91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

3D-IC 設(shè)計(jì)之 Memory-on-Logic 堆疊實(shí)現(xiàn)流程

jf_pJlTbmA9 ? 來源:柏嘉瑋 ? 作者:柏嘉瑋 ? 2023-12-01 16:53 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

本文作者:柏嘉瑋,Cadence 公司 DSG Product Engineering Group

Integrity 3D-IC 平臺

提供了一系列三維堆疊設(shè)計(jì)流程,通過將二維芯片網(wǎng)表分解成雙層的三維堆疊結(jié)構(gòu),用戶可以探索三維堆疊裸片系統(tǒng)相對于傳統(tǒng)二維設(shè)計(jì)的性能優(yōu)勢,改善內(nèi)存延遲,實(shí)現(xiàn)性能突破。

從二維設(shè)計(jì)中分離出存儲單元,并自動將其劃分為兩個工藝層,上層放置存儲單元 Macro Cells,下層放置邏輯運(yùn)算單元 Standard Cells。該流程可以實(shí)現(xiàn)兩個裸片同時(shí)進(jìn)行的時(shí)序驅(qū)動單元擺放。用戶還可以進(jìn)一步運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)現(xiàn)步驟,如時(shí)鐘樹綜合、時(shí)序優(yōu)化、布線等,將其作為傳統(tǒng)布局布線流程來完成三維堆疊設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。

今天我們來介紹 Integrity 3D-IC 的特色功能之一:

Memory-on-Logic 三維芯片堆疊設(shè)計(jì)流程

What is Memory-on-Logic?

Memory 指的是記憶存儲單元;Logic 指的是運(yùn)算單元或處理單元。

Memory-on-logic(MoL)堆疊顧名思義,就是將存儲單元通過三維堆疊的設(shè)計(jì)方式,放置在運(yùn)算單元所在裸片的上層裸片中,從而實(shí)現(xiàn)三維集成電路的三維堆疊結(jié)構(gòu)。

Why is Memory-on-Logic?

我們現(xiàn)在正處于高速發(fā)展的人工智能時(shí)代,對計(jì)算機(jī)算力的需求日益旺盛,同時(shí)也對相關(guān)的集成電路芯片提出了更高的性能要求。

然而算力需求的快速增長和有限的算力提升速度形成了尖銳的矛盾,其具體表現(xiàn)在兩個方面:一是如今的摩爾定律越來越難以維系,器件尺寸微縮越來越困難;二個是現(xiàn)有的計(jì)算機(jī)架構(gòu)——馮諾依曼存算分離架構(gòu)的缺陷開始凸顯,出現(xiàn)了所謂的內(nèi)存墻限制(Memory Wall Limitation)。

MoL 三維堆疊結(jié)構(gòu)為上述瓶頸提供了解決思路。對于后摩爾時(shí)代背景下的工藝瓶頸,三維堆疊可以有效提升單位投影面積中晶體管的數(shù)目,3D-IC 從方法學(xué)角度提供了一種延續(xù)摩爾定律的可能;對于存算分離所引起的內(nèi)存墻限制,通過把存儲單元通過三維堆疊放置到邏輯運(yùn)算單元的正上方,盡可能縮短數(shù)據(jù)傳輸距離,從而進(jìn)一步提升芯片性能,降低數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓?。此外,通過 3D-IC Memory-on-Logic 結(jié)構(gòu)還可以對上下裸片采用不同的工藝制程,從而降低整體芯片的制造成本。

How to do Memory-on-Logic?

后端實(shí)現(xiàn)流程如下圖所示,對比傳統(tǒng)二維芯片,三維 MoL 芯片基于 3D-IC 專用物理后端實(shí)現(xiàn)平臺——Integrity 3D-IC,從 floorplan 階段開始就加入 3D-IC 的設(shè)計(jì)方法,通過 3D Mixed Placer 引擎同時(shí)進(jìn)行 Macro Cells 和 Standard Cells 的自動布局,建立 Pseudo-3D 時(shí)序收斂流程,從而實(shí)現(xiàn) 3D-IC MoL 的迭代優(yōu)化、時(shí)鐘樹綜合、自動繞線等步驟,在簽核階段還可以通過 Integrity 3D-IC 平臺來調(diào)用各類 Signoff 工具實(shí)現(xiàn)各項(xiàng)簽核。

