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      NP3P06MR(40V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

      batai ? 來源：batai ? 作者：batai ? 2022-07-13 11:01 ? 次閱讀
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      1.描述
      NP3P06MR采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)并設(shè)計(jì)為低門極提供優(yōu)秀的RDS（ON）沖鋒?？捎糜?a target="_blank">負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)申請。

      2.一般特征
      * VDS=-60V，ID=-3A
      RDS（開）（典型值）=123.5 mΩ@VGS=-10V
      RDS(ON)（典型值）=160 mΩ@VGS=-4.5V
      * 高功率和電流處理能力
      * 獲得無鉛產(chǎn)品
      * 表面貼裝封裝

      3.應(yīng)用程序
      * 電池保護(hù)
      * 負(fù)荷開關(guān)

      4.包裝
      SOT-23-3L

      5.示意圖

      poYBAGLONSCARl3xAADU3qFe67M838.png



      審核編輯 黃昊宇

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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