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      三菱電機發(fā)布新型低電流SiC-MOSFET模塊

      三菱電機半導(dǎo)體快訊 ? 來源：網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者：網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-06-12 14:51 ? 次閱讀
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      三菱電機集團近日宣布推出兩款新型低電流版本的肖特基勢壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊，以滿足大型工業(yè)設(shè)備市場對高性能逆變器日益增長的需求。這兩款新模塊分別是3.3kV/400A和3.3kV/200A規(guī)格，將于6月10日起正式投入市場。

      作為三菱電機Unifull系列的新成員，這兩款低電流SiC-MOSFET模塊與現(xiàn)有的3.3kV/800A模塊一同，為鐵路、電力系統(tǒng)等大型工業(yè)設(shè)備提供了更廣泛的選擇。Unifull系列現(xiàn)包含三款產(chǎn)品，均旨在提高功率輸出和功率轉(zhuǎn)換效率，助力各類工業(yè)設(shè)備實現(xiàn)更高的能效和更穩(wěn)定的運行。

      值得一提的是，三菱電機的新型SiC-MOSFET模塊將在即將舉行的PCIM Europe 2024（6月11-13日，德國紐倫堡）上進行展出。此次展會將為全球電子行業(yè)的專業(yè)人士提供一個交流與合作的平臺，三菱電機也將借此機會向全球客戶展示其在SiC-MOSFET領(lǐng)域的創(chuàng)新成果和技術(shù)實力。

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