據(jù)悉，臺灣《MoneyDJ 理財網(wǎng)》于5月24日透露，臺積電高管在近期舉行的2024年技術論壇上透露，該公司采用Nanosheet納米片（GAA晶體管）的2nm節(jié)點研發(fā)進程十分順利。

臺積電聯(lián)合首席運營官張曉強進一步指出，2nm制程的研發(fā)正處于“非常順利”的狀態(tài)：納米片的“轉(zhuǎn)換效果”已達預定目標中的90%，良率亦超過80%。臺積電預計，其N2制程在2025年問世后，仍將保持業(yè)界領先地位。

此外，Anandtech網(wǎng)站整理顯示，臺積電計劃在2025年下半年實現(xiàn)N2制程的大規(guī)模生產(chǎn)，同時還將推出適用于HPC應用的3nm家族N3X制程。

N3X制程具備更優(yōu)的1.2V最大電壓，與N3P制程相比，在同等頻率下功耗降低7%，在同等面積下性能提高5%，在同等頻率下密度增加10%。據(jù)IT之家早前報道，該節(jié)點有望自今年起開始接受投片。

至于2026年下半年，臺積電將量產(chǎn)兩款2nm家族變體制程：N2P及A16。其中，N2P制程在同等頻率和密度下功耗降低5~10%，在同等密度和功耗下性能提高5~10%。

在A16節(jié)點，臺積電將正式引入背面供電技術。該制程能在相同工作電壓下，頻率提高8~10%；在同等頻率下功耗降低15~20%，密度最高提高10%。