電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，日前，受到存儲芯片結構性調整帶來的部分產(chǎn)品缺貨漲價的影響，以及出于優(yōu)化能耗的考慮等，一些芯片廠商已經(jīng)開始轉向新的存儲產(chǎn)品例如LPDDR5/5X的遷移。包括英偉達、瑞芯微等廠商都發(fā)布了相關切換舉措。

瑞芯微RK3588適配長鑫存儲LPDDR5系列芯片

由于DDR4、LPDDR4 等前代產(chǎn)品的供應鏈緊張態(tài)勢難以緩解，瑞芯微自 2021 年起便啟動 LPDDR5/5X 顆粒適配工作，歷經(jīng)近五年技術沉淀與實踐驗證，已積累豐富的產(chǎn)品化經(jīng)驗。瑞芯微表示，在當前的存儲市場背景下，RK3588和RK3576依然是客戶面向未來的最優(yōu)SoC 選擇。

長鑫存儲作為國內DRAM產(chǎn)業(yè)的領軍企業(yè)，其技術迭代進度與產(chǎn)能釋放節(jié)奏對下游應用生態(tài)構建具有關鍵支撐作用。其LPDDR5系列芯片的推出，為國內AIoT產(chǎn)業(yè)核心部件的自主化供應提供了強有力保障。

近年來，瑞芯微已完成對長鑫存儲DDR4/LPDDR4/LPDDR4X/LPDDR5/LPDDR5X 顆粒的全面兼容性驗證與適配優(yōu)化，實現(xiàn)技術協(xié)同落地。相關LPDDR5顆粒型號如下：
瑞芯微已經(jīng)正式開放RK3588與RK3576系列的LPDDR5/5X方案模板，助力客戶加速產(chǎn)品設計轉型，從容應對市場供應鏈變化。
方案模板中包含的245球（12.5x8.3mm）LPDDR5/5X封裝為新增行業(yè)標準。相較于傳統(tǒng)315球（12.4x15mm）封裝，其面積縮減近50%。智能手機市場轉向分離式存儲設計過程中，該封裝方案已呈現(xiàn)明顯選型偏好。為應對后續(xù)存儲市場波動、拓寬供應渠道，瑞芯微已提前完成該封裝類型的適配開發(fā)工作。

未來，瑞芯微將持續(xù)跟蹤全球存儲市場動態(tài)，深化與長鑫存儲等國產(chǎn)存儲廠商的技術協(xié)同與生態(tài)融合，為AIoT終端客戶提供性能、供應鏈穩(wěn)定性與成本控制三者兼顧的優(yōu)質解決方案。

英偉達AI服務器DDR5轉LPPDR5X

近日，市場研究機構Counterpoint Research發(fā)布報告稱，英偉達近期決定將AI服務器的內存芯片從傳統(tǒng)服務器使用的DDR5轉向通常用于手機和平板電腦的低功耗LPDDR芯片，以降低服務器能耗成本。

報告中指出，英偉達此次技術路線調整將對內存供應鏈造成"地震式"沖擊。該公司原本采用DDR5內存芯片用于AI服務器，但近期決定轉向LPDDR低功耗內存芯片。

分析指出，服務器內存價格上漲將提高云服務提供商和AI開發(fā)商的成本，進一步加大數(shù)據(jù)中心預算壓力。目前這些企業(yè)已因圖形處理器和電力升級的創(chuàng)紀錄支出而面臨財務緊張。Counterpoint預計，2025年第一季度至2026年底，服務器內存芯片DDR5 64GB RDIMM DRAM模塊價格將上漲一倍。這一價格上漲將直接推高云服務提供商和AI開發(fā)商的運營成本。

不過，Counterpoint表示，目前的供應鏈尚未做好應對這一規(guī)模需求的準備。低端市場的供應緊張存在向上傳導的風險。芯片制造商目前正權衡是否將更多工廠產(chǎn)能轉向LPDDR生產(chǎn)以滿足英偉達的需求，這可能進一步加劇其他內存產(chǎn)品的供應緊張。

