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      NP3433EHR 30V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

      微雨問海棠 ? 來源：微雨問海棠 ? 作者：微雨問海棠 ? 2022-07-12 10:11 ? 次閱讀
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      描述

      NP3433EHR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)

      提供優(yōu)良的RDS(ON)，低柵電荷和

      工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備

      適合用作負(fù)載開關(guān)或PWM

      應(yīng)用程序。

      一般特征

      ?VDS = -20v, id = -1a

      RDS(上)(Typ) = 295Ω@VGS = -4.5 v

      RDS(上)(Typ) = 405Ω@VGS = -2.5 v

      ?高功率和電流處理能力

      ?獲得無鉛產(chǎn)品

      ?表面安裝包

      ?ESD額定電壓:2500V HBM

      應(yīng)用程序

      ?PWM程序

      ?負(fù)荷開關(guān)

      包

      ?ESOT-23-3L

      poYBAGLM15uAVPPCAACJ9XpBWMY277.png

      訂購信息

      poYBAGLM17eAQcQaAAA1KRhvjuo909.png

      絕對(duì)最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)

      pYYBAGLM1-iAaMrWAACrbJ2iTsg381.png

      熱特性

      poYBAGLM2ASAMF8SAABOD4YNLrc276.png

      電特性(除非另有說明，TA=25℃)

      pYYBAGLM2CGAAjcpAAIVV46RxV0722.png

      審核編輯 黃昊宇

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