6月13日-6月15日，SNEC第十七屆（2024）國際太陽能光伏與智慧能源大會暨展覽會（以下簡稱“SNEC光伏展”）于上海國家會展中心舉辦。本次展會，碳化硅功率器件領先品牌派恩杰半導體如約參展，攜SiC功率器件、芯片設計路線以及1700V高壓器件應用方案與大家在上海見面，為工業(yè)應用以及新能源車用方案等提供了一個新的方向。

展會期間，蒞臨派恩杰8.1H C650展位咨詢的客戶絡繹不絕，紛紛對派恩杰最新技術的產品以及可靠封裝模塊表現(xiàn)出濃厚的興趣，并與派恩杰建立了合作聯(lián)系。

不僅是碳化硅模塊產品，派恩杰半導體芯片設計Roadmap以及1700V高壓器件應用方案在展會上同樣引起了不少的關注及問詢，在展會上大放異彩。

碳化硅模塊

派恩杰作為一家專注于MOSFET及碳化硅功率模塊的研發(fā)型公司，自2022年派恩杰第一款62mm模塊下線開始，注重模塊應用的高質量生產和卓越的設計開發(fā)技術，探索前沿工藝能力，陸續(xù)推出了Easy1B系列模塊、HPD、HEPACK、TPAK、SOT227等產品。

新能源行業(yè)朝氣蓬勃，功率半導體產業(yè)正在成為全球集成電路行業(yè)發(fā)展的重要動力。功率半導體作為單車成本最高的半導體之一，也是國內企業(yè)現(xiàn)階段最有可能實現(xiàn)突破的半導體領域，而碳化硅已毋庸置疑地成為了主要突破點。

隨著技術的不斷進步和應用領域的不斷拓展，碳化硅功率器件的應用將會越來越廣泛，成為電力電子領域的重要支撐。

半導體芯片設計Roadmap

派恩杰半導體專注于第三代半導體的設計與推廣，擁有深厚的技術積累和全面的產業(yè)鏈優(yōu)勢。其中，派恩杰半導體的碳化硅MOSFET的設計水平處于行業(yè)前列，關鍵技術指標HDFM全球領先。派恩杰半導體在650V，1200V，1700V三個電壓平臺已發(fā)布100余款不同型號的碳化硅二極管，碳化硅MOSFET，碳化硅功率模塊和GaN HEMT產品，能夠為客戶提供全方位的選擇和技術支持。派恩杰半導體的量產產品已在電動汽車，IT設備電源、光伏逆變器、儲能系統(tǒng)、工業(yè)應用等領域廣泛使用，為Tier 1廠商持續(xù)穩(wěn)定供貨，且產品質量與供應能力得到客戶的廣泛認可。

1700V高壓器件應用方案

對于高功率以及高電壓的應用場景例如電機驅動、光伏逆變器、儲能、充電樁以及UPS等，在這些應用場合中母線電壓高達上千伏，SiC MOSFET高壓特性可以使用單管反激拓撲實現(xiàn)電源轉換，使用1700V器件擁有以下優(yōu)良特性。

派恩杰應用此高壓器件開發(fā)了基于UCC28740準諧振反激以及基于UCC28C45非準諧振應用方案，兩種方案都能同時滿足高效率高功率要求，兼具貼片以及插件器件封裝。

此次上海光伏展，派恩杰不僅鞏固了與老客戶之間更深入的合作，同時與更多SiC新客戶建立了新的光伏合作。未來，派恩杰仍會不斷提升技術研發(fā)能力、增加合規(guī)產品產量并擴大產品應用領域，期待下次攜帶更多新產品與應用方案與大家見面！

派恩杰致力于碳化硅功率器件國產替代，專注于技術創(chuàng)新和產品研發(fā)。我們將持續(xù)為新能源賽道賦能，助力客戶步履更穩(wěn)，行得更遠。未來我們也希望能夠和業(yè)內更多同仁進行多方位的技術交流并保持友好合作。敬請期待！

黃興博士

派恩杰 總裁 &技術總監(jiān)

師承IGBT發(fā)明者Dr. B.Jayant Baliga與發(fā)射極關斷晶閘管發(fā)明者Dr.Alex Q.Huang。2018年創(chuàng)建派恩杰半導體(杭州)有限公司，領導派恩杰成為全球第一家量產元胞尺寸小于5μm的平面柵碳化硅MOSFET供應商，獲得國際新能源龍頭企業(yè)認可并收獲直供訂單，完成數(shù)億元融資。黃興博士著有10余篇科技論文，超350次引用，并擁有40余項專利，是碳化硅研發(fā)及應用領域的資深專家。

派恩杰半導體

成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商，國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。發(fā)布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規(guī)模導入國產新能源整車廠和Tier 1，其余產品廣泛用于大數(shù)據(jù)中心、超級計算與區(qū)塊鏈、5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業(yè)特種電源、UPS、電機驅動等領域。