閃存市場指出，英偉達在其AI服務器中搭載LPDDR5X的SOCAMM2模塊應用中將引入更多供應商，而高頻率高容量的LPDDR5X/D5同樣需要采用1bnm等先進DRAM制程。因此，2026年存儲原廠將繼續(xù)縮減1znm制程供應，加速轉向1b/1cnm、1γ等先進DRAM制程，以滿足AI服務器市場的新增存儲需求。

SOCAMM技術定位為面向AI服務器的新型高帶寬、低功耗內存解決方案，其設計目標是在提供與HBM（高帶寬內存）相近性能的同時，有效降低成本。通過將LPDRAM與壓縮連接內存模塊 (CAMM) 搭配使用，以革命性的全新外形尺寸提供卓越的性能和能效，相比傳統(tǒng)的DDR5 RDIMM 配置更節(jié)省空間，且功耗低三分之一。

美光對 LPDDR5X 內存（通過 NVLink 與 NVIDIA GH200 Grace Hopper Superchip 連接）和傳統(tǒng) DDR5 內存（在 x86 系統(tǒng)上通過 PCIe 與 Hopper GPU 連接）進行了對比測試，結果表明，LPDDR5X 內存可實現(xiàn)至關重要的性能提升。在使用 Meta Llama3 70B 測試推理性能時，低功耗內存系統(tǒng)相比傳統(tǒng)內存的表現(xiàn)，推理吞吐量提高 4 倍，延遲降低近 80%，能耗降低 73%。

隨著 AI 的發(fā)展，對數(shù)據(jù)中心內部計算和內存的需求越來越高，類似 LPDDR5X 之類的先進內存技術正在助力數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)可持續(xù)計算，使數(shù)據(jù)中心的運營更有效率。低功耗內存可加速推理等 AI 任務的性能，同時減少用電量，使數(shù)據(jù)中心能以更低成本完成更多工作。低功耗內存的使用實踐表明，未來的 AI 應用可以是節(jié)能型應用。

Q4 LPDDR預估

閃存市場發(fā)布2025年Q4存儲市場展望報告指出，預計四季度，服務器eSSD漲幅將達到10%以上，DDR5 RDIMM價格漲幅約10%~15%；Mobile嵌入式NAND漲幅約5%~10%，LPDDR4X/5X漲幅約10%~15%；PC端LPDDR5X/D5價格漲幅預計將落在10%~15%，cSSD價格漲幅達5%~10%。

閃存市場表示，由于原廠產(chǎn)能持續(xù)向服務器市場傾斜，持續(xù)削減舊制程的LPDDR4X供應，同時部分9600MHz LPDDR5X供應與服務器DRAM產(chǎn)能沖突，嵌入式DRAM供應呈現(xiàn)明顯短缺的市況，LPDDR4X缺貨對部分手機品牌出貨造成實際影響。另外，消費端對12GB LPDDR5X機型的實際需求有所增加，近期手機廠商陸續(xù)加單12GB LPDDR5X，而原廠面向Mobile市場的LPDDR5X供應滿足率偏低，令LPDDR4X/5X價格保持漲價的趨勢，Tier1手機客戶LPDDR4X/5X ASP將超過$0.35/Gb，不排除部分DRAM原廠的LPDDR4X價格將超過LPDDR5X。

AI PC搭載的LPDDR5X與部分服務器DRAM形成產(chǎn)能擠占效應，原廠優(yōu)先保障服務器DDR5/LPDDR5X供應，推動DRAM資本支出和產(chǎn)能供應向高利潤的服務器 DRAM傾斜。PC DRAM整體供應有限下，預計四季度原廠對PC DDR5/LPDDR5X產(chǎn)品的價格漲幅將達到10%~15%。