有很多同學(xué)在評論里說，***會被禁運，各種耗材會被禁運，中芯國際肯定涼了。

在這里我想問幾個問題:

1.禁運有明確的官方消息嗎?如果禁運，那什么時間開始，什么時間結(jié)束?

2.有多少半導(dǎo)體企業(yè)可以承受失去中國市場的損失?

3.歐日韓與美國真的是一條心嗎?

4.美國的企業(yè)與美國政府是一條心嗎?

5.美國各黨派和各利益集團是一條心嗎?

6.美國的霸主地位能繼續(xù)維持多長時間?

一家企業(yè)失去20%的訂單，是不是說這個企業(yè)的利潤就減少了20%呢?不是的，因為大量固定資本支出的存在，這家企業(yè)很可能進入虧損狀態(tài)。

有興趣的同學(xué)可以統(tǒng)計下，美國對華為的禁令延期了多少次。我不知道禁令哪一天會真正生效，但從這個過程中可以看出，僅僅是割離華為一家企業(yè)就這么困難，更別說割離整個中國半導(dǎo)體了。

華為會不會倒下，我不知道，但它現(xiàn)在是中國半導(dǎo)體的一面旗幟。

人類對事物的發(fā)展的看法天生存在缺陷:容易高估事物在短時間內(nèi)的發(fā)展速度，但低估長時間的發(fā)展速度(10年以上)。而芯片正是一個長發(fā)展周期的行業(yè)。眼前我們面臨著美國的封鎖，而本土芯片制造業(yè)無力扛起大旗，這種短期的悲觀結(jié)論被很多人簡單的擴展為:本土芯片制造業(yè)永遠(yuǎn)無法成為世界第一。但我相信,在10-20年內(nèi)，本土芯片制造業(yè)有很大希望能問鼎世界。

事實上，中國的芯片制造業(yè)已經(jīng)開始加大馬力追趕了。

先上圖，自己整理的芯片制程發(fā)展史

中芯國際今年量產(chǎn)14nm，與目前已量產(chǎn)的最先進工藝5nm還有三個代差。相比于18年時， 28nm vs. 7nm的4個代差，已經(jīng)追回了一個代差。這中間發(fā)生了兩個大事，一是國家大基金入場芯片產(chǎn)業(yè)，二是前臺積電傳奇研發(fā)人員梁孟松加入中芯國際。

梁孟松是半導(dǎo)體行業(yè)中無人不知的傳奇人物,從92年-17年，連續(xù)帶領(lǐng)臺積電和三星的工藝制程反超intel,成為全球最大的兩家晶圓代工廠。梁孟松是加州大學(xué)伯克利分校電機博士,畢業(yè)后于AMD工作，92年返回臺灣加入臺積電，03年時，在臺積電與IBM爭奪0.13um(130nm)工藝高地的戰(zhàn)爭中，梁孟松一戰(zhàn)成名，在他的帶領(lǐng)下，臺積電先于IBM-年研發(fā)出0.13um銅工藝，坐穩(wěn)代工界大哥位置。06年，從intelI挖來的羅唯仁空降臺積電，接手蔣尚義研發(fā)副總的位置，堵住了梁孟松晉升的空間，也寒了梁孟松的心，他憤而出走，于08年加入了三星。

對半導(dǎo)體工藝稍有了解的同學(xué)可能知道，在20nm以下的工藝中，引入了一種叫做FinFET的技術(shù)，可以解決原有工藝中出現(xiàn)的漏電，并大幅改善電路控制。而FinFET技術(shù)的發(fā)明人胡正明°教授正是梁孟松的老師。彼時，三星在20nm制程的研發(fā)速度上落后于臺積電，梁孟松加入三星后，大膽跳過20nm工藝，通過引入FinFET技術(shù)，直接從28nm工藝升級14nmQ這一冒險的舉動最終還是讓梁孟松做成了!14nm的領(lǐng)先工藝讓三星一舉拿下蘋果A9和高通驍龍的訂單，讓三星半導(dǎo)體迅速崛起!要知道，在28nm°的制程上，臺積電在代工市場占有率為100%，可以想象三星的崛起在半導(dǎo)體界是多么的震撼!

