5月21日，總投資額達50億人民幣的半導體封測總部項目在江蘇常州金壇簽署協(xié)議。

據(jù)官方媒體消息，該項目是由制局半導體（江蘇）有限公司投資設立，旨在在華羅庚高新區(qū)建立新的總部。據(jù)悉，這將占用工業(yè)用地159畝，并計劃新建總面積大約12.5萬平米的高水準半導體工廠以及相關設施。

其第一階段占地59畝，投資高達15億人民幣，主要用于打造 HI-SiP模組研發(fā)中心、工程技術中心及半導體先進封測基地，以滿足汽車電子、通訊電子、AI、醫(yī)療、航空航天等領域的先進封測和器件模組需求。

預計將于2024年啟動建設，2026年上半年正式投入運營。而第二階段則將占用100畝土地，投資總額為35億人民幣，主要用于建設高頻微波、功率、寬禁帶化合物半導體器件及模組制造基地。

預計2028年啟動建設，2029年正式投入運營。項目全面投產(chǎn)后，預期年產(chǎn)值將達到50億人民幣。

根據(jù)天眼查數(shù)據(jù)，制局半導體（江蘇）有限公司成立于2024年5月21日，注冊資本為1億元，由浙江熔城半導體有限公司與王宇共同持有股份。

近年來，常州市政府積極布局半導體產(chǎn)業(yè)，制定并實施了《化合物半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展三年行動計劃》，聚焦化合物半導體的材料、設備、芯片、模塊、系統(tǒng)應用等關鍵環(huán)節(jié)，明確了化合物半導體芯片設計業(yè)、晶圓制造業(yè)、封裝測試業(yè)、材料產(chǎn)業(yè)、設備及零部件五大產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向，力求在未來三年內(nèi)使化合物半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破300億元。