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Chiplet與3D封裝技術(shù):后摩爾時(shí)代的芯片革命與屹立芯創(chuàng)的良率保障

先進(jìn)封裝 ? 來源:先進(jìn)封裝 ? 作者:先進(jìn)封裝 ? 2025-07-29 14:49 ? 次閱讀
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南京屹立芯創(chuàng)半導(dǎo)體科技有限公司

Chiplet與3D封裝技術(shù):后摩爾時(shí)代的芯片革命與屹立芯創(chuàng)的良率保障

在摩爾定律逐漸放緩的背景下,Chiplet(小芯片)技術(shù)和3D封裝成為半導(dǎo)體行業(yè)突破性能與集成度瓶頸的關(guān)鍵路徑。然而,隨著芯片集成度的提高,氣泡缺陷成為影響封裝良率的核心挑戰(zhàn)之一。南京屹立芯創(chuàng)半導(dǎo)體科技有限公司(ELEAD TECH)憑借其晶圓級(jí)真空貼壓膜系統(tǒng)和多領(lǐng)域除泡系統(tǒng),為先進(jìn)封裝提供了關(guān)鍵解決方案,助力Chiplet與3D封裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高性能與可靠性。

1. Chiplet技術(shù):模塊化設(shè)計(jì)推動(dòng)芯片創(chuàng)新
Chiplet技術(shù)將傳統(tǒng)SoC(系統(tǒng)級(jí)芯片)拆解為多個(gè)獨(dú)立功能模塊(如計(jì)算單元、存儲(chǔ)、I/O接口),通過先進(jìn)封裝技術(shù)集成,類似“半導(dǎo)體樂高”。其優(yōu)勢包括:
?靈活性:不同工藝節(jié)點(diǎn)的Chiplet可混合集成,例如CPU采用5nm工藝,而模擬電路采用成熟制程,降低成本。
?高性能:AMD的EPYC處理器采用Chiplet架構(gòu),通過3D堆疊實(shí)現(xiàn)更高帶寬和能效。
?良率優(yōu)化:單個(gè)Chiplet良率更高,減少大尺寸單芯片的制造缺陷。

然而,Chiplet集成面臨氣泡殘留問題,尤其是在底部填膠(Underfill)、芯片貼合(Die Attach)等工藝中,氣泡會(huì)導(dǎo)致散熱不良、機(jī)械應(yīng)力集中,甚至電路失效。

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2. 3D封裝:垂直堆疊突破性能極限
3D封裝通過硅通孔(TSV)、混合鍵合(Hybrid Bonding)等技術(shù),將Chiplet在垂直方向堆疊,顯著提升互連密度:
?HBM(高帶寬存儲(chǔ)器):通過TSV實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)與邏輯芯片的3D集成,帶寬可達(dá)819GB/s,延遲降低80%。
?異構(gòu)集成:如NVIDIA Grace Hopper超級(jí)芯片,整合CPU與GPU裸片,優(yōu)化AI計(jì)算效率。

但3D堆疊加劇了氣泡問題,尤其是在高深寬比(>1:10)的TSV填孔和RDL(再布線層)工藝中,傳統(tǒng)滾輪壓膜技術(shù)難以避免氣泡殘留。

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3. 屹立芯創(chuàng)的解決方案:突破氣泡瓶頸
屹立芯創(chuàng)專注于半導(dǎo)體先進(jìn)封裝中的氣泡消除,其核心技術(shù)包括熱流控制和氣壓調(diào)節(jié),主要產(chǎn)品如下:

(1)晶圓級(jí)真空貼壓膜系統(tǒng)(WVLA/WVLM/WVLS)
?真空下貼膜+軟墊氣囊壓合:區(qū)別于傳統(tǒng)滾輪壓膜,采用真空環(huán)境預(yù)鋪設(shè)干膜,再通過彈性氣囊震蕩壓合,避免氣泡殘留,適用于凹凸晶圓表面(如Cu Pillar Bump)。
?高深寬比填覆:支持1:20 TSV填孔,廣泛應(yīng)用于Flip Chip、Fan-out、3D-IC等制程。
?智能自動(dòng)化:兼容8"/12"晶圓,集成自動(dòng)切割系統(tǒng),提升生產(chǎn)效率。

wKgZPGiB0zaAG9vSAAO4SLM5_tI950.png晶圓級(jí)真空貼壓膜系統(tǒng)

(2)多領(lǐng)域除泡系統(tǒng)
?真空壓力交互切換:針對(duì)底部填膠、環(huán)氧樹脂灌封等工藝,通過多段真空-壓力循環(huán)消除氣泡。
?銦片散熱方案:結(jié)合銦金屬的高導(dǎo)熱性,優(yōu)化GPU/CPU封裝散熱,減少高溫導(dǎo)致的氣泡膨脹。

wKgZPGiIbsqAG0RKAAP2AzsyF_o655.png真空壓力除泡系統(tǒng)

4. 行業(yè)應(yīng)用與未來趨勢
屹立芯創(chuàng)的技術(shù)已成功應(yīng)用于:
?AI/HPC芯片:如AMD MI300采用3D Chiplet集成,屹立芯創(chuàng)設(shè)備保障TSV填孔良率。
?車用電子:自動(dòng)駕駛芯片需要高可靠性封裝,除泡技術(shù)提升長期穩(wěn)定性。
?5G/物聯(lián)網(wǎng)射頻模塊的異構(gòu)集成依賴高精度貼膜與氣泡控制。

wKgZPGiIbteAEg50AAUenrk6KwE669.png

未來,隨著玻璃通孔(TGV)、混合鍵合等技術(shù)的發(fā)展,屹立芯創(chuàng)的循環(huán)換熱板專利技術(shù)(CN220062682U)將進(jìn)一步優(yōu)化3D封裝的熱管理能力。

Chiplet與3D封裝正推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入“集成創(chuàng)新”時(shí)代,而氣泡控制是確保良率的關(guān)鍵。屹立芯創(chuàng)憑借真空貼壓膜系統(tǒng)和智能除泡技術(shù),成為全球除泡品類的領(lǐng)導(dǎo)者,為后摩爾時(shí)代的芯片性能突破提供核心支撐。未來,隨著標(biāo)準(zhǔn)化和跨行業(yè)協(xié)作的深化,Chiplet與3D封裝將在AI、自動(dòng)駕駛、高性能計(jì)算等領(lǐng)域持續(xù)釋放潛力。

審核編輯 黃宇

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