17年，梁孟松終于加盟了中芯國際，不到1年的時間，幫助中芯國際從28nm制程跨越到14nm制程，又花了不到300天，把14nm制程的良率從3%提高到95%，達到了量產(chǎn)水平。梁孟松繼續(xù)在中芯國際譜寫他的傳奇。

有很多人說，中國有梁孟松又怎么樣，也許7nm之前的工藝，可以憑借他的經(jīng)驗快速追趕，但到7nm以下，重新回到自主研發(fā)的道路，怎么可能超越臺積電和三星?事實上，在半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)，有一個頂尖的、全球性的、行業(yè)共同支持的研究所IMEC,全稱Interuniversity Microelectronics Centre，中文譯文是校際微電子中心，也叫“比利時微電子研究中心°”。IMEC負(fù)責(zé)研究超前產(chǎn)業(yè)需求3~10年的微電子和信息通訊技術(shù)，研究人員來自各大高校、企業(yè)，其中就包括了臺積電、三星、中芯國際、華為。半導(dǎo)體行業(yè)制程的演進方向均是IMEC引領(lǐng)的，由企業(yè)負(fù)責(zé)技術(shù)落地。IMEC在2011提出了FinFET工藝，16年提出了GAA工藝，我們可以看到，所有的芯片企業(yè)在20nm以下不約而同的使用了FinFETI藝，在7nm以下使用GAA工藝，就是這個原因。

回到上邊的問題，半導(dǎo)體行業(yè)的演進方向其實IMEC提前3-5年已經(jīng)給出了，在大的方向上， 每個公司的起點都一樣，中芯國際不會在這上邊走彎路。導(dǎo)致各家半導(dǎo)體企業(yè)勝負(fù)的真正原因是技術(shù)落地時間點的選擇、落地的速度和資源的投入力度。Intel此前一直擁有最先進的工藝制程，但在10nm節(jié)點被臺積電和三星反超，主要原因是intel在10nm節(jié)點的工藝選擇 過于激進，使用了double patterning和quad patterning技術(shù)，良率不達標(biāo)，遲遲無法量 產(chǎn);三星在7nm節(jié)點引入了EUV (極紫外光 刻)技術(shù)，而臺積電繼續(xù)穩(wěn)妥的使用DUV (深紫外光刻)技術(shù)，量產(chǎn)時間大幅提前三星，有效的搶占了三星的市場。技術(shù)都是一樣的技術(shù)，但選擇什么時間落地，多久能落地，才是搶占市場的真正關(guān)鍵點。相信梁孟松在先進半導(dǎo)體制造領(lǐng)域30年的經(jīng)驗，能做出最正確的判斷，幫助中芯國際走出最正確的道路。

臺積電-中芯國際 研發(fā)投入對比

像集成電路制造這種重資產(chǎn)行業(yè)，有錢不一定能成，但沒錢是萬萬不能的!別說***了,隨便一個搬晶圓的機械臂就要幾十上百萬，沒錢哪來的設(shè)備?所以講國家集成電路大基金入場之前，先讓我們看下中芯國際和臺積電的研發(fā)投入情況。臺積電一騎絕塵將中芯國際踩在;腳下，一年的研發(fā)支出是其5倍以上，10-15年甚至達到10倍20倍的差距!中芯國際只是中國集成電路產(chǎn)業(yè)的一個寫照一長期處于生態(tài)鏈 下游， 利潤微薄、 艱難求生，無力投入研發(fā)?？窟@些企業(yè)各自為戰(zhàn)，根本無法扭轉(zhuǎn)被動局面。在此情況下，集成電路大基金應(yīng)運而生。

14年6月國家發(fā)布了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要%》，同年9月，大基金正式成立，一期共募得普通股987.2億元，同時發(fā)行優(yōu)先股400億元，共募集資金1,387.2億元。投資分布于:集成電路制造67%，設(shè)計17%，封測 10%，裝備材料類6%。大家再仔細(xì)看一下上圖，從15年開始，特別是16年，中芯國際的研發(fā)支出暴增，原因就在于此。但僅僅這樣是不夠的，目前與臺積電5倍以上研發(fā)支持差距，不是喊喊口號、幾萬人努力拼一把就能彌補的，中芯國際、中國的集成電路制造業(yè)還需要更多的錢!

19年7月，集成電路大基金二期募資結(jié)束，規(guī)模在2000億元左右。按照1:3的投資資金撬動比，預(yù)計可撬動社會資金規(guī)模在6000億元,最終總投資資金規(guī)?？赡苓_到萬億元。大基金二期首先會關(guān)注已經(jīng)在-期建立合作關(guān)系的公司和項目，例如長江儲存，中芯國際、華虹等機構(gòu)，這60多家公司在逐步發(fā)展的過程中需要持續(xù)的資本支持;對在刻蝕機、薄膜設(shè)備、測試設(shè)備和清洗設(shè)備等領(lǐng)域已布局的企業(yè)保持高強度的持續(xù)支持，推動龍頭企業(yè)做大最強，形.成系列化、成套化裝備產(chǎn)品，對照《綱要》繼續(xù)填補空白，大基金將加快開展***、化學(xué)機械研磨設(shè)備等核心設(shè)備以及關(guān)鍵零部件的投資布局，保障產(chǎn)業(yè)鏈安全。

