來(lái)源：內(nèi)容由RISC-V國(guó)際人才培養(yǎng)認(rèn)證中心 編譯自DRAMSec，作者：Michele Marazzi；Kaveh Razavi。

蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院的研究人員發(fā)表了一篇題為“RISC-H：針對(duì) RISC-V 的 Rowhammer 攻擊”的新技術(shù)論文。RISC-H 將在DRAMSec（與 ISCA 2024 同期舉辦）上進(jìn)行展示。

摘要：

“就在幾個(gè)月前，首款支持DDR4的高端RISC-V CPU剛剛發(fā)布。目前尚無(wú)關(guān)于RISC-V設(shè)備上Rowhammer攻擊的研究，尚不清楚是否有可能在這些新架構(gòu)上危害系統(tǒng)安全。通過(guò)RISC-H，我們旨在通過(guò)克服一系列挑戰(zhàn)來(lái)填補(bǔ)這一空白：首先，內(nèi)存控制器的DRAM功能未公開(kāi)，我們通過(guò)行沖突側(cè)信道進(jìn)行逆向工程。其次，我們發(fā)現(xiàn)敲擊多行會(huì)導(dǎo)致激活吞吐量顯著降低，使Rowhammer攻擊失敗。

我們確定這種低性能是由內(nèi)存子系統(tǒng)中攻擊行共享某些物理地址位和慢速排序指令時(shí)的爭(zhēng)用引起的。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，我們利用不同的列地址來(lái)減少爭(zhēng)用，并依靠一種新穎的方法來(lái)通過(guò)在訪問(wèn)模式中插入精確延遲來(lái)排序內(nèi)存訪問(wèn)。結(jié)合這些見(jiàn)解，我們新的Rowhammer攻擊，稱(chēng)為RISC-H，可以觸發(fā)RISC-V CPU上的首個(gè)DDR4位翻轉(zhuǎn)。這些結(jié)果表明，RISC-V生態(tài)系統(tǒng)同樣受到Rowhammer的影響，并進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)了需要采取有效的緩解措施?！?/span>

圖 1：來(lái)源：RISC-H：Rowhammer 對(duì) RISC-V 的攻擊。蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院。