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英特爾揭示代工技術(shù)發(fā)展規(guī)劃,18A節(jié)點(diǎn)將助其重回一流

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-04-03 15:20 ? 次閱讀
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據(jù)悉,英特爾日前舉行了一次關(guān)于其代工業(yè)務(wù)的網(wǎng)絡(luò)研討會,其中以為何展現(xiàn)數(shù)據(jù)中心部門從財(cái)務(wù)角度看獨(dú)立性,以及展示英特爾未來代工技術(shù)的發(fā)展路徑為主題。

根據(jù)制程工藝規(guī)劃,英特爾計(jì)劃在未來重新成為頂尖代工廠,并在18A節(jié)點(diǎn)擁有主導(dǎo)地位,同時在已經(jīng)到來的14A節(jié)點(diǎn)取得領(lǐng)先優(yōu)勢。

在功耗方面,現(xiàn)有的Intel 7節(jié)點(diǎn)處于劣勢,然而英特爾預(yù)計(jì)在即將到來的Intel 3節(jié)點(diǎn)追平行業(yè)領(lǐng)跑者(臺積電),并在18A節(jié)點(diǎn)超越其他競爭對手,且在14A節(jié)點(diǎn)保住優(yōu)勢。

Density方面,現(xiàn)行的Intel 7節(jié)點(diǎn)相比同行表現(xiàn)不佳,但英特爾正在通過Intel 3節(jié)點(diǎn)縮小這個差距,并計(jì)劃在18A節(jié)點(diǎn)趕超其他對手,最后在14A節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)較小優(yōu)勢。

英特爾也坦承,Intel 7節(jié)點(diǎn)的制造成本現(xiàn)在相對較高,不過他們期待通過跨越Intel 3至14A這些節(jié)點(diǎn),來降低晶圓成本。

基于AI處理的市場需求,未來幾年英特爾計(jì)劃進(jìn)軍更大的代工蛋糕,包括能夠在14A節(jié)點(diǎn)進(jìn)行移動設(shè)備的代工生產(chǎn)。

英特爾還強(qiáng)調(diào)他們將逐步彌補(bǔ)傳統(tǒng)IDM模式下設(shè)計(jì)支持的短板,使其向業(yè)內(nèi)平均水平靠近。

另外,未來幾年內(nèi),我們將看到英特爾在包括2.5D/3D在內(nèi)的先進(jìn)封裝技術(shù)方面的顯著進(jìn)展。

英特爾指出,他們作為迎接人工智能時代的系統(tǒng)代工廠,將會通過全面的技術(shù)創(chuàng)新,持續(xù)推進(jìn)摩爾定律的發(fā)展。

在實(shí)現(xiàn)技術(shù)目標(biāo)的過程中,英特爾不僅投入了大量資源加強(qiáng)硅光子學(xué)的研究,而且還在PCIe和SerDes領(lǐng)域不斷豐富自己的技術(shù)儲備。

同樣重要的是,英特爾正在探索內(nèi)核功率達(dá)到驚人的1000瓦的芯片散熱方案,并計(jì)劃在2030年前實(shí)現(xiàn)對2000瓦的芯片進(jìn)行有效冷卻。

在極端情況下,英特爾甚至做好了同時連接8個HBM堆棧的準(zhǔn)備,并表示未來可能會將這一能力提升至12個或以上;此外,他們還在研究探索全新的存儲技術(shù)。

關(guān)于Foveros 3D Direct高級封裝技術(shù),英特爾的目標(biāo)是在約2027年實(shí)現(xiàn)4微米的連接精度。

此外,英特爾還透露了其玻璃基板應(yīng)用的具體時間表,預(yù)計(jì)這項(xiàng)技術(shù)會在2027年得到廣泛應(yīng)用,比業(yè)界普遍預(yù)期的2026年稍晚一些。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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