從18年3月開始，美發(fā)動了對中貿(mào)易戰(zhàn)，兩年時間轉(zhuǎn)瞬即逝。大家在發(fā)現(xiàn)國內(nèi)環(huán)境依然相對安穩(wěn)的同時，也深刻意識到中國在高端制造業(yè)領(lǐng)域的薄弱，引發(fā)了一番社會大討論。在此背景下，會不會有集成電路大基金三期呢?我相信會的，特別是在兩會上新基建備受矚目的情況下。

錢多了，人才也就多了。

眾所周知，中國互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)與美國并駕齊驅(qū)，甚至開始引領(lǐng)全球風(fēng)潮。遠(yuǎn)點的有微信被whatsapp抄襲，近點的有TikTok席卷全球。是什么造就了互聯(lián)網(wǎng)的成功呢?有人說是因為馬云、馬化騰這樣有戰(zhàn)略思維的大佬，有人說是中國13億人口的市場夠大，還有人說是中國互聯(lián)網(wǎng)的路子夠野。但是這一切的基礎(chǔ)是中國龐.大的底層程序員。996的段子其實是中國程序員的真實寫照，但這么大的工作壓力下，為什么每年有無數(shù)的年輕畢業(yè)生涌入互聯(lián)網(wǎng)成為底層碼農(nóng)呢?為什么自嘲社畜的程序員，每逢家人聚會，談及自己的職業(yè)時，往往會收到周圍 羨慕的目光呢? 一切都是因為錢。平均幾十萬的年薪，程序員可以說是打工仔的巔峰了。

現(xiàn)在，國家大基金的入場，集成電路從業(yè)者們的工資開始水漲船高，從苦逼向高薪邁進，集成電路成為學(xué)校的熱門專業(yè)，無數(shù)學(xué)子慕名(望金)而來。人才的基數(shù)大了，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展才有柴薪可以燒。哪怕是萬里挑一的領(lǐng)袖人才，基數(shù)大了，每年也總會出現(xiàn)一些，這就是集成電路的希望所在。另外噦嗦一句，任正非說過，給的錢多了不是人次也變成人才。這句話我感同身受。不談個人的天賦能力，一年掙50萬和一年掙10萬的工作心態(tài)真的完全不一樣。

伴隨大基金而來的另一個改變是全民對集成電路的關(guān)注，曾經(jīng)談到華為，那就是個賣手機理性的，談到中芯國際，更是聽都沒聽說過。但到今天，出租車司機也能跟你扯幾句芯片和美國禁運。巨大的關(guān)注意味著巨大的壓力，曾經(jīng)你考60分，大家覺得還湊合，現(xiàn)在你考80分，出門都抬不起頭。集成電路從業(yè)者們哪怕為了自己的面子也得干出點樣子!

雖然中芯國際因為華為的原因，吸引了大量的目光聚集，也造成了大家對國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)的一片唱衰，但在另一個少有人注意的領(lǐng)域，國產(chǎn)存儲芯片已經(jīng)不知不覺間開始與國外巨頭展開貼身肉搏戰(zhàn)了。

存儲芯片的兩大支柱是DRAM和NAND flash。相信廣大男同胞對DRAM這個詞耳熟能詳，再窮不能窮內(nèi)存，土豪上個海盜船，沒錢也要上個威剛、光威。但其實DRAM芯片的真正廠商是三星、SK海力士、美光，前邊那些內(nèi)存品牌某種意義上只算是貼牌生產(chǎn)。提到NAND flash，很多人就不清楚了，其實它就是SSD、U盤、手機運存使用的存儲芯片。可以說電子設(shè)備多少都離不開這兩個東西。存儲芯片相比CPU芯片，對制程要求沒有那么高，目前最先 進的1z制程9 (12-14nm，DRAM)也在10nm以上。但即便如此，2020年以前，中國廠商的在存儲芯片領(lǐng)域的市場占有率也無限接近與0。

轉(zhuǎn)機就發(fā)生在今年，先是長鑫存儲的19nm DDR4內(nèi)存顆粒開賣(光威弈PRO系列) ，再 是長江存儲的128層NAND flash研發(fā)成功，預(yù)計年底量產(chǎn)。雖然與國外巨頭還有差距，但已然站在同一個擂臺上了!

