臺(tái)積電正式公布了其 N2（2 納米級(jí)）制造技術(shù)，該技術(shù)計(jì)劃于 2025 年某個(gè)時(shí)間投入生產(chǎn)，并將成為臺(tái)積電第一個(gè)使用其基于納米片的柵極全方位場(chǎng)效應(yīng)的節(jié)點(diǎn)晶體管（GAAFET）。新節(jié)點(diǎn)將使芯片設(shè)計(jì)人員能夠顯著降低其產(chǎn)品的功耗，但速度和晶體管密度的改進(jìn)似乎不太明顯。

從功能集的角度來(lái)看，臺(tái)積電的 N2 看起來(lái)是一項(xiàng)非常有前途的技術(shù)。至于實(shí)際數(shù)字，臺(tái)積電承諾 N2 將讓芯片設(shè)計(jì)人員在相同功率和晶體管數(shù)量下將性能提升 10% 至 15%，或者在相同頻率和復(fù)雜度下將功耗降低 25% 至 30%，同時(shí)，與N3E 節(jié)點(diǎn)相比，芯片密度增加了 1.1 倍以上。

臺(tái)積電3nm（N3）工藝將于2022年內(nèi)量產(chǎn)，而臺(tái)積電首度推出采用納米片晶體管（GAAFET）架構(gòu)的2nm（N2）制程工藝，將于2025年量產(chǎn)。

臺(tái)積電的第一家2nm工廠位于臺(tái)灣北部新竹縣寶山附近的工廠。就在今年6月 5日臺(tái)積電宣布將投資1 萬(wàn)億新臺(tái)幣擴(kuò)大2nm工藝芯片的產(chǎn)量。配合臺(tái)積電2納米建廠計(jì)劃，中科臺(tái)中園區(qū)擴(kuò)建二期開(kāi)發(fā)計(jì)劃如火如荼展開(kāi)。臺(tái)積電供應(yīng)鏈透露，臺(tái)積電在中科除了規(guī)劃2納米廠，后續(xù)的1納米廠也可能落腳此處。

目前，臺(tái)積電的2nm開(kāi)發(fā)已經(jīng)走上正軌，魏哲家表示，臺(tái)積電2納米技術(shù)去年已經(jīng)進(jìn)入技術(shù)開(kāi)發(fā)階段，著重于測(cè)試載具的設(shè)計(jì)與實(shí)作、光罩制作、以及硅試產(chǎn)?？偟膩?lái)說(shuō)，臺(tái)積電采用新工藝技術(shù)的速度越來(lái)越慢。傳統(tǒng)上，臺(tái)積電每?jī)赡晔褂靡粋€(gè)全新節(jié)點(diǎn)開(kāi)始生產(chǎn)。臺(tái)積電的 N7于 2018 年 4 月開(kāi)始爬坡，N5 于 2020 年 4 月進(jìn)入 HVM，但 N3 僅在 2022 年下半年用于商業(yè)生產(chǎn)。對(duì)于N2，我們顯然看到了更長(zhǎng)的節(jié)奏，這也說(shuō)明了工藝節(jié)點(diǎn)越來(lái)越難研發(fā)和攻克。

來(lái)源：鈦媒體，半導(dǎo)體行業(yè)觀察綜合整理

審核編輯 ：李倩