91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

M2芯片采用了增強的第二代5納米制程技術(shù)

牽手一起夢 ? 來源:蘋果WWDC 2022大會 ? 作者:蘋果WWDC 2022大會 ? 2022-06-07 15:23 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

蘋果WWDC 2022大會

M2芯片采用增強的第二代5納米制程技術(shù),并封裝了超過200億個晶體管,比M1芯片多了25%。它提供100GB/S的統(tǒng)一內(nèi)存寬帶比M1芯片帶來更高性能。在M2上啟用高達24GB的統(tǒng)一內(nèi)存來處理更巨大和復(fù)雜的工作負載。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    463

    文章

    54010

    瀏覽量

    466185
  • 蘋果
    +關(guān)注

    關(guān)注

    61

    文章

    24600

    瀏覽量

    208383
  • 納米
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    730

    瀏覽量

    42434
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    新品 | CoolSiC? MOSFET 650V第二代產(chǎn)品,新增75m?型號

    新品CoolSiCMOSFET650V第二代產(chǎn)品,新增75m?型號CoolSiCMOSFET650V第二代器件基于性能卓越的第一溝槽SiCMOSFET
    的頭像 發(fā)表于 01-12 17:03 ?320次閱讀
    新品 | CoolSiC? MOSFET 650V<b class='flag-5'>第二代</b>產(chǎn)品,新增75<b class='flag-5'>m</b>?型號

    上能電氣第二代增強混動構(gòu)網(wǎng)技術(shù)再次取得權(quán)威認證

    近日,上能電氣第二代增強混動構(gòu)網(wǎng)技術(shù)再次取得權(quán)威認證,國際知名的獨立能源專家和保障服務(wù)提供商挪威船級社(以下簡稱“DNV”)正式出具對其站級測試的見證報告。這標志著該項技術(shù)的領(lǐng)先性與可
    的頭像 發(fā)表于 01-08 11:34 ?580次閱讀

    TeledyneLeCroy發(fā)布第二代DisplayPort 2.1 PHY合規(guī)測試與調(diào)試解決方案

    TeledyneLeCoy(Teledyne子公司)宣布第二代QualiPHY 2自動化合規(guī)測試框架現(xiàn)已支持DisplayPort 2.1物理層(PHY)合規(guī)性測試。
    的頭像 發(fā)表于 12-26 11:04 ?1584次閱讀

    新品 | 采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

    新品采用.XT擴散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及
    的頭像 發(fā)表于 11-24 17:05 ?1470次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>采用</b>.XT擴散焊和<b class='flag-5'>第二代</b>1200V SiC MOSFET的Easy C系列

    三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)

    三星公布了即將推出的首2nm芯片性能數(shù)據(jù);據(jù)悉,2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞(GAA)晶體管技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 11-19 15:34 ?1232次閱讀

    臺積電2納米制程試產(chǎn)成功,AI、5G、汽車芯片

    臺積電2nm 制程試產(chǎn)成功 近日,晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)正式宣布其2納米制程技術(shù)試產(chǎn)成功,這一重大里程碑標志著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式邁入
    的頭像 發(fā)表于 10-16 15:48 ?1780次閱讀

    MediaTek采用臺積電2納米制程開發(fā)芯片

    MediaTek 今日宣布,MediaTek 首款采用臺積電 2 納米制程的旗艦系統(tǒng)單芯片(SoC)已成功完成設(shè)計流片(Tape out),成為首批
    的頭像 發(fā)表于 09-16 16:40 ?1107次閱讀

    新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件

    新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術(shù),在抗寄生導(dǎo)通方面展現(xiàn)出業(yè)界領(lǐng)先的可靠性。該器件在圖騰柱
    的頭像 發(fā)表于 07-28 17:06 ?991次閱讀
    新品 | <b class='flag-5'>第二代</b>CoolSiC? MOSFET G<b class='flag-5'>2</b> 750V - 工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件

    類比半導(dǎo)體推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD80012

    致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”)宣布推出全新第二代高邊開關(guān)芯片
    的頭像 發(fā)表于 07-02 15:19 ?1327次閱讀
    類比半導(dǎo)體推出全新<b class='flag-5'>第二代</b>高邊開關(guān)<b class='flag-5'>芯片</b>HD80012

    AMD第二代Versal AI Edge和Versal Prime系列加速量產(chǎn) 為嵌入式系統(tǒng)實現(xiàn)單芯片智能

    我們推出了 AMD 第二代 Versal AI Edge 系列和第二代 Versal Prime 系列,這兩款產(chǎn)品是對 Versal 產(chǎn)品組合的擴展,可為嵌入式系統(tǒng)實現(xiàn)單芯片智能。
    的頭像 發(fā)表于 06-11 09:59 ?1864次閱讀

    恩智浦推出第二代OrangeBox車規(guī)級開發(fā)平臺

    第二代OrangeBox開發(fā)平臺集成AI功能、后量子加密技術(shù)及內(nèi)置軟件定義網(wǎng)絡(luò)的能力,應(yīng)對快速演變的信息安全威脅。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 14:25 ?1393次閱讀

    類比半導(dǎo)體推出全新第二代高邊開關(guān)芯片HD8004

    致力于提供高品質(zhì)汽車驅(qū)動芯片和高品質(zhì)工業(yè)模擬芯片供應(yīng)商上海類比半導(dǎo)體技術(shù)有限公司(下稱“類比半導(dǎo)體”或“類比”)宣布推出全新第二代高邊開關(guān)芯片
    的頭像 發(fā)表于 05-21 18:04 ?1343次閱讀
    類比半導(dǎo)體推出全新<b class='flag-5'>第二代</b>高邊開關(guān)<b class='flag-5'>芯片</b>HD8004

    第二代AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求

    第二代 AMD Versal Premium 系列自適應(yīng) SoC 是一款多功能且可配置的平臺,提供全面的 CXL 3.1 子系統(tǒng)。該系列自適應(yīng) SoC 旨在滿足從簡單到復(fù)雜的各種 CXL 應(yīng)用需求
    的頭像 發(fā)表于 04-24 14:52 ?1267次閱讀
    <b class='flag-5'>第二代</b>AMD Versal Premium系列SoC滿足各種CXL應(yīng)用需求

    方正微電子推出第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品

    2025年4月16日,在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上,方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品,性能達到國際頭部領(lǐng)先水平。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 17:06 ?1536次閱讀

    英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

    英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G
    的頭像 發(fā)表于 03-15 18:56 ?1848次閱讀