V功率器件,同時具有優(yōu)異的動態(tài)性能和工作穩(wěn)定性,并集成了多種功能,如故障報警,有源密勒鉗位,主次級欠壓保護(hù)等。BF1181還集成了模擬電平檢測功能,可用于實(shí)現(xiàn)溫度或電壓的檢測,并提高芯片的通用性,進(jìn)一步簡化系統(tǒng)設(shè)計,優(yōu)化尺寸與成本等。

比亞迪半導(dǎo)體成功自主研發(fā)并量產(chǎn)1200V功率器件驅(qū)動芯片BF1181

為了安全可靠地使用功率器件,并實(shí)現(xiàn)將MCU的低壓驅(qū)動信號實(shí)時控制功率器件的開啟與關(guān)斷,功率器件驅(qū)動芯片必不可少,它將驅(qū)動功能和各種保護(hù)功能集成于一體??梢哉f每個功率器件都需要一個驅(qū)動芯片——合適的驅(qū)動芯片可讓電力電子系統(tǒng)事半功倍。

然而,我國車用功率器件驅(qū)動芯片目前主要依賴進(jìn)口,此前國內(nèi)基本還沒有滿足應(yīng)用的車規(guī)級高壓功率器件驅(qū)動芯片。

比亞迪半導(dǎo)體成功自主研發(fā)并量產(chǎn)1200V功率器件驅(qū)動芯片BF1181

新能源汽車功率器件驅(qū)動芯片分布圖

比亞迪半導(dǎo)體深耕功率半導(dǎo)體和集成電路領(lǐng)域17載,充分發(fā)揮微電子技術(shù)和電力電子技術(shù)相結(jié)合的突出優(yōu)勢,于2011年成功開發(fā)出600V 功率器件驅(qū)動芯片,批量應(yīng)用于智能功率模塊產(chǎn)品,并在變頻家電領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

比亞迪半導(dǎo)體成功自主研發(fā)并量產(chǎn)1200V功率器件驅(qū)動芯片BF1181

比亞迪半導(dǎo)體2011年已量產(chǎn)600V 功率器件驅(qū)動芯片

如今,自主研發(fā)的1200V驅(qū)動芯片BF1181,其應(yīng)用范圍更廣,可應(yīng)用于EV/HEV電源模塊、工業(yè)電機(jī)控制驅(qū)動、工業(yè)電源、太陽能逆變器等領(lǐng)域。在此之前,功率器件驅(qū)動芯片因其單顆價值小,在汽車電子系統(tǒng)成本占比較低容易被忽略,但它在汽車電子系統(tǒng)中卻是與功率器件并駕齊驅(qū),在新能源汽車中發(fā)揮至關(guān)重要作用。

1200V功率器件驅(qū)動芯片——BF1181

BF1181的研發(fā)成功及批量供貨,無論是在質(zhì)量把控上還是技術(shù)發(fā)展上皆是極賦意義的飛躍,推動比亞迪半導(dǎo)體在功率器件驅(qū)動芯片領(lǐng)域上邁出了堅實(shí)的一大步。此外,比亞迪半導(dǎo)體還實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵產(chǎn)品核心技術(shù)的自主可控,極大地帶動上下游產(chǎn)業(yè)鏈并進(jìn)行成果共享,促進(jìn)新能源汽車關(guān)鍵零部件技術(shù)發(fā)展,最終推動新能源汽車產(chǎn)業(yè)長足發(fā)展。

往期推薦

●創(chuàng)“芯”驅(qū)動發(fā)展 比亞迪半導(dǎo)體榮獲“GDSIA 2021年度貢獻(xiàn)獎”

●創(chuàng)新引領(lǐng)未來,比亞迪半導(dǎo)體SiC功率模塊斬獲2021年度“全球電子成就獎”

●喜訊!比亞迪半導(dǎo)體參與完成的項目榮獲國家科技進(jìn)步二等獎

●喜訊!比亞迪半導(dǎo)體再次榮登2021全球獨(dú)角獸企業(yè)500強(qiáng)榜單

●比亞迪半導(dǎo)體駐順德辦事處正式掛牌成立 順德核“芯”圈成型

原文標(biāo)題:比亞迪半導(dǎo)體新款功率器件驅(qū)動芯片自主研發(fā)告成!12月實(shí)現(xiàn)批量供貨

文章出處:【微信公眾號:比亞迪半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
責(zé)任編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    463

    文章

    54017

    瀏覽量

    466301
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    30751

    瀏覽量

    264336
  • 比亞迪
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    2564

    瀏覽量

    56282

原文標(biāo)題:比亞迪半導(dǎo)體新款功率器件驅(qū)動芯片自主研發(fā)告成!12月實(shí)現(xiàn)批量供貨

文章出處:【微信號:BYD_Semiconductor,微信公眾號:比亞迪半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列,采用新一代碳化硅芯片技術(shù),結(jié)合高性能Si3N4 AMB基板與銅基板封裝,在提升功率密度的同時顯著增強(qiáng)產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 01-23 14:54 ?1316次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>1200V</b>工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore2 ED3系列介紹

