IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測(cè)試也變的尤為重要，其中動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是IGBT芯片測(cè)試一項(xiàng)重要內(nèi)容，主要參數(shù)有開(kāi)關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。

IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)

IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開(kāi)關(guān)性能的重要依據(jù)，其動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)主要有：

1. 開(kāi)通特性

開(kāi)通時(shí)間T(on)：是開(kāi)通延時(shí)時(shí)間Td(on)和上升時(shí)間Tr之和。

開(kāi)通延時(shí)時(shí)間Td(on)：指從柵極電壓正偏壓的10%開(kāi)始到集電極電流上升至最終值的10%為止的一段時(shí)間。

上升時(shí)間Tr：開(kāi)通時(shí)，集電極電流上升至10%到集電極電流上升至最終值的90%為止的時(shí)間。

開(kāi)通損耗E(on)：指開(kāi)通過(guò)程中電壓、電流乘積在某一時(shí)間段內(nèi)的積分。

2. 關(guān)斷特性

關(guān)斷時(shí)間T(off)：是關(guān)斷延時(shí)時(shí)間與下降時(shí)間之和。

關(guān)斷延時(shí)時(shí)間Td(off)：從柵極電壓下降至其開(kāi)通值的90%開(kāi)始到集電極電流下降到開(kāi)通值的90%為止的一段時(shí)間。

下降時(shí)間Tf：關(guān)斷時(shí)，集電極電流從開(kāi)通值的90%下降到10%之間的時(shí)間。

關(guān)斷損耗E(off)：關(guān)斷過(guò)程中電壓、電流乘積在某一時(shí)間段內(nèi)積分。

3. 二極管恢復(fù)特性

反向恢復(fù)時(shí)間Trr：指反并聯(lián)二極管的電流從第一次0點(diǎn)到反向最大值再回到0點(diǎn)的這段時(shí)間。

反向恢復(fù)電流Irr：指反并聯(lián)二極管從通態(tài)向阻斷轉(zhuǎn)換的過(guò)程中，電流反向達(dá)到的最大電流值。

反向恢復(fù)di/dt：是反并聯(lián)二極管正向電流的50%到第一次降到0點(diǎn)這一段的電流斜率。

反向恢復(fù)電荷Qrr：是反并聯(lián)二極管的電流從第一次0點(diǎn)到第二次0點(diǎn)這段時(shí)間內(nèi)的電荷量。

4. 柵極電阻

柵極電阻的大小直接影響著開(kāi)關(guān)速度，從而會(huì)影響到IGBT芯片的開(kāi)關(guān)損耗。柵極電阻包括：

內(nèi)部柵極電阻(RGint)：內(nèi)部柵極電阻是為了實(shí)現(xiàn)模塊內(nèi)部IGBT芯片的均流。它是單獨(dú)柵極電阻并聯(lián)之后的值。

外部柵極電阻(RGext)：包括開(kāi)通電阻(Rgon)和關(guān)斷電阻(Rgoff)。一般通過(guò)不同的充放電回路來(lái)設(shè)置不同的Rgon和Rgoff。

5. 寄生電容

寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性，它是影響IGBT芯片動(dòng)態(tài)性能的重要因素。

6. 柵極電荷(Qg)

柵極電荷在實(shí)際設(shè)計(jì)中依賴于柵極電壓的擺動(dòng)幅度。

ATECLOUD-IC電源測(cè)試系統(tǒng)方案界面

動(dòng)態(tài)測(cè)試是IGBT芯片測(cè)試中一項(xiàng)重要測(cè)試內(nèi)容，而納米軟件ATECLOUD-IC芯片測(cè)試系統(tǒng)是一款自動(dòng)化測(cè)試軟件，在IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試中可以解放人力，提高測(cè)試速度和效率，并且也會(huì)提升測(cè)試數(shù)據(jù)的精準(zhǔn)度。該系統(tǒng)支持批量測(cè)試功能和數(shù)據(jù)洞察功能，自動(dòng)匯總數(shù)據(jù)并對(duì)其進(jìn)行智能分析，圖表數(shù)據(jù)展現(xiàn)形式可以幫助用戶更清晰地觀察數(shù)據(jù)變化情況。并且用戶也可以選擇自己想要地報(bào)告模板，自定義數(shù)據(jù)報(bào)告，一鍵生成并導(dǎo)出。

審核編輯 黃宇