91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

真我6000nit無(wú)雙屏配第三代驍龍7+芯片問世

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-03-25 15:25 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

3月25日,realme真我手機(jī)在“新一代無(wú)雙屏技術(shù)溝通會(huì)”上宣布,與京東方聯(lián)手研發(fā)的新一代無(wú)雙屏已正式面世。此款新品顯示屏具備九大革新技術(shù)成果,其中局部峰值亮度高達(dá)6000nit,堪稱全球手機(jī)業(yè)界亮度之最。此外,它還搭載了高亮度壽命保護(hù)算法,顯示器壽命超過業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)兩倍以上;全局最高亮度達(dá)到1600nit,手動(dòng)最高亮度約為1000nit,同時(shí)首次運(yùn)用游戲超級(jí)HDR功能,實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量的動(dòng)態(tài)范圍和光影表現(xiàn)。

新一代無(wú)雙屏九項(xiàng)技術(shù)創(chuàng)新包括:定制S1發(fā)光材料、發(fā)光器件摻雜工藝、微腔堆疊優(yōu)化、高透走線方案、高精度蒸鍍工藝、自研高亮度算法、像素開口率優(yōu)化、發(fā)光效率優(yōu)化以及自研BSM設(shè)計(jì)。

值得一提的是,這款特別研制的LTPO技術(shù),采用了京東方定制S1柔性屏,僅需0.5Hz- 120Hz即可實(shí)現(xiàn)無(wú)級(jí)自適應(yīng)刷新率。相較于傳統(tǒng)LTPS,其同等圖像下能耗可降低12%,最高可降20%。據(jù)悉由于采用新工藝,使6000nit無(wú)雙屏成本上升幅度約為50%。

不僅如此,這款無(wú)雙屏在護(hù)眼及操作體驗(yàn)兩方面皆有顯著提高。例如,其首發(fā)的AI游戲護(hù)眼功能具備3+1 Puls類DC低頻閃調(diào)光與2160Hz高頻PWM調(diào)光、硬件級(jí)低藍(lán)光、環(huán)境色自適應(yīng)等多種輔助功能。操控方面,屏幕瞬時(shí)采樣率高達(dá)2500Hz,“妙感觸控”功能為游戲熱區(qū)進(jìn)行精細(xì)化優(yōu)化,方向輪盤斷觸風(fēng)險(xiǎn)降低40%,快速點(diǎn)擊穩(wěn)定性提升15%,觸控靈敏度最高可提升26%,邊緣響應(yīng)率最高亦能提升12%。

至于其他相關(guān)參數(shù)信息,據(jù)realme官方披露,其分辨率為1.5K,支持100% DCI-P3色域且覆蓋94.2%超高屏占比,屏幕邊框狹窄至1.36mm。

首款搭載6000nit無(wú)雙屏的真我GT Neo6SE將率先應(yīng)用第三代高通驍龍7+芯片,預(yù)計(jì)近期即將上市。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 高精度
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    817

    瀏覽量

    27090
  • PWM
    PWM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    116

    文章

    5875

    瀏覽量

    225899
  • 發(fā)光器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    51

    瀏覽量

    11160
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    騰半導(dǎo)體推出全新第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    今天,騰半導(dǎo)體正式交出答卷 -- 基于自主工藝路線開發(fā)的全新第三代(G3) 超結(jié) MOSFET技術(shù)平臺(tái)。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:44 ?734次閱讀
    <b class='flag-5'>龍</b>騰半導(dǎo)體推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)平臺(tái)

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨?,碳化硅器件成本有?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基

    行業(yè)快訊:第三代半導(dǎo)體駛?cè)肟燔嚨溃蓟杵骷杀居型?b class='flag-5'>三年內(nèi)接近硅基
    的頭像 發(fā)表于 01-16 11:41 ?429次閱讀

    高頻交直流探頭在第三代半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用

    高頻交直流探頭基于法拉第電磁感應(yīng)原理,具備高帶寬、高精度和高分辨率,適用于第三代半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)特性、柵極電流測(cè)量及開關(guān)損耗計(jì)算。
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:16 ?290次閱讀

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本

    Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)模化降本并存”的特征。一、成本構(gòu)成:核心
    發(fā)表于 12-25 09:12

    CINNO出席第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)

    10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷、副市長(zhǎng)祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長(zhǎng)臧沖主持會(huì)議。
    的頭像 發(fā)表于 10-27 18:05 ?1463次閱讀

    開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無(wú)線SoC現(xiàn)已全面供貨

    搭載第三代無(wú)線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級(jí)認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 10-09 15:57 ?4.3w次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?868次閱讀
    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源

    BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
    的頭像 發(fā)表于 07-10 17:48 ?1229次閱讀
    上海貝嶺發(fā)布<b class='flag-5'>第三代</b>高精度基準(zhǔn)電壓源

    英偉達(dá)預(yù)計(jì)向中國(guó)客戶交付 “第三代” 閹割芯片

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,消息人士稱,英偉達(dá)計(jì)劃于 7 月推出第三代 “閹割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片將替代 H20 芯片
    的頭像 發(fā)表于 06-21 00:03 ?3959次閱讀

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中,電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?779次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b>半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制器獲歐盟CE認(rèn)證

    尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制器BR-300G獲歐盟CE認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 06-12 13:47 ?643次閱讀
    尋跡智行<b class='flag-5'>第三代</b>自研移動(dòng)機(jī)器人控制器獲歐盟CE認(rèn)證

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無(wú)法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?2562次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來(lái)支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 13:58 ?949次閱讀
    瑞能半導(dǎo)體<b class='flag-5'>第三代</b>超結(jié)MOSFET技術(shù)解析(1)

    能量密度提升15%!TDK第三代電池量產(chǎn)在即

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?消息人士指出,日本 TDK 公司正加速推進(jìn)第三代硅陽(yáng)極電池的量產(chǎn)進(jìn)程,將出貨時(shí)間從原計(jì)劃的第三季度提前至 6 月底。 ? 這款電池的核心技術(shù)在于將負(fù)極材料由傳統(tǒng)石墨替換為硅材料
    的頭像 發(fā)表于 05-19 03:02 ?3314次閱讀

    高通全新一G系列產(chǎn)品組合,全面提升手持游戲設(shè)備體驗(yàn)

    要點(diǎn) ??全新一G系列平臺(tái)包括第三代G3、第二
    的頭像 發(fā)表于 03-18 09:15 ?2651次閱讀
    高通全新一<b class='flag-5'>代</b><b class='flag-5'>驍</b><b class='flag-5'>龍</b>G系列產(chǎn)品組合,全面提升手持游戲設(shè)備體驗(yàn)