熱點新聞

1、傳蘋果自研5G基帶芯片將于2025年面世，iPhone SE 4首發(fā)搭載

據(jù)報道，蘋果正在開發(fā)第四代iPhone SE手機（暫稱iPhone SE 4），該產(chǎn)品將進行重大重新設(shè)計。iPhone SE 4顯示屏預計會更大，類似iPhone 14采用的全面屏。另外，蘋果將放棄物理Home按鍵，轉(zhuǎn)而提供Face ID進行身份驗證。該設(shè)備還將通過更好的基帶芯片（或稱調(diào)制解調(diào)器）和處理器進行內(nèi)部改進。分析師郭明錤表示，蘋果為iPhone定制的5G基帶芯片將于2025年首次亮相，有可能會隨著iPhone SE 4的發(fā)布而推出。

郭明錤表示，iPhone SE 4將是首款配備蘋果自研5G基帶芯片的設(shè)備。雖然這些只是現(xiàn)階段的猜測，但該公司正在大力投資，以擺脫高通設(shè)計的基帶芯片。高通長期以來一直為蘋果供應iPhone 5G基帶芯片。蘋果已經(jīng)收購英特爾智能手機調(diào)制解調(diào)器業(yè)務的很大一部分，并將繼續(xù)為iPhone測試和構(gòu)建其內(nèi)部基帶芯片。

產(chǎn)業(yè)動態(tài)

2、外媒：鴻海擬與意法半導體聯(lián)手在印度建設(shè)芯片廠

援引知情人士消息報導，鴻海(富士康)正在與意法半導體(STMicroelectronics NV)聯(lián)手在印度建設(shè)一家半導體工廠，盼獲得印度政府支持以擴大在該國的業(yè)務。

知情人士表示，鴻海和意法半導體正在向印度政府申請補助建設(shè)一座40納米芯片工廠。這種成熟制程技術(shù)的芯片常用于汽車、相機、印表機和各式各樣的其他機器。鴻海曾試圖與印度億萬富豪阿加渥(Anil Agarwal)的Vedanta Resources建立合作關(guān)系，然而一年來進度甚微，最終破局。此次透過與意法半導體合作，芯片代工制造商鴻海利用前者在芯片產(chǎn)業(yè)先驅(qū)的專業(yè)知識，擴張利潤豐厚但困難重重的半導體業(yè)務。

3、外媒：目前為止僅發(fā)現(xiàn)華為Mate 60 Pro內(nèi)存為進口其余部件中國制造

據(jù)報道，華為公司的Mate 60 Pro智能手機除了主處理器外，還采用了異常高比例的中國零部件，這表明中國在發(fā)展國內(nèi)技術(shù)能力方面取得了進展。

據(jù)本周報道，華為手機搭載了在中國設(shè)計和制造的7納米麒麟處理器，這是中國芯片制造行業(yè)的一項突破。然而，根據(jù)TechInsights拆解該設(shè)備的最新一輪分析，華為還使用了中國公司生產(chǎn)的許多其他組件。該手機的射頻前端模塊來自昂瑞微（Beijing OnMicro Electronics Co.），衛(wèi)星通信調(diào)制解調(diào)器來自華力創(chuàng)通（Hwa Create Co.）。分析顯示，其射頻收發(fā)器來自廣州天潤芯科技（Guangzhou Runxin Information Technology Co.）。

4、三星開發(fā)新一代“緩存DRAM”：能效提升60%，速度延遲降低50%

據(jù)報道，繼高帶寬內(nèi)存（HBM）之后，三星電子將開發(fā)新一代DRAM技術(shù)。援引業(yè)內(nèi)消息稱，三星先進封裝（AVP）業(yè)務部門正在開發(fā)“Cache DRAM”（緩存DRAM）的下一代DRAM技術(shù)，目標是在2025年開始量產(chǎn)。據(jù)報道，三星透露，與HBM相比，緩存DRAM將能效提高60%，并將數(shù)據(jù)移動延遲降低50%。

有傳言稱，三星緩存DRAM將采用與HBM不同的封裝方法。HBM目前水平連接到GPU，但緩存DRAM將垂直連接到GPU。由于HBM垂直連接多個DRAM以提高數(shù)據(jù)處理速度，因此有報道稱，緩存DRAM只需要一顆芯片即可存儲與整個HBM相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。

