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基于RM6604NDL+RM3405SH的氮化鎵功率集成快充方案

亞成微電子 ? 來源:亞成微電子 ? 作者:亞成微電子 ? 2022-06-20 15:12 ? 次閱讀
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高效率、低成本

30W A+C雙口

氮化鎵 功率集成快充方案

RM6604NDL+RM3405SH

隨著蘋果將快充功率推高到27W,30W PD快充已成為下一個(gè)風(fēng)口;同時(shí)伴隨著用戶各種智能設(shè)備的增加,單口充電器已無法滿足多設(shè)備同時(shí)充電的需求,故而具備多口輸出的小體積快速充電器逐漸成為用戶新的追求。至于如何才能將快充體積做的更小,發(fā)熱控制的更低,并且成本控制的更為優(yōu)異?這就需要我們芯片原廠從芯片設(shè)計(jì)的源頭來滿足。

為了解決這些難題,滿足用戶需求,亞成微推出了30W A+C雙口氮化鎵(GaN)功率集成快充方案,該方案基于氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL+ 高性能同步整流控制芯片RM3405SH 芯片組合,通過高度集成的芯片設(shè)計(jì)以及巧妙的結(jié)構(gòu)組合,實(shí)現(xiàn)了精簡(jiǎn)的外圍電路和緊湊的PCB布局,具有高效率、小體積、低成本等特點(diǎn),可有效幫助快充電源廠商加速中小功率快充量產(chǎn)并節(jié)省物料成本。

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氮化鎵功率集成電源芯片 - RM6604NDL

高性能同步整流芯片 - RM3405SH

1.DEMO結(jié)構(gòu)展示

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2.方案芯片介紹

氮化鎵功率集成電源芯片RM6604NDL

支持 CCM/QR 混合模式

內(nèi)置 650V GaN HEMT,內(nèi)置 700V 高壓啟動(dòng)

特有抖頻技術(shù)改善 EMI;Burst Mode 去噪音

低啟動(dòng)電流(2uA)和低工作電流

集成斜坡補(bǔ)償

集成輸入 Brown out/in 功能

外置 OVP 保護(hù)

具有輸出肖特基短路保護(hù)/CS 短路保護(hù)

內(nèi)置 OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO 等多種保護(hù)

采用DFN5*6封裝

1高性能同步整流控制芯片RM3405SH

支持DCM、準(zhǔn)諧振、CrCM和CCM模式

輸出電壓直接供給VCC

低靜態(tài)電流

CCM操作的快速驅(qū)動(dòng)程序功能

適用PSR和SSR電源管理芯片

工作頻率200KHz

寬VDD工作電壓

驅(qū)動(dòng)抗干擾功能

具有驅(qū)動(dòng)欠壓保護(hù)和過壓鉗位功能

采用SOP8 封裝

3.方案原理圖

1920ebac-e8a7-11ec-ba43-dac502259ad0.png

4.效率&待機(jī)功耗測(cè)試

效率測(cè)試

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待機(jī)功耗

197e0dfa-e8a7-11ec-ba43-dac502259ad0.jpg

5.紋波測(cè)試

空載紋波

19a4e20e-e8a7-11ec-ba43-dac502259ad0.jpg

重載紋波

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6.溫升測(cè)試(25°恒溫下持續(xù)1小時(shí)測(cè)試)

輸入電壓 90V

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輸入電壓 264V

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7.傳導(dǎo)測(cè)試

230V輸入

20V/1.5A(L)測(cè)試結(jié)果

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230V輸入

20V/1.5A(N)測(cè)試結(jié)果

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原文標(biāo)題:高效率、低成本|30W A+C雙口 氮化鎵功率集成快充方案

文章出處:【微信公眾號(hào):亞成微電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

審核編輯:湯梓紅

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