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算力存儲:首款2nm定制SRAM來了!

晶芯觀察 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:綜合報道 ? 2025-06-21 00:57 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,Marvell 美滿電子當(dāng)?shù)貢r間 17 日宣布推出業(yè)界首款 2nm 定制 SRAM,可為 AI xPU 算力設(shè)備提供至高 6Gb(即 768MB)的高速片上緩存。Marvell 宣稱其定制版 2nm SRAM 設(shè)計相比標(biāo)準(zhǔn)片上 SRAM 可節(jié)約 15% 的面積、降低約 2/3 的待機(jī)功耗,同時能實現(xiàn) 3.75GHz 的工作頻率。

Marvell 高級副總裁兼定制云解決方案部總經(jīng)理 Will Chu 表示:定制化是人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的未來。超大規(guī)模企業(yè)目前用于開發(fā)尖端定制 XPUs 的方法論和技術(shù)將逐漸滲透到更多客戶、更多設(shè)備類別和更多應(yīng)用中。我們期待與我們的合作伙伴和客戶共同打造定制化時代的領(lǐng)先技術(shù)組合。

早前,Marvell展示了其用于下一代 AI 和云基礎(chǔ)設(shè)施的首款 2nm 硅片 IP。該工作硅片采用臺積電的 2nm 工藝生產(chǎn),是 Marvell 平臺的一部分,用于開發(fā)定制 XPU、交換機(jī)和其他技術(shù),以幫助云服務(wù)提供商提升其全球運(yùn)營的性能、效率和經(jīng)濟(jì)潛力。

Marvell表示,公司的平臺戰(zhàn)略以開發(fā)全面的半導(dǎo)體 IP 產(chǎn)品組合為中心,包括電氣光學(xué)串行器/反串行器 (SerDes)、2D 和 3D 設(shè)備的芯片到芯片互連、先進(jìn)的封裝技術(shù)、硅光子學(xué)、定制高帶寬存儲器 (HBM) 計算架構(gòu)、片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (SRAM)、片上系統(tǒng) (SoC) 結(jié)構(gòu)和計算結(jié)構(gòu)接口(如 PCIe Gen 7),它們可作為開發(fā)定制 AI 加速器、CPU、光學(xué) DSP、高性能交換機(jī)和其他技術(shù)的基礎(chǔ)。

此前,海外公司Groq推出的LPU推理加速方案速度超越英偉達(dá)GPU十倍,且成本僅為后者的十分之一。這一創(chuàng)新方案得益于其采用的靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM),這種存儲器的速度相較于GPU所使用的HBM快達(dá)20倍。SRAM,作為儲存芯片的一個重要分支,能夠直接與CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)交換,且訪問速度極快。在追求低延遲和高速計算的人工智能等領(lǐng)域,SRAM的讀寫速度優(yōu)勢愈發(fā)明顯。隨著LPU等基于SRAM的推理加速方案的涌現(xiàn),SRAM的應(yīng)用領(lǐng)域正在不斷拓展,有望進(jìn)一步提升人工智能算法的運(yùn)算速度,助力高效計算任務(wù)的完成。

Axelera的AIPU芯片采用了創(chuàng)新的內(nèi)存計算技術(shù)?;赟RAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)和數(shù)字計算相結(jié)合,每個存儲單元有效地成為一個計算單元。這從根本上增加了每個計算機(jī)周期的操作數(shù)(每個存儲單元每個周期一次乘法和一次累加),而不受噪音或較低精度等問題的影響。該芯片還采用了開源的RISC-V指令集架構(gòu)(ISA)。RISC-V作為一種低成本、高效且靈活的ISA,允許根據(jù)特定的應(yīng)用需求進(jìn)行定制。它為Axelera提供了極大的設(shè)計自由度和創(chuàng)新空間。


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