wKgaomVdipyAQ5FxAAbQ2Q_qnXs558.png

1. 3D Mixed Placement

規(guī)劃 Floorplan 是傳統(tǒng)數(shù)字后端實(shí)現(xiàn)流程早期的一個重要階段,主要目標(biāo)之一便是 Macro Cells 的放置。傳統(tǒng) Floorplan 的規(guī)劃需要經(jīng)過設(shè)計(jì)工程師多次的設(shè)計(jì)迭代,從而獲得一個互連線長盡量短、時(shí)序盡量收斂的 Floorplan 以供之后階段進(jìn)行自動布局布線。如今,采用 Mixed Placement 實(shí)現(xiàn)流程,Macro Cells 和 Standard Cells 通過由擁塞、互連線長和時(shí)序驅(qū)動的 Mixed Placer 引擎同時(shí)進(jìn)行放置,與傳統(tǒng)流程相比,Mixed Placement 可以大量減少設(shè)計(jì)工程師的手動工作量,從而實(shí)現(xiàn)更短的項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)時(shí)間,并達(dá)到相當(dāng)甚至更好的性能質(zhì)量。而在最新的 Integrity 3D-IC 實(shí)現(xiàn)平臺,Mixed Placement 功能可以完美繼承到 3D-IC MoL 實(shí)現(xiàn)流程中,在進(jìn)行 3D-IC Placement 的過程中幫助工程師用盡可能短的時(shí)間,獲得滿足要求的 Floorplan。3D-IC MoL Mixed Placement 引擎同樣由時(shí)序驅(qū)動,同時(shí)擺放 Macro Cells 和 Standard Cells,同時(shí)如圖中所示,還能支持在上層裸片中 80% 以上的高密度放置。

wKgZomVdip6AaEtpACEmbgxNbwU702.png

2. Pseudo-3D Timing Closure Flow

在完成初步的 3D-IC MoL Floorplan 之后,可以在 Integrity 3D-IC 平臺中通過命令來建立 Pseudo-3D 時(shí)序收斂流程,完成 3D-IC MoL 的版圖實(shí)現(xiàn)。主要分為 3D 層次化結(jié)構(gòu)的重建、Bump 物理位置分配、Pseudo-3D 自動布局布線、以及 3D-IC 數(shù)據(jù)庫的建立。

01. 重建 3D 層次化結(jié)構(gòu)

相較于傳統(tǒng)芯片的設(shè)計(jì),3D-IC 設(shè)計(jì)的層次化結(jié)構(gòu)的不同是顯而易見的。3D-IC 設(shè)計(jì)由于會將芯片分為上下兩個裸片—— Top Die 和 Bottom Die,天生就需要建立兩個單元模塊。工具會根據(jù)用戶的設(shè)定,建立兩個新的 Top-Level hInsts,隨后將所有設(shè)計(jì)中的 Macro Cells 歸入 Top hInst 中;剩下所有的 Standard Cells,在保留原有的層次化結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,全部歸入Bottom hInst 中,其下級可繼承保持原始設(shè)計(jì)中的所有層次化結(jié)構(gòu)。

02. 分配 Bump 物理位置

從結(jié)構(gòu)層面上實(shí)現(xiàn)三維分組之后,三維堆疊的互連問題也必須考慮。為了將上下裸片連接起來,最常用的方式是在頂部金屬層上通過微米量級尺寸的 Micro Bump 實(shí)現(xiàn)上下層“面對面”(Face-to-Face)的堆疊連接,由此實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)和電源電信號跨層傳輸。在 Pseudo-3D 流程中,所選用的 Bump Cells 的物理位置需要在做實(shí)際繞線之前就固定好,并記錄其坐標(biāo)信息。設(shè)計(jì)者不需要手動分配規(guī)劃 Bump 的位置,Integrity 3D-IC 可以自動地將 Bump 邏輯連接關(guān)系插入跨層的時(shí)序路徑中,并能根據(jù)設(shè)計(jì)師提供的 Floorplan 中單元的已有位置,同時(shí)在上下兩個裸片上,智能地分配和優(yōu)化 Bump Cells 的物理位置,做到高效的流程,自動的實(shí)現(xiàn),智能的優(yōu)化。

