日前，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)面向中高端移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)，正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品，成為國(guó)內(nèi)首家推出自主研發(fā)生產(chǎn)的LPDDR5產(chǎn)品的品牌，不僅進(jìn)一步完善長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM芯片的產(chǎn)品布局，更實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)市場(chǎng)LPDDR5產(chǎn)品零的突破。

據(jù)介紹，長(zhǎng)鑫的LPDDR5系列產(chǎn)品包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。

其中，12GB LPDDR5芯片目前已在國(guó)內(nèi)主流手機(jī)廠商小米、傳音等品牌機(jī)型上完成驗(yàn)證。

LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。與上一代LPDDR4X相比，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達(dá)到12Gb和6400Mbps，同時(shí)功耗降低30%。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5芯片加入了強(qiáng)大的RAS功能，通過(guò)內(nèi)置糾錯(cuò)碼（On-die ECC）等技術(shù)，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)糾錯(cuò)，減少系統(tǒng)故障，確保數(shù)據(jù)安全，增強(qiáng)穩(wěn)定性。

據(jù)悉，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)LPDDR5芯片將面向筆記本電腦、智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備應(yīng)用。

LPDDR全稱為L(zhǎng)wo Power Double Data Rate，簡(jiǎn)稱“低功耗內(nèi)存”，是美國(guó)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)面向低功耗內(nèi)存所指定的通信標(biāo)準(zhǔn)，以低功耗和小體積著稱，專門(mén)用于移動(dòng)式電子產(chǎn)品。

而LPDDR5就是最新的標(biāo)準(zhǔn)。美國(guó)固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)把LPDDR5標(biāo)準(zhǔn)命名為JESD209-5，規(guī)定了LPDDR5將以6400MT/S的速度運(yùn)行，是LPDDR4速度的兩倍，比LPDDR4X的4266MT/S快了50%。

LPDDR5有三大優(yōu)勢(shì)，分別是多Bank Group架構(gòu)，速率跨越式升級(jí)最多可達(dá)50%性能優(yōu)勢(shì)提升和超低功耗。

相比之下，LPDDR4X只支持Single Bank Group，而LPDDR5支持多Bank Group模式，這里可以理解為數(shù)據(jù)可以多通道傳輸，從而進(jìn)一步提升了傳輸數(shù)據(jù)帶寬。也正是因?yàn)锽ank Group模式，從LPDDR4X的4226MT/S的傳輸速率提升至了5500MT/S，傳輸帶寬從34GB/S提升至了44GB/S。

同時(shí)LPDDR5內(nèi)部有三組電壓，VDD1/VDD2/VDDQ，其中VDD2又分為VDD2H和VDD2L，相比LPDDR4X，LPDDR5的VDD2H由1.1V降至1.05V，VDDQ由0.6V降至0.5V，另外還有新加入的DVFSC和DVFSQ功能，可在低速工作時(shí)切換至更低的0.9V和0.3V電壓，因此，LPDDR5的功耗會(huì)更低。正是因?yàn)檫@樣，所以功耗相比前一代產(chǎn)品，功耗下降了2成以上。

SK海力士近日表示，存儲(chǔ)行業(yè)正邁入全面復(fù)蘇階段，預(yù)計(jì)所有應(yīng)用的出貨量都有望實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。

其中智能手機(jī)方面，伴隨部分換機(jī)周期來(lái)臨，2024年智能手機(jī)出貨量預(yù)計(jì)增長(zhǎng)5%。由于今年下半年新機(jī)發(fā)售加上旗艦產(chǎn)品組合增加，LPDDR5需求會(huì)持續(xù)加速。