描述
NP50P02QR采用了先進(jìn)的戰(zhàn)壕
技術(shù)和設(shè)計(jì),提供優(yōu)秀的RDS(ON)與
門(mén)費(fèi)用低。它可以用于各種各樣的
應(yīng)用程序。
一般特征
?VDS = -20v, id = -50a
RDS(上)(Typ) = 5.5Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 6.5Ω@VGS = -2.5 v
?用于超低RDS(ON)的高密度電池設(shè)計(jì)
?充分描述雪崩電壓和電流
?穩(wěn)定性好,均勻性好,EAS高
?優(yōu)秀的包裝,良好的散熱
應(yīng)用程序
?負(fù)荷開(kāi)關(guān)
包
?PDFN3 * 3-8L

訂購(gòu)信息

絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

電特性(除非另有說(shuō)明,TA=25℃)

注:1:脈沖測(cè)試;脈沖寬度≦300ns,占空比≦2%。
2:設(shè)計(jì)保證,不經(jīng)生產(chǎn)檢驗(yàn)。
熱特性

審核編輯 黃昊宇
-
單片機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
6077文章
45515瀏覽量
671553 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
9747瀏覽量
233948
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
SGMPE35220:20V單P溝道MOSFET的性能剖析與應(yīng)用
CSD25481F4 20V P - Channel FemtoFET? MOSFET:小尺寸大能量的電子利器
CSD25402Q3A:20V P溝道NexFET?功率MOSFET的全面解析
CSD25310Q2 20V P - Channel NexFET? Power MOSFETs:小身材大能量
CSD25485F5 -20V P-Channel FemtoFET? MOSFET:小身材大能量
選型手冊(cè):AGM40P150C P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊(cè):VSP020P06MS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
選型手冊(cè):VS2301BC P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
IXTY2P50PA MOSFET:高性能P溝道增強(qiáng)型器件的深度解析
選型手冊(cè):VSP007P06MS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管
?基于NTTFD1D8N02P1E N通道MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)分析
選型手冊(cè):MOT2718J P - 溝道功率 MOSFET 晶體管
選型手冊(cè):MOT50N02D 系列 N 溝道功率 MOSFET 晶體管
NP50P02QR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
評(píng)論