隨著服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心在全球范圍內(nèi)的應(yīng)用日益廣泛，對(duì)穩(wěn)定高效電源的需求越來(lái)越強(qiáng)烈，以應(yīng)對(duì)不斷增加的功耗。用電量一直快速增長(zhǎng)，因此需要更多的集成中央處理單元、圖形處理單元和加速器來(lái)提高服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的計(jì)算速度。應(yīng)用效益的提高催生了電源裝置 (PSU) 的發(fā)展，以提供高能效、快速瞬態(tài)響應(yīng)、高功率密度和更大的電源容量。

高能效

具有高能效的服務(wù)器 PSU 可通過(guò)減少功耗和更大程度提高電源到負(fù)載間的功率傳輸效率，降低運(yùn)營(yíng)數(shù)據(jù)中心的成本及其對(duì)環(huán)境的影響。這種能力使數(shù)據(jù)中心能夠滿足日益嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)（例如 80 Plus），在各種負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高于平均水平的鈦金級(jí)能效，并向環(huán)境排放更少的二氧化碳。

快速瞬態(tài)響應(yīng)

在服務(wù)器電源應(yīng)用中，具有快速瞬態(tài)響應(yīng)有助于在不斷變化的負(fù)載和輸入瞬態(tài)情況下，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)運(yùn)行。此外，系統(tǒng)需要滿足服務(wù)器電源原始設(shè)備制造商更嚴(yán)格的瞬態(tài)響應(yīng)規(guī)格：在 2.5A/μS 至 5A/μS 之間實(shí)現(xiàn) 80% 至 100% 的負(fù)載跳躍。圖 1 說(shuō)明了這些參數(shù)。

圖 1：瞬態(tài)響應(yīng)參數(shù)

更高的功率密度和更大的電源容量

服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的功耗不斷增長(zhǎng)，因此需要更大的電源容量。通過(guò)在更小的空間內(nèi)提供更大的電源容量，氮化鎵 (GaN) 等電源技術(shù)可實(shí)現(xiàn)更小巧的電源。為了在電源系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高功率密度和縮減整個(gè)系統(tǒng)的物料清單，使用實(shí)時(shí)微控制器 (MCU) 控制高開(kāi)關(guān)頻率至關(guān)重要。

攻克服務(wù)器 PSU 的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

為了實(shí)現(xiàn)上述優(yōu)勢(shì)，服務(wù)器 PSU 制造商面臨幾項(xiàng)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，例如

實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的電源拓?fù)洌鐖D騰柱無(wú)橋功率因數(shù)校正和控制算法，包括零電壓開(kāi)關(guān)、零電流開(kāi)關(guān)、同步整流時(shí)序和具有混合遲滯控制的電感-電感-電容諧振直流/直流轉(zhuǎn)換。

啟用實(shí)時(shí)控制性能，加快控制回路的執(zhí)行。

在采用 GaN 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙功率器件時(shí)減少功耗，同時(shí)保持更高的開(kāi)關(guān)頻率。

為了滿足服務(wù)器 PSU 系統(tǒng)對(duì)電源效率和功率密度不斷增長(zhǎng)的要求，實(shí)時(shí) MCU 需具有幾個(gè)關(guān)鍵特性，例如低延遲信號(hào)鏈、高脈寬調(diào)制 (PWM) 靈活性和分辨率、高控制環(huán)路速度和高開(kāi)關(guān)頻率。圖 2 顯示了一個(gè)示例 PSU 框圖。

圖 2：具有交流/直流和直流/直流級(jí)的服務(wù)器電源典型雙控制器架構(gòu)

TMS320F280039C C2000? 實(shí)時(shí) MCU 提供上述所有特性，還可幫助滿足或減少服務(wù)器 PSU 的設(shè)計(jì)預(yù)算。它們將繼續(xù)通過(guò)靈活和創(chuàng)新的功能改進(jìn)集成的實(shí)時(shí)信號(hào)鏈（感應(yīng)、處理和控制）。圖 3 顯示了 F28003x 系列。

圖 3：F28003x MCU 擴(kuò)展了 C2000 實(shí)時(shí) MCU 產(chǎn)品組合

高精度檢測(cè)

