相較于1200V的硅基二極管，SiC二極管采用肖特基結(jié)構(gòu)，具備較低的正向?qū)妷骸?/span>

SiC二極管的較小反向恢復(fù)電流能夠帶來更好的EMI性能。

SiC材料擁有更好的導(dǎo)熱效果，有利于降低結(jié)溫，進而提高系統(tǒng)的可靠性。

如下圖所示，納芯微的SiC二極管采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計，與傳統(tǒng)的JBS結(jié)構(gòu)相比，具有顯著優(yōu)勢。MPS結(jié)構(gòu)中的PN結(jié)構(gòu)在大電流下更容易開啟，通過向高電阻的漂移區(qū)注入少數(shù)載流子形成電導(dǎo)調(diào)節(jié)效應(yīng)，從而顯著降低漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻。在保持器件正向?qū)妷翰蛔兊那闆r下，器件的抗浪涌電流能力得到顯著增強。

納芯微SiC二極管結(jié)構(gòu)設(shè)計示意圖

納芯微NPD020N120A SiC二極管在額定電流下的正向?qū)妷簩崪y典型值為1.39V，而單次浪涌電流的實測典型值可以達到220A，是正向額定電流的11倍，性能優(yōu)于行業(yè)水平。

這意味著納芯微的SiC二極管具有更低的正向?qū)妷?，同時在面對瞬態(tài)高電流沖擊時，具備更強的抗浪涌能力。這種性能優(yōu)勢使得納芯微的SiC二極管在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色，為系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性提供了重要保障。

納芯微具備完善且嚴(yán)格的質(zhì)量管理體系。為客戶提供最可靠的碳化硅二極管產(chǎn)品，我們在碳化硅芯片的生產(chǎn)過程中實施了嚴(yán)格的質(zhì)量控制措施。每個碳化硅二極管產(chǎn)品都經(jīng)過100%的靜態(tài)電參數(shù)測試和100%的抗雪崩能力測試。為了驗證產(chǎn)品的可靠性，我們按照JEDEC標(biāo)準(zhǔn)甚至更嚴(yán)格的測試條件進行驗證。例如，在HTRB項目中，我們將電壓耐受能力增加到100%的額定耐壓（對于1200V系列二極管，即使用1200V進行HTRB可靠性實驗）。同時，我們將測試時間從1000小時增加到3000小時等，以確保產(chǎn)品的可靠性。

納芯微始終致力于確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性，我們的質(zhì)量控制措施和嚴(yán)格的測試流程旨在提供給客戶最可靠的碳化硅二極管產(chǎn)品。

除了SiC二極管產(chǎn)品外，納芯微也在積極研發(fā)和驗證1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，并將于近期推出。納芯微的SiC MOSFET產(chǎn)品將經(jīng)過全面的車規(guī)級驗證，以確保完全符合汽車級應(yīng)用的要求。

納芯微SiC二極管系列產(chǎn)品目前可提供樣品,如需申請樣片或訂購可郵件至sales@novosns.com，更多信息敬請訪問www.novosns.com.