博捷芯:半導(dǎo)體劃片設(shè)備之脆性材料切割方式

單次劃片，即一次完全劃片硅片，切割深度達(dá)到UV膜厚的1/2，如下圖所示。 該方法工藝簡(jiǎn)單，適用于切割超薄材料。 但刀具在切削過(guò)程中磨損嚴(yán)重，切削路徑邊緣易產(chǎn)生崩刃和毛刺。 由于磨削力的影響，材料的表面和亞表面容易產(chǎn)生裂紋等缺陷。

針對(duì)硬脆材料劃切工藝存在的缺陷，本文提出分層劃切工藝方法，如下圖所示。 根據(jù)被切削材料的厚度，在切削深度方向采用分層（階梯式）進(jìn)給方式進(jìn)行切削。 首先進(jìn)行開(kāi)槽切削，采用比較小的進(jìn)給深度，保證對(duì)刀具的受力小，減少刀具。 磨損，減少切割線正面的崩邊，然后沿第一條切割線繼續(xù)切割。

需要保證兩種切割方式切割過(guò)程中切割膜的厚度。 切膜過(guò)深時(shí)，會(huì)切穿膜，導(dǎo)致工件板失去真空能力，無(wú)法固定硅片； 切膜過(guò)淺會(huì)造成硅片背面塌陷。 因此，嚴(yán)肅地說(shuō)，切割過(guò)程必須保證最后切割的深度。