EUV 極紫外光刻技術(shù)越來(lái)越多地用于支持 <10nm 工藝技術(shù)的關(guān)鍵尺寸圖案形成. 管理這些價(jià)值超過(guò) 2億美元***的正常運(yùn)行時(shí)間和生產(chǎn)量對(duì)晶圓 Fab 廠的經(jīng)濟(jì)至關(guān)重要. 上海伯東日本 Atonarp Aston? 過(guò)程質(zhì)譜分析儀通過(guò)快速, 可操作, 高靈敏度的分子診斷數(shù)據(jù)實(shí)現(xiàn)了更佳的反射板鍍錫層清潔, 并且 Aston? 過(guò)程質(zhì)譜的實(shí)時(shí)氫氣 H2 監(jiān)測(cè)也降低了每個(gè) EUV 工具的氫氣消耗.

隨著工藝幾何尺寸的不斷縮小, 半導(dǎo)體工藝制造商面臨著新的挑戰(zhàn). 在先進(jìn)的極紫外 EUV 光刻技術(shù)中, 13.5nm 波長(zhǎng)的光源是通過(guò)二氧化碳 CO2 激光器蒸發(fā)熔融錫 Sn 液滴, 從而產(chǎn)生等離子體. 大批量生產(chǎn)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)包括控制蒸發(fā)錫再沉積引起的光學(xué)污染所造成的缺陷.

光源產(chǎn)生的一個(gè)副產(chǎn)品是 EUV 光源反射光學(xué)元件上的錫 Sn 碎片, 該反射光學(xué)元件聚焦等離子體發(fā)出的 EUV光. 收集鏡涂層表面上的錫沉積導(dǎo)致 EUV 鏡的反射率降低. 沉積錫厚度約為 1nm（只有幾個(gè)原子層）會(huì)使收集鏡反射率降低多達(dá)10%, 通常被視為收集鏡壽命規(guī)范. 這種污染增加了提供足夠的 EUV 功率以形成晶圓所需的時(shí)間, 因此降低了光刻產(chǎn)量, 并可能影響光刻圖案的定義. 解決措施包括使用氫等離子體 (結(jié)合磁場(chǎng)) 以錫烷氣體 SnH4 的形式化學(xué)除去錫, 然后從真空室排氣, 并防止錫進(jìn)一步再沉積.

上海伯東 Aston? 過(guò)程質(zhì)譜EUV 極紫外光源鹵化錫原位定量解決方案
在反射板清潔期間, 需要實(shí)現(xiàn)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量, 快速, 準(zhǔn)確地測(cè)量錫 SnH4 端點(diǎn), 確保以省時(shí)的方式除去錫沉積物, 通過(guò)使用 Aston? 過(guò)程質(zhì)譜儀可以測(cè)量 H2 大氣中 0.01-1 ppm 濃度下的微量 SnH4. 此外, Aston? 還可以監(jiān)測(cè) EUV 工具前端的氣體成分.

Aston? 過(guò)程質(zhì)譜價(jià)值在于通過(guò)監(jiān)測(cè)從 EUV 腔室中抽空所有錫原子的效率和優(yōu)化氫氣 H2 流量, 實(shí)現(xiàn)終點(diǎn)檢測(cè). 通過(guò)盡可能地減少氣體流量, 可以降低每分鐘 100 標(biāo)準(zhǔn)升的高純度氫氣消耗量.