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Chiplet,改變了芯片

穎脈Imgtec ? 2025-10-17 08:33 ? 次閱讀
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來源:內(nèi)容由半導(dǎo)體行業(yè)觀察編譯自rapidus。



1965年,英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾提出了“摩爾定律”。半個多世紀(jì)以來,這一定律推動了集成電路(IC)性能的提升和成本的降低,并成為現(xiàn)代數(shù)字技術(shù)的基礎(chǔ)。摩爾定律指出,半導(dǎo)體芯片上的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番。

長期以來,技術(shù)發(fā)展一直遵循著這一定律。但情況已經(jīng)開始發(fā)生變化。近年來,芯片電路尺寸的縮小變得越來越困難,線寬如今已降至幾納米 (nm)。工程師們面臨著物理極限、更復(fù)雜的制造步驟和不斷上升的成本。電路尺寸的縮小也意味著良率的降低,使得生產(chǎn)大量可用芯片變得更加困難。此外,建造和運(yùn)營半導(dǎo)體代工廠需要大量的資金和專業(yè)知識。因此,許多人認(rèn)為摩爾定律無法繼續(xù)有效。

摩爾定律的終結(jié)帶來了一項(xiàng)新的進(jìn)步:芯粒。

芯粒 (Chiplet) 是執(zhí)行特定功能的芯片(裸片)的一小部分,原本是單個大芯片的一部分。通過芯粒集成,多個芯??梢越M合成一個封裝,組成一個完整的系統(tǒng)。

過去,所有芯片功能都必須構(gòu)建在單個晶圓上。這意味著,即使芯片的一部分出現(xiàn)缺陷,整個芯片也必須丟棄。但有了芯粒,我們只使用“良好芯片”(即“已知良好芯片”(KGD))——這極大地提高了制造良率和效率。

異構(gòu)集成是一種集成工藝,允許將采用不同工藝制造、具有不同功能的不同芯片組合到單個芯片封裝中。小芯粒成對于混合和組合不同類型的電路尤其有效。例如,高性能計(jì)算部件可以使用最新的半導(dǎo)體工藝制造,而存儲器和模擬部件則可以采用更傳統(tǒng)、更具成本效益的技術(shù)來生產(chǎn)。這種平衡有助于在保持低成本的同時提高性能。

汽車行業(yè)對這種方法尤其感興趣。一些大型汽車制造商已開始使用這項(xiàng)技術(shù)開發(fā)未來汽車的片上系統(tǒng) (SoC),并計(jì)劃在 2030 年后將其應(yīng)用于量產(chǎn)汽車。Chiplet 的一大優(yōu)勢在于,它們能夠幫助制造商提升汽車半導(dǎo)體的性能和功能,更高效地提升 AI 計(jì)算和圖形處理能力,同時提高產(chǎn)量。

一些汽車部件需要滿足嚴(yán)格的安全標(biāo)準(zhǔn)。這些部件被稱為功能安全部件,通常使用更老、更成熟的半導(dǎo)體。但像高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和軟件定義汽車 (SDV) 這樣的現(xiàn)代系統(tǒng)需要更強(qiáng)大的芯片。這正是 Chiplet 技術(shù)的用武之地。借助 Chiplet,制造商可以通過將用于功能安全部件的微型計(jì)算機(jī)、大容量內(nèi)存和用于自動駕駛的強(qiáng)大 AI 處理器相結(jié)合,更快地根據(jù)每家汽車制造商的需求定制 SoC。

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這些優(yōu)勢不僅限于汽車應(yīng)用。Chiplet 技術(shù)也正在擴(kuò)展到人工智能和電信等其他領(lǐng)域,推動著眾多行業(yè)的創(chuàng)新。Chiplet 技術(shù)正迅速普及,成為未來半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)。

芯粒成依賴于一種以緊湊且高速的方式連接多個芯片的技術(shù)。中介層是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的關(guān)鍵組件。中介層是一個中間層,通常由硅制成,位于芯片下方,像電路板一樣連接芯片,幫助芯片之間相互通信。中介層性能越好,芯片之間的連接就越緊密,它們交換電信號的速度就越快。

先進(jìn)的芯粒成技術(shù)在高效供電方面也發(fā)揮著重要作用。在芯片之間添加許多微小的金屬連接點(diǎn),即使在狹小的空間內(nèi),也能為電流和數(shù)據(jù)傳輸提供足夠的路徑。這不僅能實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸,還能充分利用芯片封裝內(nèi)的有限空間。

如今,芯粒成的主流方法是 2.5D 集成,即將多個芯片放入單個封裝中。但下一個重大進(jìn)展是 3D 集成,這是一種將芯片垂直堆疊的技術(shù)。在 2.5D 結(jié)構(gòu)中,芯片并排排列在中介層上,以實(shí)現(xiàn)高密度連接。相比之下,3D 集成使用一種稱為硅通孔 (TSV) 的技術(shù)垂直堆疊芯片,從而實(shí)現(xiàn)更高的集成度。

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通過將靈活的芯片設(shè)計(jì)(將不同功能和電路類型分離)與 3D 集成相結(jié)合,工程師可以構(gòu)建更快、更小、更節(jié)能的半導(dǎo)體。將內(nèi)存和處理單元直接堆疊在一起,可以實(shí)現(xiàn)對大量數(shù)據(jù)的高速訪問,這對于快速執(zhí)行人工智能和其他高性能流程非常有利。

另一方面,垂直堆疊芯片也帶來了新的挑戰(zhàn)。熱量更容易積聚,因此熱管理和保持高制造良率變得更加困難。為了克服這些問題,世界各地的研究人員正在研究先進(jìn)封裝技術(shù)的新方法,以更好地應(yīng)對熱挑戰(zhàn)。但這并沒有減緩創(chuàng)新的步伐。芯粒與3D集成的結(jié)合如今被視為一項(xiàng)顛覆性的創(chuàng)新,它有可能取代摩爾定律,引領(lǐng)半導(dǎo)體發(fā)展的下一個時代。

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