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突發(fā),傳臺(tái)積電下調(diào)資本支出

芯片半導(dǎo)體 ? 來源:經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào) ? 2023-10-17 16:42 ? 次閱讀
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臺(tái)積電舉行法說會(huì)前夕,市場(chǎng)傳出,受英特爾3納米外包延后,及美國(guó)新廠4納米量產(chǎn)時(shí)程遞延影響,恐下修今年資本支出目標(biāo),由原訂接近320億美元至360億美元(約新臺(tái)幣1.02兆元至1.15兆元)下緣低標(biāo)區(qū)間,降至低于300億美元(約新臺(tái)幣9,600億元),為近三年低點(diǎn)。

臺(tái)積電本周四將舉行法說會(huì),目前正值法說會(huì)前緘默期,臺(tái)積電昨(16)日無評(píng)論。據(jù)了解,即便臺(tái)積電可能修正今年資本支出,外界預(yù)期全年研發(fā)費(fèi)用不減反增,持續(xù)投入先進(jìn)研發(fā)。

臺(tái)積電昨日股價(jià)收545元,跌8元,跌幅1.45%,外資賣超7,099張,終止連四買。臺(tái)積電周一ADR早盤漲約1%。

臺(tái)積電近年資本支出高速擴(kuò)張,去年攀上新高363億美元;今年上半年實(shí)際資本支出為181.1億美元,包含第2季資本支出81.7億美元,較第1季99.4億美元略減。

臺(tái)積電在7月法說會(huì)上提到,今年資本支出維持原訂320億美元至360億美元區(qū)間,惟考量市況變化,全年實(shí)際支出約在下緣低標(biāo)區(qū)間。

最新消息傳出,受英特爾3納米外包延后,及美國(guó)新廠4納米量產(chǎn)時(shí)程遞延影響,臺(tái)積電原訂用于今年的資本支出中,有約40億美元將遞延至明年才會(huì)執(zhí)行,使得今年資本支出將低于300億美元。至于明年資本支出,也可能維持與今年相當(dāng)。

全球半導(dǎo)體微影設(shè)備龍頭艾司摩爾(ASML)先前在7月財(cái)報(bào)會(huì)議上透露,部分用于先進(jìn)制程的極紫外光(EUV)設(shè)備出貨因?yàn)榭蛻艄S安裝延遲而有遞延狀況,但艾司摩爾在手訂單仍穩(wěn)健,預(yù)期2024年整體業(yè)績(jī)將持續(xù)成長(zhǎng)。

業(yè)界認(rèn)為,當(dāng)時(shí)艾司摩爾所言「工廠安裝延遲」的客戶,就是臺(tái)積電,也因?yàn)闃O紫外光設(shè)備延后到位,使得臺(tái)積電今年資本支出同步遞延實(shí)行。

業(yè)界人士分析,若以臺(tái)積電先前釋出今年資本支出落于320億美元至360億美元區(qū)間下緣來看,扣除上半年實(shí)際支出費(fèi)用,下半年資本支出將較上半年下滑、估約138.9億美元起跳,一旦遞延傳聞成真,下半年資本支出恐跌破百億美元。

臺(tái)積電2022年曾二度下修資本支出,從一開始規(guī)劃400億美元至440億美元,降為360億美元,最后當(dāng)年度結(jié)算實(shí)際資本支出約363億美元,仍創(chuàng)新高。一旦今年資本支出修正至300億美元以下,將下探三年來低點(diǎn)。

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原文標(biāo)題:突發(fā),傳臺(tái)積電下調(diào)資本支出

文章出處:【微信號(hào):TenOne_TSMC,微信公眾號(hào):芯片半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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