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SK海力士宣布量產(chǎn)HBM4芯片,引領(lǐng)AI存儲新變革

半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源:半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者:半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2025-09-16 17:31 ? 次閱讀
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人工智能AI)技術(shù)迅猛發(fā)展的當下,數(shù)據(jù)處理與存儲能力成為制約其進一步飛躍的關(guān)鍵因素。2025 年 9 月 12 日,韓國半導(dǎo)體巨頭 SK 海力士宣布,已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產(chǎn)品 HBM4 的開發(fā),并在全球首次構(gòu)建了量產(chǎn)體系,這一消息猶如一顆重磅炸彈,在半導(dǎo)體行業(yè)乃至整個科技領(lǐng)域激起千層浪。

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高帶寬存儲器(HBM)作為一種能夠?qū)崿F(xiàn)高速、寬帶寬數(shù)據(jù)傳輸?shù)南乱淮?DRAM 技術(shù),自誕生以來便備受矚目。其核心結(jié)構(gòu)是將多個 DRAM 芯片通過先進的封裝技術(shù)垂直堆疊在一起,這一獨特設(shè)計使其數(shù)據(jù)傳輸速率遠超傳統(tǒng)內(nèi)存,成為高性能計算,尤其是生成式 AI 所需 GPU 的理想內(nèi)存解決方案,能夠極大緩解數(shù)據(jù)吞吐的瓶頸,讓 GPU 等處理器高效運轉(zhuǎn)。從 2015 年 HBM 技術(shù)發(fā)布至今,已歷經(jīng)六代產(chǎn)品迭代,每一次升級都顯著提升了內(nèi)存的帶寬、容量、能效等關(guān)鍵指標,為高性能計算和人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入強大動力。

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SK 海力士此次推出的 HBM4,堪稱技術(shù)創(chuàng)新的結(jié)晶。與前一代產(chǎn)品 HBM3E 相比,HBM4 實現(xiàn)了全方位的性能躍升。在數(shù)據(jù)傳輸通道方面,其 I/O 從 1024 條提升至 2048 條,帶寬一舉擴大一倍,數(shù)據(jù)處理能力得到幾何倍數(shù)增長。運行速度上,HBM4 高達 10Gbps 以上,遠超 JEDEC 標準規(guī)定的 8Gbps,這意味著在單位時間內(nèi),它能夠處理海量的數(shù)據(jù),極大縮短了數(shù)據(jù)處理周期。在能效比上,HBM4 也提升了 40%,這對于數(shù)據(jù)中心而言意義非凡,不僅可顯著降低電力成本,還契合當下綠色節(jié)能的發(fā)展趨勢。SK 海力士預(yù)測,將 HBM4 引入客戶系統(tǒng)后,AI 服務(wù)性能最高可提升 69%,這將使 AI 訓(xùn)練和推理更快、更高效,為 AI 技術(shù)的突破提供堅實的硬件支撐。

在研發(fā) HBM4 的過程中,SK 海力士采用了多項前沿技術(shù)。自研的 MR - MUF 封裝技術(shù)是其中一大亮點,該技術(shù)在堆疊半導(dǎo)體芯片后,通過向芯片間隙注入液態(tài)保護材料并固化,有效保護層間電路。與逐層堆疊芯片時鋪設(shè)薄膜材料的傳統(tǒng)方式相比,MR - MUF 工藝效率更高,散熱效果也更為優(yōu)異,為 HBM4 的高性能和穩(wěn)定性提供了有力保障。同時,第五代 10 納米級(1b)DRAM 工藝的運用,進一步優(yōu)化了芯片的性能和制造精度。

HBM4 芯片的量產(chǎn),對 SK 海力士自身以及整個行業(yè)都具有深遠意義。從市場地位來看,SK 海力士在 HBM 產(chǎn)品市場占有率本就位列第一,此次率先量產(chǎn) HBM4,無疑將進一步鞏固其領(lǐng)先優(yōu)勢。憑借技術(shù)與量產(chǎn)時間上的雙重先發(fā)優(yōu)勢,SK 海力士有望在 AI 內(nèi)存市場收獲更為豐厚的利潤,并拓展更廣闊的市場空間。在行業(yè)發(fā)展層面,HBM4 的量產(chǎn)為 AI、深度學(xué)習和高性能計算等領(lǐng)域帶來了全新的發(fā)展機遇。當前,這些領(lǐng)域?qū)?shù)據(jù)處理速度和存儲容量的需求近乎 “貪婪”,HBM4 的出現(xiàn),恰如一場及時雨,能夠滿足不斷增長的算力需求,推動相關(guān)技術(shù)邁向新的發(fā)展階段。

值得注意的是,盡管 SK 海力士在 HBM4 量產(chǎn)上先行一步,但市場競爭依舊激烈。三星和美光也在 HBM4 領(lǐng)域積極布局。三星已開發(fā)出 HBM4 產(chǎn)品,正在籌備樣品生產(chǎn),并計劃在 2025 年第四季度開始初期生產(chǎn),目標是搭載于英偉達 2026 年推出的 Rubin AI GPU,同時還計劃恢復(fù)建設(shè)平澤第五工廠,為下一代 HBM 準備產(chǎn)能。美光同樣不甘落后,已推出 12 層堆疊 36GB HBM4 樣品,進入客戶驗證階段,計劃于 2026 年正式量產(chǎn)。這一系列動作表明,HBM4 市場將成為各大半導(dǎo)體廠商角逐的新戰(zhàn)場,未來的競爭態(tài)勢必將愈發(fā)激烈。

隨著 HBM4 的量產(chǎn),其應(yīng)用前景也十分廣闊。特斯拉近期已向 SK 海力士和三星電子表達采購 HBM4 的意向,用于正在開發(fā)的 AI 數(shù)據(jù)中心及其自動駕駛汽車,這顯示出 HBM4 在智能汽車領(lǐng)域的巨大潛力。微軟、Meta 等科技巨頭也向三星電子采購定制 HBM4 芯片,用于自身的業(yè)務(wù)需求,這足以證明 HBM4 在數(shù)據(jù)中心、云計算等領(lǐng)域的應(yīng)用價值。

SK 海力士宣布量產(chǎn) HBM4 芯片,是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展歷程中的一個重要里程碑。它不僅標志著 AI 存儲技術(shù)取得了重大突破,也為整個科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。在未來,隨著 HBM4 的廣泛應(yīng)用以及市場競爭的推動,我們有理由相信,AI 技術(shù)將迎來更加迅猛的發(fā)展,為人類社會帶來更多的驚喜與變革。

來源:半導(dǎo)體芯科技

審核編輯 黃宇

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