描述
NP3400A使用先進的海溝技術提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費
超低密度細胞設計導通電阻。這設備適用于作為負荷開關或脈寬調(diào)制
應用程序。
一般特征
? VDS =30V,ID=7A
RDS(上)(Typ) = 23 m?@VGS = 2.5 v
RDS(上)(Typ) = 17 m?@VGS = 4.5 v
? High 功率 和 電流 處理 能力
? Lead 免費 產(chǎn)品
? Surface 安裝 包
應用程序
?PWM程序
?負荷開關
封裝
? SOT-23-3L
原理圖

標記和引腳分配

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審核編輯 黃昊宇
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發(fā)表于 05-13 16:25
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NP3400AMR(30 v n溝道增強型MOSFET)
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