三星電子和SK海力士對(duì)通用存儲(chǔ)芯片增產(chǎn)持謹(jǐn)慎態(tài)度
據(jù)韓國(guó)媒體BusinessKorea昨日?qǐng)?bào)道，三星電子和SK海力士對(duì)增加通用存儲(chǔ)器產(chǎn)量保持謹(jǐn)慎態(tài)度。
據(jù)悉，四月份8GB DDR4 DRAM的合同價(jià)格較上月增長(zhǎng)了17%，但128GB（16G x 8）MLC通用閃存在便攜式存儲(chǔ)設(shè)備如閃存盤中的價(jià)格維持不變。
這主要源于臺(tái)灣地區(qū)地震導(dǎo)致美光內(nèi)存產(chǎn)能下降，短期內(nèi)提升了通用內(nèi)存的需求。然而，總體而言，通用存儲(chǔ)芯片的需求尚未完全恢復(fù)，下游廠商仍保有大量庫(kù)存。
同時(shí)，當(dāng)前國(guó)際地緣政治環(huán)境不穩(wěn)。中東地區(qū)緊張局勢(shì)以及美國(guó)大選年對(duì)全球貿(mào)易產(chǎn)生的額外不確定性，使得通用存儲(chǔ)芯片需求的前景變得模糊。
另外，隨著人工智能領(lǐng)域的發(fā)展，HBM內(nèi)存需求激增，其晶圓消耗量為通用DRAM的2至3倍。在此情況下，三星電子和SK海力士正積極擴(kuò)大HBM產(chǎn)能，這可能會(huì)限制通用DRAM的晶圓投片量。
預(yù)計(jì)今年下半年將迎來(lái)蘋果iPhone 16系列、三星Galaxy Z系列等重要智能手機(jī)的發(fā)布，有報(bào)道稱這或?qū)⒊蔀樵瓘S增加標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量的契機(jī)。
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