    1200V CoolSiC? MOSFET評估平臺:設(shè)計與應(yīng)用全解析

    (Infineon)的1200V CoolSiC? MOSFET評估平臺,它在開關(guān)損耗提取等方面有著出色的表現(xiàn),對于功率電子領(lǐng)域的研發(fā)工作有著重要的意義。 文件下載: Infineon
    的頭像 發(fā)表于 12-21 10:45 ?594次閱讀

    6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動器解析

    6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動器解析 在電力電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動器是驅(qū)動功率
    的頭像 發(fā)表于 12-20 14:25 ?1986次閱讀

    6ED2230S12T:1200V三相柵極驅(qū)動器的卓越之選

    6ED2230S12T:1200V三相柵極驅(qū)動器的卓越之選 在電力電子領(lǐng)域,高效可靠的柵極驅(qū)動器是實(shí)現(xiàn)高性能功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的關(guān)鍵。今天,我們就來深入探討英飛凌(Infineon
    的頭像 發(fā)表于 12-20 14:20 ?941次閱讀

    2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅(qū)動器的卓越之選

    2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅(qū)動器的卓越之選 在電力電子領(lǐng)域,對于IGBT或SiC MOSFET功率器件的高效控制一直是工程師們關(guān)注的焦點(diǎn)。今天,
    的頭像 發(fā)表于 12-20 11:30 ?1702次閱讀

    2ED1324S12P/2ED1323S12P:1200V半橋柵極驅(qū)動器的卓越之選

    EiceDRIVER? 1200V高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動器.pdf 產(chǎn)品概述 這兩款驅(qū)動器屬于2ED132x系列,專為控制半橋配置中最大阻斷電壓為+1200V的IGBT或SiC MOSF
    的頭像 發(fā)表于 12-20 11:15 ?1416次閱讀

    安世半導(dǎo)體1200V SiC MOSFET產(chǎn)品榮獲兩項行業(yè)大獎

    近日,安世半導(dǎo)體在碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力再次獲得行業(yè)權(quán)威認(rèn)可。1200 V SiC MOSFET產(chǎn)品系列憑借卓越的創(chuàng)新設(shè)計與
    的頭像 發(fā)表于 12-11 15:25 ?612次閱讀
    安世<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>1200V</b> SiC MOSFET產(chǎn)品榮獲兩項行業(yè)大獎

    英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎

    11月25日,英飛凌科技EconoDUAL3CoolSiCMOSFET1200V模塊榮獲2025年全球電子成就獎(WorldElectronicsAchievementAwards)年度功率半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 11-26 09:32 ?896次閱讀
    英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? MOSFET <b class='flag-5'>1200V</b>模塊榮獲2025全球電子成就獎

    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上,通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計顯著降低了模塊雜散電感,使碳化硅MOSFET的高頻性能得
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?1225次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>1200V</b>工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

    近期,中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單,已量產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 07-16 14:08 ?1263次閱讀
    瞻芯電子第3代<b class='flag-5'>1200V</b> 35mΩ SiC MOSFET<b class='flag-5'>量產(chǎn)</b>交付應(yīng)用

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    結(jié)構(gòu)、器件的制造和模擬、功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用到各類重要功率半導(dǎo)體
    發(fā)表于 07-11 14:49

    聞泰科技推出車規(guī)級1200V SiC MOSFET

    在全球新能源汽車加速普及的今天,續(xù)航短、充電慢成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。為突破這兩大痛點(diǎn),高功率電壓系統(tǒng)對1200V耐壓功率芯片的需求愈發(fā)迫切,1200V
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:55 ?1309次閱讀

    龍騰半導(dǎo)體推出1200V 50A IGBT

    功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下,如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋,成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品
    的頭像 發(fā)表于 04-29 14:43 ?1187次閱讀

    驅(qū)動電路設(shè)計(七)——自舉電源在5kW交錯調(diào)制圖騰柱PFC應(yīng)用

    隨著功率半導(dǎo)體IGBT,SiCMOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計的優(yōu)化,電平位移驅(qū)動電路應(yīng)用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英
    的頭像 發(fā)表于 03-24 17:43 ?1.3w次閱讀
    <b class='flag-5'>驅(qū)動</b>電路設(shè)計(七)——自舉電源在5kW交錯調(diào)制圖騰柱PFC應(yīng)用

    砥礪創(chuàng)新 芯耀未來——武漢芯源半導(dǎo)體榮膺21ic電子網(wǎng)2024年度“創(chuàng)新驅(qū)動獎”

    殊榮不僅是業(yè)界對武漢芯源半導(dǎo)體技術(shù)突破的認(rèn)可,更是對其堅持自主創(chuàng)新、賦能產(chǎn)業(yè)升級的高度肯定。 作為國產(chǎn)半導(dǎo)體領(lǐng)域的生力軍,武漢芯源半導(dǎo)體始終將“創(chuàng)新”視為企業(yè)發(fā)展的核心
    發(fā)表于 03-13 14:21