wKgaomVdip-AVNYsAAPPfkMORkg971.png

03. Pseudo-3D 自動布局布線

工作準(zhǔn)備就緒后,我們就可以利用帶有 Bump Cells 信息的 Pseudo-3D Floorplan 進(jìn)行自動布局布線,Integrity 3D-IC 平臺可以調(diào)用各種相應(yīng)的傳統(tǒng)二維布局布線引擎,完成 Placement、CTS、Routing 以及相應(yīng)的設(shè)計(jì)優(yōu)化。同時(shí),Integrity 3D-IC 也可以支持跨層的時(shí)序路徑的報(bào)告分析,支持顯示例化單元 Instances 和路徑所在的結(jié)構(gòu)層級,幫助工程師完成靜態(tài)時(shí)序分析。此外,Integrity 3D-IC 還支持跨層路徑的并行時(shí)序優(yōu)化,確保 3D-IC 設(shè)計(jì)的時(shí)序收斂。

wKgaomVdiqGADPoKAAF1Egl0_P8910.jpg

04. 建立 3D-IC 數(shù)據(jù)庫

最后一步,根據(jù)優(yōu)化后的自動布局布線結(jié)果,建立 3D-IC 專用數(shù)據(jù)庫——Hierarchical Database(HDB)。這個數(shù)據(jù)庫中就包含了包括整個設(shè)計(jì)的工藝庫信息,3D-IC 的堆疊信息,Bump 坐標(biāo)信息,物理布局布線等設(shè)計(jì)信息等等。在通過Integrity 3D-IC 創(chuàng)建好用以明確 3D-IC 的堆疊對應(yīng)信息的 Stacked Config 文件之后,需要將完成了布局布線的 pseudo-3D 數(shù)據(jù)庫進(jìn)行 Partition 拆分操作,將它按照上下裸片拆分成兩個數(shù)據(jù)庫,即 Top Die Database 和 Bottom Die Database。

wKgaomVdiqWAAukMAA1ZSqZEXbs661.png

將這兩個完成 Partition 拆分的數(shù)據(jù)庫以及 Stacked Config 文件讀入 Integrity 3D-IC 中,合成創(chuàng)建 HDB 數(shù)據(jù)庫。在 Integrity 3D-IC 平臺中加載此數(shù)據(jù)庫,就可以實(shí)現(xiàn) 3D-IC 設(shè)計(jì)的查看,包括可以實(shí)現(xiàn)在工具中上下兩層 Floorplan 視圖的切換,觀察每層中的單元擺放、繞線等后端實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié);也可以對包含三維堆疊信息的整體 3D Floorplan 視圖進(jìn)行直接查看;此外傳統(tǒng)的時(shí)序調(diào)試器(Timing Debugger)也支持在 3D-IC HDB 中高亮跨層的時(shí)序路徑,幫助工程師完成時(shí)序檢查和設(shè)計(jì)調(diào)整,也可以進(jìn)一步調(diào)用其他 Signoff 工具,完成后續(xù)簽核工作。

存算一體和近存計(jì)算是解決 CPU / GPU / NPU 總線和大規(guī)模片上網(wǎng)絡(luò)擁塞的有效手段。

通過 Integrity 3D-IC 特有的內(nèi)存單元邏輯單元三維布局優(yōu)化,芯片設(shè)計(jì)師可以更容易的實(shí)現(xiàn)高性能高帶寬的系統(tǒng)設(shè)計(jì),從而或者縮小原有系統(tǒng)封裝面積或者進(jìn)一步提高原有系統(tǒng) PPA。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    463

    文章

    54025

    瀏覽量

    466395
  • 堆疊
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    37

    瀏覽量

    17061
  • 數(shù)據(jù)庫
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    4020

    瀏覽量

    68373
  • Logic
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    97

    瀏覽量

    48045
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    3D堆疊到二維材料:2026年芯片技術(shù)全面突破物理極限

