派恩杰半導(dǎo)體推出了1200V 400A系列的半橋62mm封裝模塊。62mm封裝外形已在多個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，包括工業(yè)自動(dòng)化中的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和變頻器、電源管理系統(tǒng)、光伏儲(chǔ)能、鐵路牽引系統(tǒng)以及感應(yīng)加熱等。

隨著市場(chǎng)對(duì)更高功率密度和更快開(kāi)關(guān)頻率的需求增加，派恩杰推出了該系列的碳化硅（SiC）半橋功率模塊，具體型號(hào)包括PAAA12400BM和PAAA12400BM2，為高超功率應(yīng)用場(chǎng)景提供了高效、可靠、低成本的解決方案。

此外，派恩杰還提供了其他型號(hào)的SiC模塊，如PAAC12350BM（1200V 350A）、PAAC12400BM2（1200V 400A，含SBD）以及PAAC12560BM（1200V 560A）等。這些模塊基于62mm的傳統(tǒng)封裝，優(yōu)化了內(nèi)部布局，降低了寄生電感，并預(yù)留了足夠的空間實(shí)現(xiàn)內(nèi)部并聯(lián)SBD的設(shè)計(jì)方案，以解決高頻工況下因SiC MOSFET體二極管所限制的實(shí)際開(kāi)關(guān)頻率和壽命衰減的問(wèn)題。

反向并聯(lián)二極管在這些模塊中得到了廣泛應(yīng)用，特別是在高壓、高頻、高溫等惡劣環(huán)境下的電路中。MOS管反并聯(lián)二極管具有獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，可以應(yīng)用于高速開(kāi)關(guān)、低電壓電流傳輸、去耦合電路以及抑制寄生導(dǎo)通等場(chǎng)景。

派恩杰的SiC模塊內(nèi)部使用了SI3N4基板（AMB），散熱性能更好。在60℃的環(huán)境溫度下，這些模塊仍然可以保持400A的出流能力。