5、騰訊混元大模型正式亮相：參數(shù)規(guī)模超千億，已在多個內(nèi)部產(chǎn)品測試

在2023 騰訊全球數(shù)字生態(tài)大會上，騰訊正式發(fā)布混元大模型。據(jù)介紹，混元大模型參數(shù)規(guī)模超千億，預訓練語料超 2 萬億 tokens，騰訊云、騰訊廣告、騰訊游戲、騰訊金融科技、騰訊會議、騰訊文檔、微信搜一搜、QQ 瀏覽器等超過 50個騰訊業(yè)務和產(chǎn)品，已經(jīng)接入騰訊混元大模型測試，并取得初步效果。

該模型同時也服務產(chǎn)業(yè)場景，客戶可以基于 API 調(diào)用混元，也可以基于混元做專屬的行業(yè)大模型?；煸竽Ｐ吞柗Q能夠識別“陷阱”，拒絕被“誘導”回答一些難以回答甚至是不能回答的問題，比如“如何更好地超速”，拒答率提升 20%。

新品技術(shù)

6、意法半導體GaN驅(qū)動器集成電流隔離功能，具有卓越的安全性和可靠性

意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵(GaN)晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。

這款單通道驅(qū)動器可連接最高1200V的電壓軌，而STGAP2GSN 窄版可連接高達 1700V的電壓軌，柵極驅(qū)動電壓最高15V。該驅(qū)動器能夠向所連接的 GaN 晶體管柵極灌入和源出最高3A的電流，即使在高工作頻率下也能精準控制功率晶體管的開關(guān)操作。

7、伍爾特電子推出撥動開關(guān)產(chǎn)品系列

伍爾特電子現(xiàn)在同樣生產(chǎn)高品質(zhì)的撥動開關(guān)?，F(xiàn)有多種不同版本的易用型快速開關(guān)提供，產(chǎn)品名稱為 WS-TOTV。這些開關(guān)符合 IEC 61000-4-2 標準的 EDS 要求，并經(jīng)過滿載條件下的工作耐久性測試，耐用性得到驗證（電氣壽命：5 萬次）。

撥動開關(guān)通常用于切換設(shè)備的不同功能，因此伍爾特電子同時提供具有ON/OFF/ON 和 ON/ON 切換功能的撥動開關(guān)。這些開關(guān)提供 SPDT（單極雙擲）和 DPDT（雙極雙擲）電路，有水平和垂直版本可選。額定電壓為 30 V 時，載流能力為 1 A。耐壓值可達 500 V，工作溫度為-40至+85°C?？蚣芊?UL94 V-0可燃性等級。

投融資

8、打造硅光領(lǐng)先技術(shù)平臺，熹聯(lián)光芯完成超億元B-2輪融資

近日，蘇州熹聯(lián)光芯完成了超億元B-2輪融資。本輪融資由老股東昆侖資本和弘毅投資聯(lián)合領(lǐng)投，江蘇云榮通、蘇州創(chuàng)投等機構(gòu)共同參與。

熹聯(lián)光芯成立于2020年，由半導體、硅光及金融等領(lǐng)域多位資深專家領(lǐng)頭，致力于打造硅光領(lǐng)先技術(shù)平臺，努力推動全球5G、數(shù)據(jù)中心及數(shù)字化進程。為了快速實施在硅光領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局，熹聯(lián)光芯于2021年10月份完成了對德國Sicoya GmbH的100%股權(quán)并購。

9、中昊芯英完成數(shù)千萬新一輪融資，推動大模型建設(shè)布局

近日，中昊芯英完成數(shù)千萬Pre-B+輪融資，本輪融資由杭州華夏恒天資本參與投資，資金用于推動AI計算集群業(yè)務落地。本輪融資完成后，中昊芯英將進一步完善全自主可控算力和大模型建設(shè)布局，并于近期完成多個AI計算中心客戶的產(chǎn)品交付。

中昊芯英成立于2020年，是一家由硅谷歸國經(jīng)驗豐富的大芯片及AI大模型相關(guān)軟硬件設(shè)計專家共同創(chuàng)立的創(chuàng)新型高科技企業(yè)，致力于研發(fā)支撐超大規(guī)模人工智能模型訓練的高性能人工智能芯片與計算集群，打造完整的軟硬件一體化方案。

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