F280039C MCU 通過(guò)其集成式模擬元件（包括多個(gè)可靈活管理轉(zhuǎn)換啟動(dòng)、具有 11 個(gè)有效位數(shù)和一個(gè)后處理塊的 4MSPS 模數(shù)轉(zhuǎn)換器），實(shí)現(xiàn)了服務(wù)器PSU的高能效和快速瞬態(tài)響應(yīng)。MCU 還集成了具有優(yōu)化電源控制功能的快速模擬比較器，例如消隱、延遲跳閘、峰值電流模式控制和斜率補(bǔ)償，可實(shí)現(xiàn)精確的功率轉(zhuǎn)換。

高性能處理

F280039C 基于 32 位數(shù)字信號(hào)處理器架構(gòu)并結(jié)合了控制律加速器，可提供超過(guò) 240MIPS 的實(shí)時(shí)性能，具有浮點(diǎn)單元和三角函數(shù)加速器等特性，可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和高瞬態(tài)響應(yīng)，能夠處理復(fù)雜的時(shí)間關(guān)鍵型計(jì)算。

靈活的高分辨率控制

在大功率服務(wù)器 PSU 系統(tǒng)中，即使在高頻下，實(shí)現(xiàn)更大的電源容量并保持相位間同步也至關(guān)重要。F280039C 提供 150ps 分辨率的 PWM 通道，具有谷底開(kāi)關(guān)、延遲跳閘、死區(qū)時(shí)間調(diào)整和全局重新加載等功能，可以精確控制復(fù)雜的電源拓?fù)浜涂刂扑惴?。集成的可配置邏輯塊進(jìn)一步增強(qiáng)了 PWM 的靈活性，并無(wú)縫銜接 GaN 技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高功率密度。

C2000 實(shí)時(shí) MCU 在服務(wù)器 PSU 系統(tǒng)中的其他優(yōu)勢(shì)

除了電源管理和快速實(shí)時(shí)控制的趨勢(shì)外，F(xiàn)280039C MCU 還可以滿足服務(wù)器 PSU 的幾項(xiàng)其他熱點(diǎn)要求：

實(shí)時(shí)固件更新可以在不中斷電源的情況下無(wú)縫切換到新固件，并通過(guò)具有多個(gè)閃存選項(xiàng)的多組型號(hào)和更快的閃存組擦除時(shí)間，更大限度降低軟件開(kāi)銷。

通信接口從PMBus轉(zhuǎn)到控制器局域網(wǎng)(CAN)總線（以及可能的CAN-FD），可實(shí)現(xiàn)更快速度、更高數(shù)據(jù)速率和可靠的主機(jī)通信。

通過(guò)加密功能（例如高級(jí)加密標(biāo)準(zhǔn)、安全啟動(dòng)和安全聯(lián)合測(cè)試行動(dòng)組）實(shí)現(xiàn)安全性，可在這個(gè)更加互聯(lián)的世界中保護(hù)代碼和數(shù)據(jù)免受外部攻擊，解決業(yè)界擔(dān)憂。

結(jié)語(yǔ)

F280039C MCU 在 C2000 MCU 平臺(tái)上進(jìn)行了擴(kuò)展，提供集成功能，可幫助您實(shí)現(xiàn)高級(jí)實(shí)時(shí)控制，同時(shí)降低物料清單成本。F28003x MCU 系列通過(guò)解鎖 GAN 和 SiC 等寬帶隙技術(shù)的全部潛力，實(shí)現(xiàn)了更高能效、更高功率密度以及更快響應(yīng)時(shí)間，與這些技術(shù)相得益彰。簡(jiǎn)便易用的軟件可加快服務(wù)器 PSU 設(shè)計(jì)人員的開(kāi)發(fā)速度。

關(guān)于德州儀器 (TI)

德州儀器（TI）（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）是一家全球性的半導(dǎo)體公司，致力于設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試和銷售模擬和嵌入式處理芯片，用于工業(yè)、汽車、個(gè)人電子產(chǎn)品、通信設(shè)備和企業(yè)系統(tǒng)等市場(chǎng)。我們致力于通過(guò)半導(dǎo)體技術(shù)讓電子產(chǎn)品更經(jīng)濟(jì)實(shí)用，創(chuàng)造一個(gè)更美好的世界。如今，每一代創(chuàng)新都建立在上一代創(chuàng)新的基礎(chǔ)之上，使我們的技術(shù)變得更小巧、更快速、更可靠、更實(shí)惠，從而實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，這就是工程的進(jìn)步。這正是我們數(shù)十年來(lái)乃至現(xiàn)在一直在做的事。

審核編輯 黃宇