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NP1205MR 12V p通道增強模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-06 14:44 ? 次閱讀
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描述

NP1205MR采用了先進的溝槽技術

提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵電荷和

工作電壓低至1.8V。這

該器件適用于作為負載開關或PWM

應用程序。

一般特征

?VDS = -12v, id = -5a

RDS(上)(Typ) = 27 mΩ@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 36 mΩ@VGS = -2.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無鉛產(chǎn)品

?表面安裝包

應用程序

?PWM程序

?負荷開關

?SOT-23-3L

pYYBAGLFLjmALHT9AABpqQpHczo050.png

訂購信息

poYBAGLFLseAOL7ZAAA2R3BAigU902.png

絕對最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLFLuCAVXd_AACZNNXZkqU768.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

poYBAGLFLxKAV5O5AAIXe9vuqCk388.png

熱特性

poYBAGLFLzGAegVSAABpRMhuGf4670.png

A.將設備安裝在1in2上測量RθJA的值

FR-4板與2oz。銅,在靜止的空氣環(huán)境中與

TA = 25°C。在任何給定的應用程序中的值取決于用戶的特定板設計。

B.功率損耗PD是基于TJ(MAX)=150℃,采用≤10s的結(jié)環(huán)境熱阻。

C.重復額定值,脈寬受結(jié)溫TJ(MAX)=150°C限制。額定值是基于低頻率和職責


審核編輯 黃昊宇

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