    2026年半導(dǎo)體行業(yè)跨越物理極限:3D堆疊芯片性能提升300%,二維材料量產(chǎn)為1納米工藝鋪路。探討芯片技術(shù)在算力、能耗與全球化合作中的關(guān)鍵進(jìn)展。
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:49 ?264次閱讀

    西門子Innovator3D IC異構(gòu)集成平臺解決方案

    Innovator3D IC 使用全新的半導(dǎo)體封裝 2.5D3D 技術(shù)平臺與基底,為 ASIC 和小芯片的規(guī)劃和異構(gòu)集成提供了更快和更可預(yù)測的路徑。
    的頭像 發(fā)表于 01-19 15:02 ?340次閱讀
    西門子Innovator<b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>IC</b>異構(gòu)集成平臺解決方案

    探秘KyOCERA AVX KGP系列堆疊電容器:高頻應(yīng)用的理想

    探秘KyOCERA AVX KGP系列堆疊電容器:高頻應(yīng)用的理想選 在電子工程師的設(shè)計(jì)生涯中,選擇合適的電容器至關(guān)重要。今天,我們將深入探討KyOCERA AVX的KGP系列堆疊電容器,它專為高頻
    的頭像 發(fā)表于 12-30 10:15 ?476次閱讀

    簡單認(rèn)識3D SOI集成電路技術(shù)

    在半導(dǎo)體技術(shù)邁向“后摩爾時(shí)代”的進(jìn)程中,3D集成電路(3D IC)憑借垂直堆疊架構(gòu)突破平面縮放限制,成為提升性能與功能密度的核心路徑。
    的頭像 發(fā)表于 12-26 15:22 ?609次閱讀
    簡單認(rèn)識<b class='flag-5'>3D</b> SOI集成電路技術(shù)

    一文掌握3D IC設(shè)計(jì)中的多物理場效應(yīng)

    EDA半導(dǎo)體行業(yè)正處在一個關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn),摩爾定律的極限推動著向三維集成電路(3D IC)技術(shù)的轉(zhuǎn)型。通過垂直集成多個芯粒,3D IC 在性能、功能性和能效方面
    的頭像 發(fā)表于 12-19 09:12 ?572次閱讀
    一文掌握<b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>IC</b>設(shè)計(jì)中的多物理場效應(yīng)

    AI重塑EDA,3D-IC成關(guān)鍵戰(zhàn)場:Cadence的洞察與應(yīng)變

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)當(dāng)摩爾定律逼近物理極限,3D-IC成為延續(xù)算力指數(shù)級增長的新選擇;當(dāng)大模型發(fā)展一日千里,AI開始反向定義芯片設(shè)計(jì)與需求。兩條技術(shù)曲線在同一時(shí)空交匯,EDA工具鏈的智能化
    的頭像 發(fā)表于 11-27 08:51 ?7480次閱讀

    半導(dǎo)體“HBM和3D Stacked Memory”技術(shù)的詳解

    3D Stacked Memory是“技術(shù)方法”,而HBM是“用這種方法解決特定問題的產(chǎn)品”。
    的頭像 發(fā)表于 11-07 19:39 ?6161次閱讀
    半導(dǎo)體“HBM和<b class='flag-5'>3D</b> Stacked <b class='flag-5'>Memory</b>”技術(shù)的詳解

    西門子EDA重塑3D IC設(shè)計(jì):突破高效協(xié)同、可靠驗(yàn)證、散熱及應(yīng)力管理多重門

    上進(jìn)行堆疊,極大地提高了芯片的集成度和性能,成為未來集成電路產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展方向。然而,3D IC在設(shè)計(jì)過程中也面臨著諸多技術(shù)挑戰(zhàn)。 高效協(xié)同平臺, 重塑異構(gòu)復(fù)雜設(shè)計(jì)范式 3D
    的頭像 發(fā)表于 10-23 14:32 ?6069次閱讀
    西門子EDA重塑<b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>IC</b>設(shè)計(jì):突破高效協(xié)同、可靠驗(yàn)證、散熱及應(yīng)力管理多重門

