羅姆第4代SiC MOSFET發(fā)揮性能優(yōu)勢(shì)

近日，上汽大眾與臻驅(qū)科技聯(lián)合開發(fā)的首款基于SiC技術(shù)的 “三合一”電橋完成試制。據(jù)悉，對(duì)比現(xiàn)有電橋產(chǎn)品，這款SiC“三合一”電橋在能耗表現(xiàn)方面非常搶眼，每百公里可節(jié)約0.645kW·h電能。以上汽大眾在ID 4X車型上的測(cè)試結(jié)果為例，對(duì)比傳統(tǒng)的IGBT方案，整車?yán)m(xù)航里程提升了4.5%。由此可知，SiC電橋方案的優(yōu)勢(shì)非常明顯。但作為一種新技術(shù)，SiC電控系統(tǒng)還存在一些開發(fā)難點(diǎn)，比如SiC模塊的本體設(shè)計(jì)，以及高速開關(guān)帶來的系統(tǒng)EMC應(yīng)對(duì)難題。值得一提的是，臻驅(qū)科技此次完成試制的“三合一”電橋采用的是羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片，充分發(fā)揮了碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)。

羅姆于2020年完成開發(fā)的第4代SiC MOSFET，是在不犧牲短路耐受時(shí)間的情況下實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品。該產(chǎn)品用于車載主驅(qū)逆變器時(shí)，效率更高，與使用IGBT時(shí)相比，效率顯著提升，因此非常有助于延長(zhǎng)電動(dòng)汽車的續(xù)航里程，并減少電池使用量，降低電動(dòng)汽車的成本。

對(duì)比羅姆的第3代SiC MOSFET產(chǎn)品，第4代SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻更低的特點(diǎn)。根據(jù)測(cè)試結(jié)果顯示，在芯片尺寸相同且在不犧牲短路耐受時(shí)間的前提下，羅姆采用改進(jìn)的雙溝槽結(jié)構(gòu)，使得MOSFET的導(dǎo)通電阻降低了約40％，傳導(dǎo)損耗相應(yīng)降低。此外，從RDS（on）與VGS的關(guān)系圖中，我們可以發(fā)現(xiàn)第4代SiC MOSFET在柵極電壓處于+15V和+18V之間時(shí)具有更平坦的梯度，這意味著第4代SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓范圍可拓展至15V-18V。

NVIDIA CEO發(fā)布Hopper 架構(gòu)、H100 GPU

在 NVIDIA GTC 大會(huì)主題演講中，黃仁勛介紹了多款全新芯片，包括 Hopper GPU 架構(gòu)和H100 GPU、AI 和加速計(jì)算軟件以及強(qiáng)大的數(shù)據(jù)中心級(jí)系統(tǒng)。

“企業(yè)正在處理、完善他們的數(shù)據(jù)，構(gòu)建 AI 軟件，并逐漸成為智能制造商，”身處一個(gè) NVIDIA Omniverse 實(shí)時(shí) 3D 協(xié)作和模擬平臺(tái)上打造的虛擬環(huán)境中，黃仁勛描述了 AI 如何在各個(gè)領(lǐng)域“全面開花”。

Omniverse 將匯聚所有這些進(jìn)步，加快人與 AI 之間的協(xié)作、更好地塑造和理解真實(shí)世界并成為新型機(jī)器人的試驗(yàn)場(chǎng)，推動(dòng)“下一波 AI”的發(fā)展浪潮。

研華DeviceOn/BI通過工業(yè)案例審核

近日，工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（以下簡(jiǎn)稱“AII/聯(lián)盟”）公布2021工業(yè)APP應(yīng)用案例評(píng)選名單，研華DeviceOn/BI設(shè)備管理及業(yè)務(wù)整合平臺(tái)順利通過審核。

DeviceOn/BI集成關(guān)鍵技術(shù)，通過提供實(shí)時(shí)監(jiān)控、優(yōu)化運(yùn)營(yíng)和維護(hù)管理，實(shí)現(xiàn)業(yè)務(wù)數(shù)字化無縫轉(zhuǎn)型，為各產(chǎn)業(yè)提供全方位的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)解決方案，提升企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。目前已成功應(yīng)用在智慧水務(wù)、污/廢水處理、石油化工、廠務(wù)環(huán)境設(shè)施等各個(gè)領(lǐng)域，提供從云+中臺(tái)+端的一體化解決方案，為各領(lǐng)域構(gòu)建數(shù)字化運(yùn)維生態(tài)系統(tǒng)助力。