氣體圈子援引外媒消息，韓國(guó)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商Soulbrain正以1140億韓元(合人民幣6.3億元)收購(gòu)韓國(guó)半導(dǎo)體前驅(qū)體供應(yīng)商DNF 19.7%控股權(quán)進(jìn)行最后談判，這是為了擴(kuò)大前驅(qū)體材料市場(chǎng)份額，使其成為集團(tuán)未來(lái)新的的增長(zhǎng)引擎。

DNF是韓國(guó)兩家主要的前驅(qū)體制造商之一，DNF的估值約為3100億韓元（合人民幣17億元），另一家是韓國(guó)的Duksan Techopia。

DNF由首席執(zhí)行官Kim Myung-woon于2001年創(chuàng)立，并于2005年在三星內(nèi)部開(kāi)發(fā)出鋁化學(xué)氣相沉積前驅(qū)體，正式進(jìn)入半導(dǎo)體前驅(qū)體市場(chǎng)。此后，還開(kāi)發(fā)了無(wú)定形碳層(ACT)前驅(qū)體和雙重圖案化技術(shù)（DPT）前驅(qū)體。DNF與日本Adeka都是三星DRAM前驅(qū)體的主要供應(yīng)商。

前驅(qū)體是硅片制造的核心材料，自2019年日本對(duì)韓國(guó)制造芯片和顯示器的半導(dǎo)體材料實(shí)施出口限制后，DNF在韓國(guó)前驅(qū)體市場(chǎng)的份額迅速擴(kuò)大。

為了支持DNF的半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化，三星電子于2021年向DNF投資了210億韓元（合人民幣1.16億元），收購(gòu)了DNF7%的股份，成為第二大股東，Kim持有16.35%的股份。

2022年，DNF的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為163億韓元（合人民幣0.9億元），銷售額為1351億韓元（合人民幣7.4億元）。第一季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為5億韓元（合人民幣276萬(wàn)元），銷售額為287億韓元（合人民幣1.6億元）。

優(yōu)化半導(dǎo)體材料業(yè)務(wù)組合

Soulbrain成立于1986年，擁有包括前驅(qū)體在內(nèi)的多種高科技材料業(yè)務(wù)，是韓國(guó)市場(chǎng)占有率最大的化學(xué)用品制造商。客戶包括三星電子、SK海力士提、LG顯示和三星顯示等公司

Soulbrain集團(tuán)收購(gòu)DNF的原因是為了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體材料業(yè)務(wù)組合的多元化。該集團(tuán)目前僅從事半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中用于蝕刻和清洗的材料，主要產(chǎn)品為高選擇性氮化物蝕刻劑(HSN)、氫氟酸（HF）、緩沖刻蝕劑（BOE）等用于半導(dǎo)體氧化膜刻蝕和清洗的材料。一直試圖進(jìn)軍前驅(qū)體市場(chǎng)以及蝕刻和清潔材料市場(chǎng)，但未能取得巨大成果。

從這一點(diǎn)來(lái)說(shuō)，DNF的旗艦產(chǎn)品是DPT的先驅(qū)。它是2012年開(kāi)始量產(chǎn)的產(chǎn)品，在雙圖形化過(guò)程中起到保護(hù)晶圓的作用。鉿基DRAM前驅(qū)體的開(kāi)發(fā)正在進(jìn)行中。除了前驅(qū)體之外，光刻膠（PR）等新產(chǎn)品也在開(kāi)發(fā)中。

對(duì)于Soulbrain來(lái)說(shuō)，收購(gòu)DNF將使其在前驅(qū)技術(shù)和量產(chǎn)方面同時(shí)獲得競(jìng)爭(zhēng)力。據(jù)了解，Soulbrain集團(tuán)董事長(zhǎng)Jung Ji-wan在最近的一次執(zhí)行會(huì)議上也強(qiáng)調(diào)，“為了確保半導(dǎo)體領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力，我們需要使我們的投資組合多樣化”和“通過(guò)收購(gòu)DNF優(yōu)化半導(dǎo)體材料業(yè)務(wù)組合，強(qiáng)化在行業(yè)內(nèi)的競(jìng)爭(zhēng)力” 。

由氣體圈子主辦的第八屆國(guó)際氣體產(chǎn)業(yè)大會(huì)暨特種氣體供應(yīng)鏈大會(huì)定于2023年9月14-15日在云南昆明召開(kāi)。Linx Consulting亞太區(qū)總裁Andy Tuan將做主題演講《半導(dǎo)體前驅(qū)體材料發(fā)展趨勢(shì)分析》，從半導(dǎo)體前驅(qū)體材料技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)兩個(gè)方面做專業(yè)分享。

隨著DRAM存儲(chǔ)器容量不斷提升，內(nèi)部電容器數(shù)量增加，單個(gè)電容器尺寸縮小，電容器溝槽深寬比加大，前驅(qū)體用量增加。DRAM存儲(chǔ)器的制程同步升級(jí)，高制程產(chǎn)品占比提升，需要更高介電常數(shù)的材料,對(duì)應(yīng)High-K前驅(qū)體需求增加。

3D NAND使用多層垂直堆疊，密度高，功耗低，在相同尺寸下比2D容量更大。由于每一層NAND都要薄膜沉積工藝,前驅(qū)體用量將同步成倍增長(zhǎng)。






審核編輯：劉清