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探討一下2D和3D拓撲絕緣體

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:量子材料QuantumMaterials ? 作者:Ising ? 2022-11-23 10:23 ? 次閱讀
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在量子材料領(lǐng)域內(nèi),拓撲絕緣體 (topological insulator, TI) 的概念,已經(jīng)成為眾所周知而堪當主流的知識。至少在目前的初級認知上,這一概念清晰直觀、特征卓著,雖然內(nèi)在物理著實不簡單。在整個凝聚態(tài)物理學(xué)中,如此簡潔明了的概念或圖像,其實并不多見。

這里,且容許再度復(fù)習(xí)這一概念:一絕緣體,假定有發(fā)自乎費米面附近拓撲非平庸的能帶結(jié)構(gòu),物理就會與平常認知有所不同。如果從其體內(nèi)穿過樣品邊界,進入到樣品外面的、拓撲平庸的真空中,則拓撲性質(zhì)的變化必定導(dǎo)致某支能帶結(jié)構(gòu)反轉(zhuǎn)。此時,拓撲量子態(tài)的那個體 - 邊對應(yīng)性 (bulk - edgecorrespondence) 說,這個邊緣態(tài) edge state 一定是無能隙的、自旋鎖定 (spin - helical) 金屬態(tài)。

這樣的物理規(guī)范,具有很高的普適性,applicable 到所有維度空間。對二維 2D 拓撲絕緣體 (2D - TI) 和三維 3D 拓撲絕緣體 (3D - TI),其體 - 邊對應(yīng)性由圖 1 所示的輸運性質(zhì)來表達最為簡單直觀。

對 2D - TI,環(huán)繞周邊的一維 1D 邊棱 (side - edge) 處是自旋鎖定的金屬態(tài)。對 3D - TI,環(huán)繞周邊的二維 2D 表面處是自旋鎖定的金屬態(tài)。這些金屬邊緣態(tài)的輸運會展現(xiàn)出非凡量子平臺效應(yīng),一直受到高度關(guān)注。

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圖 1. 拓撲絕緣體的輸運行為和體 - 邊對應(yīng)性。(A) 2D- TI 的體內(nèi)、邊緣和普通絕緣體(真空) 具有不同的能帶結(jié)構(gòu),輸運上表現(xiàn)出邊緣處的自旋鎖定金屬行為。(B) 3D - TI 的表面是自旋鎖定的金屬態(tài),體內(nèi)是絕緣體。

2D - TI 效應(yīng),最初是在半導(dǎo)體量子阱如 HgTe / CdTe 中觀測到的。那里是一個三層的異質(zhì)結(jié)構(gòu),的確展示了理論預(yù)言的、著名的量子自旋霍爾態(tài) (quantum spin Hall state,QSH)。目前,已經(jīng)找到的單相2D - TI 化合物實際上并不多,常見的主要也就是 WTe2 和 WSe2 這樣的 vdW 半導(dǎo)體。通過解離減薄到單層或少層,它們在較高溫度下,依然能夠呈現(xiàn) QSH 平臺。

那漂亮的霍爾電導(dǎo)平臺,蘊含了多少讓物理人激動不已的物理,因此才成為量子凝聚態(tài)的新天地,并煙火持續(xù)。2D - TI 之外,物理人很快就預(yù)言了 3D - TI。好吧,但 3D - TI 的邊緣態(tài)輸運測量就不那么順暢:雖然物理人很擅長輸運測量界面二維電子氣,但用到這 3D - TI 表面金屬態(tài)測量時,就遇到了問題:(1) 3D - TI 的體態(tài)能隙一般很小,有限溫度下體態(tài)對電導(dǎo)的貢獻很大,足夠?qū)⒛请m然風(fēng)光無限、實際卻很微弱的表面電導(dǎo)給掩蓋掉。

至少,嘗試分離體態(tài)和表面態(tài)電導(dǎo)的努力,并不那么優(yōu)雅綽約。(2) 即便溫度足夠低時,要對一個足夠大的表面進行準確定量的輸運測量,以確認拓撲量子平臺,也遠非那么容易。物理上,準確測量一個諾大表面的電阻 / 電導(dǎo),本身就是個技術(shù)活。