    Cadence AI芯片與3D-IC設(shè)計(jì)流程支持臺積公司N2和A16工藝技術(shù)

    上市周期,以滿足 AI 和 HPC 客戶的應(yīng)用需求。Cadence 與臺積公司在 AI 驅(qū)動的 EDA、3D-IC、IP 及光子學(xué)等領(lǐng)域展開了緊密合作,推出全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體產(chǎn)品。
    的頭像 發(fā)表于 10-13 13:37 ?2285次閱讀

    Socionext推出3D芯片堆疊與5.5D封裝技術(shù)

    3D及5.5D的先進(jìn)封裝技術(shù)組合與強(qiáng)大的SoC設(shè)計(jì)能力,Socionext將提供高性能、高品質(zhì)的解決方案,助力客戶實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新并推動其業(yè)務(wù)增長。
    的頭像 發(fā)表于 09-24 11:09 ?2644次閱讀
    Socionext推出<b class='flag-5'>3D</b>芯片<b class='flag-5'>堆疊</b>與5.5<b class='flag-5'>D</b>封裝技術(shù)

    上海立芯亮相第五屆RISC-V中國峰會

    上海立芯軟件科技有限公司的四款核心產(chǎn)品——LeCompiler(數(shù)字設(shè)計(jì)全流程平臺)、LePI(電源完整性平臺)、LePV(物理驗(yàn)證與簽核平臺)及Le3DIC(3D-IC設(shè)計(jì)平臺解決方案)一經(jīng)亮相
    的頭像 發(fā)表于 07-26 10:42 ?1225次閱讀

    西門子利用AI來縮小行業(yè)的IC驗(yàn)證生產(chǎn)率差距

    工智能相結(jié)合,突破了集成電路(IC)驗(yàn)證流程的極限,提高了工程團(tuán)隊(duì)的生產(chǎn)效率。 Questa One提供更快的引擎,使工程師的工作速度更快,所需的工作負(fù)載更少,能夠支持從IP到系統(tǒng)級芯片(SoC)再到系統(tǒng)的最大型、最復(fù)雜的設(shè)計(jì),開發(fā)時(shí)還考慮了先進(jìn)的
    的頭像 發(fā)表于 05-27 14:34 ?574次閱讀

    Cadence攜手臺積公司,推出經(jīng)過其A16和N2P工藝技術(shù)認(rèn)證的設(shè)計(jì)解決方案,推動 AI 和 3D-IC芯片設(shè)計(jì)發(fā)展

    :CDNS)近日宣布進(jìn)一步深化與臺積公司的長期合作,利用經(jīng)過認(rèn)證的設(shè)計(jì)流程、經(jīng)過硅驗(yàn)證的 IP 和持續(xù)的技術(shù)協(xié)作,加速 3D-IC 和先進(jìn)節(jié)點(diǎn)技術(shù)的芯片開發(fā)進(jìn)程。作為臺積公司 N2P、N5 和 N3 工藝節(jié)點(diǎn)
    的頭像 發(fā)表于 05-23 16:40 ?1874次閱讀

    芯片晶圓堆疊過程中的邊緣缺陷修整

    視為堆疊邏輯與內(nèi)存、3D NAND,甚至可能在高帶寬存儲(HBM)中的多層DRAM堆疊的關(guān)鍵技術(shù)。垂直堆疊使得芯片制造商能夠?qū)⒒ミB間距從35μm的銅微凸點(diǎn)提升到10μm甚至更小。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 11:24 ?1611次閱讀
    芯片晶圓<b class='flag-5'>堆疊</b>過程中的邊緣缺陷修整

    西門子Innovator3D IC平臺榮獲3D InCites技術(shù)賦能獎

    此前,2025年33日至6日,第二十一屆年度設(shè)備封裝會議(Annual Device Packaging Conference,簡稱DPC 2025)在美國亞利桑那州鳳凰城成功舉辦。會上,西門子 Innovator3D
    的頭像 發(fā)表于 03-11 14:11 ?1569次閱讀
    西門子Innovator<b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>IC</b>平臺榮獲<b class='flag-5'>3D</b> InCites技術(shù)賦能獎