ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)來提高電源轉(zhuǎn)換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內(nèi)置ESD保護(hù)和出色的散熱性能，方便安裝。應(yīng)用包括高開關(guān)頻率和高密度轉(zhuǎn)換器。文章來源：http://www.ameya360.com/hangye/109156.html

特性

》650V E模式GaN FET

》低導(dǎo)通電阻

》高速開關(guān)

》內(nèi)置ESD保護(hù)

》高度可靠的設(shè)計(jì)

》幫助減少電源轉(zhuǎn)換效率和尺寸

》出色的散熱性能

》符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用

》高開關(guān)頻率轉(zhuǎn)換器

》高密度轉(zhuǎn)換器

規(guī)范

》GNP1070TC-Z

》DFN8080K封裝類型

》連續(xù)漏極電流范圍：7.3A至20A

》脈沖漏極電流范圍：24A至66A

》漏源電壓：650V

》瞬態(tài)漏源電壓：750V

》柵源電壓范圍：-10VDC 至+6VDC

》瞬態(tài)柵源電壓：8.5V

》+25℃時(shí)功耗：56W

》柵極輸入電阻：0.86Ω(典型值)

》輸入電容：200pF(典型值)

》輸出電容：50pF(典型值)

》輸出電荷：44nC

》總柵極電荷：5.2nC(典型值)

》典型接通延遲時(shí)間：5.9ns

》典型上升時(shí)間：6.9ns

》典型關(guān)閉延遲時(shí)間：8.0ns

》典型下降時(shí)間：8.7ns

》GNP1150TCA-Z

》DFN8080AK封裝樣式

》連續(xù)漏極電流范圍：5A至11A

》脈沖漏極電流范圍：17A至35A

》漏源電壓：650V

》瞬態(tài)漏源電壓：750V

》柵源電壓范圍：-10VDC 至+6VDC

》瞬態(tài)柵源電壓：8.5V

》+25℃時(shí)功耗：62.5W

》柵極輸入電阻：2.6Ω(典型值)

》輸入電容：112pF(典型值)

》輸出電容：19pF(典型值)

》輸出電荷：18.5nC

》典型總柵極電荷：2.7nC

》典型接通延遲時(shí)間：4.7ns

》典型上升時(shí)間：5.3ns

》典型關(guān)閉延遲時(shí)間：6.2ns

》典型下降時(shí)間：8.3ns

審核編輯黃宇