怎么辦呢?到目前為止,足夠大尺寸 3D - TI 樣品表面態(tài)的測量,依然沒有足夠大肆渲染的結(jié)果。轉(zhuǎn)而求其次的,是全方位約束 3D - TI,實行降維制備與測量:(1) 制備納米線,壓制體態(tài)貢獻而放大表面態(tài)貢獻,效果似乎不錯。在一些好的實驗中,的確能看到表面電導(dǎo)的顯著特征。(2) 制備超薄膜,壓制體態(tài)而放大表面態(tài)。

這種降維,雖然物理思路清晰,但畢竟維度降得太厲害了,偏離了 3D 維度的本征意涵。納米線,是體積、面積一起壓制,標度放大后還算個“假3D”樣品,而超薄膜就是個標準的準 2D 體系了。而且,對一個厚度極小而面積極大的準二維樣品,其上下兩個表面均是金屬態(tài),中間 sandwich 一層超薄絕緣體,這樣的表面電導(dǎo)實驗測量不那么容易。

事實上,現(xiàn)在的拓撲絕緣體研究,從輸運表達角度,都已經(jīng)到了所謂的高階 TI。二階 TI,只剩下樣品的頂角是個金屬態(tài)了,如圖 2 所示:如何能夠電學(xué)準確測量這個頂角的量子化電導(dǎo)?

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圖 2. 所謂 3D 拓撲絕緣體的表面態(tài) (金黃色是金屬態(tài)、灰色是絕緣態(tài)):(A) ~ (C)分別是一階、二階和三階拓撲絕緣體。后兩者有點“弱 weak”拓撲絕緣體的意涵。

當然,更進一步的延伸實驗,乃磁性拓撲絕緣體中的反常量子霍爾效應(yīng)測量。這是繼續(xù)降維的招數(shù):將 3D - TI 制備成準 2D 薄膜,通過引入磁性,將原來的上下金屬表面態(tài)壓制成絕緣態(tài),只保留邊棱處自旋鎖定的準 1D 金屬態(tài)。這就如 2D - TI 體系那般,測量的是趨近“準二維體系”的量子自旋霍爾效應(yīng) QHS。這一實驗,的確得到了反常量子霍爾效應(yīng)和 3D - TI 的漂亮證據(jù)。但 3D - TI 金屬表面態(tài)量子輸運,是否還有更好的證據(jù)?

梳理 2D / 3D - TI 量子態(tài)輸運的這些歷程,至少說明 3D - TI 的輸運表征研究存在一些“無奈”。但這樣的歷程,卻能夠啟迪新的思路。一個很自然的問題就油然而生:從 3D - TI 出發(fā),通過降維而走向 2D - TI 的進程中,到底會發(fā)生什么?!這樣的問題,現(xiàn)在看來并無多少驚奇之處,實際上拓撲量子領(lǐng)域的物理人早就有所作為。

他們提出了一些新的概念和預(yù)測。例如,他們定義了所謂的 2D - TI、強 3D - TI (strong topologicalinsulator, QTI)、弱 3D - TI (weak topological insulator, WTI) 的概念。這些概念,從嚴謹角度討論,自有一整套描述方法,包括基于 Z2 對稱性的指標化方案。

不過,從大眾化科普角度,能否將 WTI 理解為一系列 2D - TI 層的堆砌 (當然不是簡單堆垛起來就 OK)?如此,似乎就能得到一個堆砌體系,其側(cè)面表面是自旋鎖定的金屬表面態(tài) (這一表面態(tài)與常規(guī) 3D - TI 的表面態(tài)還是有所不同),但堆砌方向上下表面則不存在表面金屬態(tài),如圖 3 所示。這樣構(gòu)造的三維體系,似乎也滿足 Z2 對稱性指標化的要求。

但我們最終得到的,應(yīng)該就像一個介于 2D - TI 和 3D - TI 的“中間態(tài) QTI”了。所謂物理誠不可欺,而維度之間有乾坤,大概就是這個意思吧。

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圖 3. 所謂弱拓撲絕緣體 WTI 和強拓撲絕緣體 STI的粗略物理圖像

