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矽力杰新一代12V鋰電功能安全AFE SA63654

矽力杰半導(dǎo)體 ? 2025-10-31 12:04 ? 次閱讀
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新能源電動汽車領(lǐng)域,隨著電動汽車向智能化方向發(fā)展以及鋰電池技術(shù)趨于成熟,成本逐步降低,12V車載電池鋰電替換鉛酸已迎來拐點。與12V鋰電池相對應(yīng),對電池管理系統(tǒng)BMS和模擬前端AFE的需求也孕育而生。矽力杰新一代12V模擬前端SA63654,提供12V鋰電運行模式功能安全QM至ASIL D平臺以及休眠模式功能安全ASIL B平臺的解決方案。

SA63654


強(qiáng)芯賦能 智馭全局


01

全診斷覆蓋的電芯電壓采集

>>>

在電壓采樣方面,SA63654提供主輔測量通道(Cn通道與Bn通道)以實現(xiàn)“Limp Home”模式。與市面12V AFE競品對比,SA63654最大程度實現(xiàn)主輔通道的冗余,如主副通道的模擬切換開關(guān)冗余以及主副通道的電平轉(zhuǎn)換冗余。后端的低壓模擬開關(guān)與Hybrid型電壓ADC則通過片上SD電流ADC實現(xiàn)交叉驗證,不僅巧妙地解決了共因問題,而且消除了同構(gòu)ADC的問題。芯片在滿足功能安全的同時,該架構(gòu)可以有效地降低芯片的功耗,提高芯片的EMC性能。

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* 矽力杰專有電壓測量架構(gòu)

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*業(yè)界電壓測量架構(gòu)

02

獨立冗余的電池包電流采集

>>>

在電流采集方面,SA63654既可以支持低成本的電流采集通道冗余-電壓ADC與電流ADC獨立采集shunt的差分電壓,也可以支持電流采集通道的完全冗余-擴(kuò)展兩個模擬通道來采集另一路shunt的差分電壓。與市面12V AFE競品對比,SA63654實現(xiàn)了電流采集的真正冗余,為實現(xiàn)電流采樣的安全目標(biāo)提供有力保障。

擴(kuò)展兩個模擬通道來采集另一路shunt的方式,還可以運用于多正極柱的應(yīng)用場景。

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* 矽力杰專有電流測量架構(gòu)

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* 業(yè)界電流測量架構(gòu)


03

獨立冗余的電池包過流保護(hù)

>>>

在過流保護(hù)方面,SA63654提供硬件過流保護(hù)和軟件過流保護(hù),兩者形成冗余。過流保護(hù)方向均為雙向(充電過流和放電過流)且閾值可編程。與市面12V AFE競品對比,SA63654提供了額外的硬件過流保護(hù)電路。競品的過流保護(hù)一般都是基于ADC電流采樣,SA63654的硬件方式可以有效地降低系統(tǒng)休眠功耗和休眠狀態(tài)下過流響應(yīng)時間。并且,SA63654的軟件過流保護(hù)可以與硬件過流保護(hù)形成冗余。

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* 矽力杰專有OCP架構(gòu)

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* 業(yè)界OCP架構(gòu)

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*SA63654在不同模式下的過流保護(hù)功能


SA63654


新一代模擬前端解決方案


SA63654

車規(guī)級4S BMS AFE

◆ 工作電壓范圍: 4V~28V

◆ 3種工作模式: 關(guān)機(jī)/睡眠(循環(huán)喚醒)/活動

◆ 4個通道用于電池單元電壓測量

? ±5mV精度 (0.2V~5V, -40°C~125°C)

◆ 1個通道用于BAT電壓測量

? ±50mV精度 (6V~22V, -40°C~125°C)

◆ 2個用于MOSFET診斷的通道

? ±5mV精度 (-1V~4.5V, -40°C~125°C)

◆ 7個溫度測量通道

? 比率測量精度±0.1% (0V VTREF, -20°C~65°C)

? 比率測量精度±0.2% (0V~VTREF, -40°C~125°C)

◆ 芯片溫度測量

? ±7oC精度(-40oC~125oC)

◆ 1個通道用于低端電流測量

? 輸入電壓范圍: ±150mV

? 增益誤差: ±0.1%(-40°C~125°C)

? 失調(diào)漂移: ±1uV(-40°C~125°C)

? 內(nèi)置庫侖計數(shù)器, 在ACTIVE和SLEEP模式下均可用

? 內(nèi)置硬件過流保護(hù), 用于充電和放電

◆ 集成用于電池平衡的NFET, 每通道高達(dá)200mA, 奇偶切換

◆ 后臺持續(xù)監(jiān)測過流情況, 一旦檢測到OC事件, 立即禁用預(yù)驅(qū)動器

◆ 在睡眠模式下周期性喚醒, 以監(jiān)測過壓(OV)/欠壓(UV)/過溫(OT)/欠溫(UT)/庫侖計數(shù)器(CC)/負(fù)載變化/應(yīng)急啟動, 并在檢測到故障時向SBC輸出喚醒信號, 向MCU輸出/FLT信號

◆ 內(nèi)置預(yù)驅(qū)動器, 用于驅(qū)動背靠背MOSFET

◆ 在ACTIVE模式下與ASIL-D功能安全兼容

◆ 40-pin 5x5可焊側(cè)翼QFN封裝


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