時間再回到2016年，前文提到的國家集成電路大基金入場，并由地方政府牽頭成立了三家存儲芯片廠:福建省電子信息集團及泉州、晉江兩級政府共同出資設(shè)立的晉江晉華集成電路,投資規(guī)劃370億;合肥城投牽頭的合肥長鑫,投資規(guī)劃大約1500億;紫光集團、湖北國芯和湖北省科投牽頭的長江存儲，投資規(guī)劃386億。這樣的資金量，如果不是國家出手，沒人愿意掏，畢竟十年的冷板凳不是誰都樂意、更不是誰都有勇氣坐的。

2009年，當(dāng)時的全球第五大DRAM芯片廠奇夢達因次貸危機破產(chǎn)清算，它手中的技術(shù)輾轉(zhuǎn)華邦、英飛凌、北極星進入了合肥長鑫，這份技術(shù)共有16000份專利以及2.8TB的數(shù)據(jù)，成為了合肥長鑫進入DRAM領(lǐng)域的敲門磚。奇夢達走了一條埋入式的DRAM技術(shù)，而其他大廠走的是堆棧式，正是這一與眾不同的技術(shù)，幫助合肥長鑫繞開了DRAM領(lǐng)域的專利壁壘。而中國地圖南邊的福建晉華，背靠臺灣、肩臨深圳，本應(yīng)前途一片光明，卻因為采用堆疊式技術(shù)被美國政府指控竊取美光(Micron)的知識產(chǎn)權(quán)，并遭禁運，黯然收場。

合肥長鑫拿到奇夢達的技術(shù)后，同時成立了兩個研發(fā)組，短短4年時間就將奇夢達遺留的 46nm技術(shù)，提升到10nm級(量 產(chǎn)19nm,研發(fā)17nm)，并于今年進入量產(chǎn)爬坡階段。關(guān)注內(nèi)存條的同學(xué)可能發(fā)現(xiàn)，光威弈PRO系列上市后，其他內(nèi)存紛紛降價。當(dāng)一種技術(shù)中國沒有時，遭遇的是禁封、壟斷敲詐;但當(dāng)這種技術(shù)中國擁有后，哪怕差一點，遭遇也只可能是低價傾銷了。要小心的是，低價是糖衣炮彈, 一8我們因此放棄了白己的技術(shù) 糠衣不再，炮彈依舊！

2D vs. 3D NAND

另一邊，位于中國腹地武漢的長江存儲開始研究3D堆疊式NAND。3D堆疊式就是將原本平面的存儲單元像蓋房子一樣堆起來，同時提高存儲器件的容量、性能和可靠性，并降低價格。

三星早在2013年就宣布量產(chǎn)24層的NAND flash，而16年，新成立的長江存儲才開始研究 32層的NAND flash。僅僅7個月后，長江存儲.就與中科院微電子所聯(lián)合設(shè)計出了可行的32層 3D NAND方案，但不幸的是，一個月前，三星已開始量產(chǎn)64層NAND。到了第二年，長江存儲從臺灣挖了一大批專家，成功實現(xiàn)了64層NAND的開發(fā)，但又是一個月前，三星說，我96層量產(chǎn)了。還要注意的是，-方是實驗成功，一方是量產(chǎn)。

按部就班的走，只能跟著吃灰，湯都喝不到。于是，長江存儲大膽決定跳過96層，直奔128 層!是不是有種三星當(dāng)年跳過20nm直奔14nm，最終超越臺積電的既視感?幸運的是，長江存儲成功了，于今年4月成功試制128層NAND，并提出了Xtacking技術(shù)，可以大幅 縮短研發(fā)周期和生產(chǎn)周期(感興 趣的同學(xué)可以搜視頻了解下，非常直觀)

長江存儲 Xtacking技術(shù)

長江存儲128層NAND預(yù)計于年底量產(chǎn)，屆時 與國外大廠的技術(shù)差距將縮短到- -年以內(nèi)，而且哪怕國外大廠量產(chǎn)了140層NAND，128層的國產(chǎn)NAND依然有很強的市場競爭力。

合肥長鑫、福建晉華、長江存儲，三家存儲企業(yè)成了兩家，這絕對不是偶然。也許在科學(xué).理論領(lǐng)域中國還差些味道，但在工程技術(shù)領(lǐng)域，中國追趕的速度驚人!回頭再看中芯國際，各位是什么想法呢?

最后，十分感謝大家!這篇文章寫了4天了，比我想象的難，也比我想象的長，在大家的支持下才能夠完成，十分感謝!