7月11日-13日，瞻芯電子將亮相慕尼黑上海電子展，并展示全系列碳化硅功率半導(dǎo)體和芯片產(chǎn)品。我們將重點(diǎn)圍繞新能源汽車應(yīng)用、光伏與儲能、充電樁領(lǐng)域，展示適用的碳化硅(SiC)MOSFET、碳化硅(SiC)二極管和功率模塊，以及驅(qū)動芯片和參考設(shè)計(jì)方案。

我們誠摯地邀請各界朋友們蒞臨參觀，期待與您共同交流探討更高效、更緊湊、更可靠的能源轉(zhuǎn)換應(yīng)用方案，共同推動產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新與發(fā)展。

展會信息

日期：2023年7月11-13日 展館：上海國家會展中心，7.2H展館C210 參觀時(shí)間：9：00-17：00

產(chǎn)品概覽

瞻芯電子已開發(fā)量產(chǎn)了650V-1700V平臺的碳化硅(SiC)MOSFET、肖特基二極管及功率模塊產(chǎn)品，規(guī)格參數(shù)齊全，且有多種貼片、插件、模塊封裝。同時(shí)，我們還圍繞碳化硅(SiC)應(yīng)用，開發(fā)了多種系列柵極驅(qū)動芯片，包括SiC專用驅(qū)動、通用驅(qū)動、隔離型驅(qū)動。此外，瞻芯電子首創(chuàng)了一系列CCM模擬控制芯片。

參考設(shè)計(jì)方案

1、20kW充電樁模塊

該方案采用嶄新架構(gòu)：電流源PFC+DC-X，利用電池作為超級電容，以減少了PFC輸出電容，再通過切換LLC級變壓器匝數(shù)比，使DC-X在最佳效率點(diǎn)運(yùn)行，讓器件開關(guān)頻率提高了2-3倍，增加了系統(tǒng)功率密度、可靠性。

2、2.5kW 圖騰柱PFC電源

該方案采用簡單高效率的無橋功率因數(shù)校正電路，適用于鈦金級AC/DC交直流變換器設(shè)計(jì)。因采用CCM模擬控制芯片，而實(shí)現(xiàn)快速、精確、可靠的模擬控制，無需編程，節(jié)約開發(fā)時(shí)間和成本，從而快速開發(fā)并推向市場。該方案額定功率為2.5kW，效率高達(dá)99%。拓?fù)鋱D如下：

本方案中控制芯片為瞻芯電子開發(fā)圖騰柱模擬控制芯片IVCC1102，Q1 和Q2 是高頻臂SiC MOSFET，采用了650V 60mΩ SiC MOSFET（IV1Q06060T4），高頻臂的兩顆驅(qū)動芯片為SiC 專用·比鄰驅(qū)動TMIVCR1401。Q3 和Q4 是低頻臂Si MOSFET。

延申閱讀：瞻芯電子CCM圖騰柱PFC模擬控制IC獲“中國電源學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎”

3、11kW三相橋電機(jī)驅(qū)動方案

該方案為車載空壓機(jī)驅(qū)動而設(shè)計(jì)，功率高達(dá)11kW，下橋共用一組驅(qū)動電源，上橋自舉供電，同時(shí)采用開爾文柵極接法，避免了驅(qū)動回路與功率回路耦合，因而方案具備高頻率、高效率、高功率密度等特點(diǎn)。該方案所采用三相塑封模塊與比鄰驅(qū)動TM芯片，也適用于車載充電機(jī)(OBC)。

核心元器件簡介：IVTM12080TA1Z：三相橋塑封功率模塊：1200V SiC MOSFET inside（車規(guī)級設(shè)計(jì)）采用氮化鋁陶瓷基板，散熱性能好。IVCR1401:SiC 專用·比鄰驅(qū)動TM芯片，采用8pin緊湊封裝，且集成了負(fù)壓驅(qū)動、UVLO與故障警報(bào)，退飽和保護(hù)與內(nèi)置消隱、負(fù)壓電源等功能。4、200W反激電源該方案是一款反激式輔助電源，可適應(yīng)300V-1000V的超寬范圍供電工作，輸出24Vdc，使用方便靈活，峰值效率可達(dá)90%+，適用于多種場景的輔助電源、開關(guān)電源，能提高高功率密度，簡化電路設(shè)計(jì)。該方案中核心器件為車規(guī)級TO263-7封裝的1700V SiC MOSFET產(chǎn)品。