北京銘鎵半導(dǎo)體引領(lǐng)氧化鎵材料創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化新突破
北京順義園內(nèi)的北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的開(kāi)發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面取得了顯著進(jìn)展，其技術(shù)已領(lǐng)先國(guó)際同類(lèi)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。
據(jù)北京順義公眾號(hào)報(bào)道，銘鎵半導(dǎo)體董事長(zhǎng)陳政委表示，該公司在半絕緣型（010）鐵摻襯底及其與導(dǎo)電型薄膜外延的整合技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了重要突破。目前，國(guó)際市場(chǎng)上該類(lèi)產(chǎn)品普遍能達(dá)到25毫米×25毫米的尺寸，而銘鎵半導(dǎo)體已成功將尺寸提升至40毫米×25毫米，這一成就不僅展現(xiàn)了其技術(shù)的先進(jìn)性，也為其在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中贏(yíng)得了顯著優(yōu)勢(shì)。
值得注意的是，銘鎵半導(dǎo)體不僅實(shí)現(xiàn)了尺寸的突破，還能穩(wěn)定生產(chǎn)多爐并累積一定庫(kù)存，這進(jìn)一步證明了其在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料生產(chǎn)方面的成熟技術(shù)和高效能力。這一成就的取得，無(wú)疑將加速超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料在更多領(lǐng)域的應(yīng)用，推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
30737瀏覽量
264079 -
氧化鎵
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
88瀏覽量
10876
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
意法半導(dǎo)體氮化鎵方案賦能高頻應(yīng)用新場(chǎng)景
快充之所以能做到體積更小、充電更快，核心秘訣在于采用了一種特殊材料——氮化鎵（GaN）。作為寬禁帶半導(dǎo)體的典型代表，氮化鎵的材料特性十分突出
鎵未來(lái) Gen3 平臺(tái)重磅發(fā)布｜六大核心突破，助力功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)再度升級(jí)！
在全球碳中和戰(zhàn)略深入推進(jìn)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體正成為突破能源轉(zhuǎn)換效率瓶頸的核心力量。珠海鎵未來(lái)科技有限公司Gen3技術(shù)平臺(tái)650/700V系列場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）近期正式宣布全面推廣上市！該系
云鎵半導(dǎo)體發(fā)布 3kW 無(wú)橋圖騰柱 GaN PFC 評(píng)估板
云鎵半導(dǎo)體云鎵半導(dǎo)體發(fā)布3kW無(wú)橋圖騰柱GaNPFC評(píng)估板GaN-based3kWbridgelesstotem-polePFC1.前言本技術(shù)文檔將重點(diǎn)介紹基于云
喜報(bào) | 第十四屆納博會(huì)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽首場(chǎng)路演，云鎵半導(dǎo)體一舉奪魁，直通決賽！
云鎵半導(dǎo)體喜報(bào)|第十四屆納博會(huì)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽首場(chǎng)路演，云鎵半導(dǎo)體一舉奪魁，直通決賽！創(chuàng)新
【2025九峰山論壇】從材料革命到制造工藝破局，揭秘化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重構(gòu)密碼
在新能源革命與算力爆發(fā)的雙重驅(qū)動(dòng)下，化合物半導(dǎo)體正以"材料代際躍遷"重構(gòu)全球電子產(chǎn)業(yè)格局。從第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）的
革新科研智造，引領(lǐng)材料未來(lái)——高通量智能科研制備工作站
在材料研發(fā)邁向產(chǎn)業(yè)化的道路上，配方與工藝的創(chuàng)新是決定成敗的核心。然而，面對(duì)日益復(fù)雜的材料體系，傳統(tǒng)人工試錯(cuò)模式效率低下、成本高昂，已成為制約科研突破
發(fā)表于 09-27 14:17
第四代半導(dǎo)體“氧化鎵（Ga2O3）”材料的詳解
，還請(qǐng)大家海涵，如有需要可看文尾聯(lián)系方式，當(dāng)前在網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”的昵稱(chēng)為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 近兩年來(lái)，氧化鎵作為一種“超寬禁帶半導(dǎo)體”材料，得到了持續(xù)關(guān)注。超寬禁
氧化鎵破局！江蘇拓能半導(dǎo)體科技有限公司工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)著作權(quán)落地，解鎖高效節(jié)能新范式
深耕高性能模擬及數(shù)模混合集成電路的高新技術(shù)企業(yè)，江蘇拓能此次突破，將第三代半導(dǎo)體氧化鎵的潛力注入工業(yè)電機(jī)領(lǐng)域，以“高頻、高效、高可靠”的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)制造業(yè)向“低碳智能”升級(jí)，為工業(yè)電
氧化鎵功率器件動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試方案
在氮化鎵和碳化硅之后，氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力，推動(dòng)超寬禁帶功率器件進(jìn)入大規(guī)模落地階段。
納微半導(dǎo)體雙向氮化鎵開(kāi)關(guān)深度解析
前不久，納微半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級(jí)的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
氮氧化鎵材料的基本性質(zhì)和制備方法
氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質(zhì)可通過(guò)調(diào)控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化
從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！
從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來(lái)，珠海市鎵未來(lái)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵未來(lái)”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍
發(fā)表于 05-19 10:16
氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀和應(yīng)用前景
在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨(dú)特性能成為研究熱點(diǎn)。泰克中國(guó)區(qū)技術(shù)總監(jiān)張欣與香港科技大學(xué)電子及計(jì)算機(jī)工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器
砥礪創(chuàng)新 芯耀未來(lái)——武漢芯源半導(dǎo)體榮膺21ic電子網(wǎng)2024年度“創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)獎(jiǎng)”
殊榮不僅是業(yè)界對(duì)武漢芯源半導(dǎo)體技術(shù)突破的認(rèn)可，更是對(duì)其堅(jiān)持自主創(chuàng)新、賦能產(chǎn)業(yè)升級(jí)的高度肯定。
作為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體領(lǐng)域的生力軍，武漢芯源
發(fā)表于 03-13 14:21
我國(guó)首發(fā)8英寸氧化鎵單晶，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破！
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全面發(fā)展帶來(lái)了新的機(jī)遇和動(dòng)力。一、氧化鎵8英寸單晶的技術(shù)突破與意義氧化
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論