行文到此,此道之外的物理讀者,大概很容易如小編一般會問到:這個所謂的 WTI,是不是真的是將已經(jīng)發(fā)現(xiàn)的那些 2D - TI monolayers 疊加起來即可?或者應(yīng)該繼續(xù)尋找那些 vdW 類型的 2D - TI,然后人工上下其手、實現(xiàn)隨意堆垛而成?例如,我們知道 WTe2 的 monolayer 是 2D - TI,但不清楚三維 WTe2 塊體單晶是不是 3D – TI。有可能是?也可能不是?因為最近有工作說它是高階 TI。

Ising 讀書的讀后感是:這樣上下其手不是絕對不行,但也不是必須可行。物理的趣味就在于,的確存在一些單相 3D 化合物,如 ZrTe5,還真的有如此 WTI 的特征。這一化合物,呈現(xiàn) vdW 層狀結(jié)構(gòu),雖然亦有3D結(jié)構(gòu)特征,不算是典型的vdW系列。

問題是,這兩個普通元素組成的化合物,有 3D 量子霍爾效應(yīng) (如南科大張立源老師的工作)、有 WTI 效應(yīng),如果降維到很薄體系還可能是 2D - TI (ZrTe5monolayer 到底是不是 2D -TI 似乎還沒有實驗坐實)。畢竟,這樣的體系多屬于類 vdW 化合物。文獻報道都渲染說,其拓撲量子態(tài)高度依賴于制備、組成、缺陷、應(yīng)變、溫度等條件。顯然,這樣的渲染并非空穴來風(fēng),其中物理問題的確有些不好捉摸。但,如果它是一個 WTI,那這些不可捉摸就可能是本征特性。

總之,ZrTe5 是一個極好的實例,展示了在 2D - TI 和 3D - TI 之間,存在許多未知乾坤,值得探索。事實上,這一體系,依然是眾多名家流連之地。而伸展開去,這種探索的諸多坐標中,尋找新的、更典型的、更robust和彰顯更多 emergent phenomena 的新體系,自然是個中首選。

此后,研究者們立足于高壓下輸運和結(jié)構(gòu)表征,關(guān)聯(lián)高分辨第一性原理計算,以詳實的計算預(yù)測和實驗數(shù)據(jù),揭示出類 vdW 化合物 AuTe2Br 乃屬于一類行為獨特的拓撲絕緣體:(1) 它位于 WTI 和 STI 相間地帶 (boundary);(2) 其拓撲結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性高,可在很寬靜水壓范圍內(nèi)維持其拓撲態(tài);(3) 當靜水壓高于 15.4GPa 時,體系發(fā)生結(jié)構(gòu)相變,拓撲態(tài)失穩(wěn)、超導(dǎo)電性出現(xiàn)。這一工作最近刊登于《npj QM》上,圖 4 所示為其中一組數(shù)據(jù)結(jié)果。

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圖 4. 李世燕老師他們對 AuTe2Br 高壓表征得到的部分結(jié)果 (高壓調(diào)控晶體結(jié)構(gòu))。(A) 晶體結(jié)構(gòu) (包括層間間距定義) 和 3D 體系的布里淵區(qū)。(B) 層間距 (llayer)和亞層厚度 (hlayer, dlayer)變化對應(yīng)的拓撲態(tài)轉(zhuǎn)變。詳細描述請見論文原文。

從更廣泛的物理意義看,于 2D - TI 和 3D - TI 之間穿插各種中間拓撲量子態(tài)的聯(lián)想,并無太多物理規(guī)律來硬性約束其可與不可。因此,尋找諸如 WTI 之類的新體系,可能不僅僅意味著呈現(xiàn)一個新的 WTI,還可能揭示更豐富的臨界行為和演生效應(yīng),例如這里的 WTI - STI 臨界態(tài) (boundary state) 或 / 和高壓超導(dǎo)轉(zhuǎn)變 (外場下的其它量子效應(yīng))。誰知道呢?嗯、哦,那些富于幻想的量子材料人知道!






審核編輯:劉清

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原文標題:淌徉在2D和3D拓撲絕緣體之間

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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