據(jù)財聯(lián)社報道，韓國內(nèi)存半導體行業(yè)對本土產(chǎn)業(yè)的投資興趣增加，內(nèi)存半導體價格在2023年末持續(xù)攀高。業(yè)者們指出，陸續(xù)有消弭的儲存設(shè)備采購訂單正在逐漸回歸。

數(shù)據(jù)顯示，首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關(guān)設(shè)備的定單數(shù)量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產(chǎn)能力，并啟動大規(guī)模HBM設(shè)備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術(shù)轉(zhuǎn)移，進一步加大對DRAM的投資力度。

值得一提的是，向SK海力士提供蝕刻設(shè)備的APTC公司的前端工藝設(shè)備訂單量較去年明顯增加。最近，Chosun Biz報道NVIDIA預(yù)先支付了700億至1萬億韓元（約合5.4億至7.7億美元）予SK海力士及美光，預(yù)計此筆金額介于10.8億美元至15.4億美元之間。盡管未公開具體用途，業(yè)界猜測NVIDIA目的在于保證2024年HBM存儲器供應(yīng)穩(wěn)健，免除因新款AI、HPCGPU上市而出現(xiàn)儲備短缺問題。

據(jù)透露，三星、SK海力士和美光等存儲巨頭在未來一年的HBM儲存能力均已實現(xiàn)銷售告馨。依據(jù)目前的資訊，英偉達計劃推出配置HBM3E的產(chǎn)品——包括容量高達141GB的H200 GPU以及GH200超級芯片。這些產(chǎn)品備受矚目，因為 NVIDIA在人工智能和高性能計算方面保持著市場領(lǐng)導地位，因此大量HBM存儲對維持H200 GPU和GH200超級芯片的充足供應(yīng)至關(guān)重要。

面對市場需求增長，各大企業(yè)紛紛調(diào)整產(chǎn)品售價。臺灣電子時報消息，三星與美光兩大供應(yīng)商正籌謀在2024年第一季將DRAM芯片價格上調(diào)15％至20％。早前已有部分廠商接獲三星的漲價通知。然而，SK海力士早在去年10月就已經(jīng)宣布漲價，并計劃將由給廠家客戶的DRAM及NAND Flash芯片合約價上調(diào)10％至20％。