ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET

【關(guān)鍵詞】

滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101SiCMOSFET

SCT3xxxxxHR系列

高輸出高效率的車載充電器

續(xù)航距離短

垂直統(tǒng)合

垂直統(tǒng)合型生產(chǎn)體制

ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，該系列產(chǎn)品“支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101”，而且共有13款型號，擁有業(yè)界豐富的產(chǎn)品陣容。

為了延長xEV的續(xù)航距離，要求車載充電器實現(xiàn)高輸出、高效率

近年來，xEV（電動汽車的總稱）汽車迅速普及。其中電動汽車（EV）的普及速度尤為迅速，然而續(xù)航距離短卻成為亟需解決的課題。為了延長續(xù)航距離，所配置電池的容量呈日益增加趨勢，與此同時，還要求縮短充電時間。為了滿足這種市場需求，比起11kW、22kW這樣的說法，市場更需要更高輸出、更高效率的車載充電器，故采用SiC MOSFET的應(yīng)用案例越來越多。另外，以歐洲為中心，所配置電池的電壓也呈日益增高趨勢（800V），這就需要更高耐壓且更低損耗的功率元器件。

基于這種市場需求，ROHM一直致力于擴(kuò)充支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的產(chǎn)品陣容。此次新增的10款型號，是采用了ROHM第三代溝槽柵結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET。第三代SiC MOSFET與第二代平面型SiC-MOSFET相比，導(dǎo)通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。這些新產(chǎn)品的加入，使包括SiC SBD（肖特基勢壘二極管）在內(nèi)的滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的分立型產(chǎn)品目前多達(dá)34款型號，實屬業(yè)界頂級陣容。下面是滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET所有產(chǎn)品的陣容。如欲了解單個產(chǎn)品的規(guī)格，請點擊產(chǎn)品名稱的鏈接。

＜滿足AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的車載用SiC MOSFET產(chǎn)品陣容＞

通用規(guī)格：工作溫度范圍-55℃～+175℃、TO-247N封裝、支持AEC-Q101

領(lǐng)先業(yè)界的SiC功率元器件的開發(fā)和生產(chǎn)體制

ROHM于2010年在全球率先成功實現(xiàn)了SiC MOSFET的量產(chǎn)，在SiC功率元器件領(lǐng)域始終在推進(jìn)領(lǐng)先業(yè)界的產(chǎn)品開發(fā)并打造相應(yīng)的量產(chǎn)體制。針對需求不斷擴(kuò)大的車載市場，ROHM及時確立了支持AEC-Q101等的車載級品質(zhì)和可靠性，并從2012年起開始供應(yīng)車載充電器用的SiC SBD，從2017年起開始供應(yīng)車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器用的SiC MOSFET。

另外，ROHM一直秉承“質(zhì)量第一”的理念，采用從開發(fā)到制造全部在集團(tuán)內(nèi)進(jìn)行的“垂直統(tǒng)合型”體制，針對在SiC功率元器件，也建立了從晶圓到封裝全部在集團(tuán)內(nèi)部進(jìn)行的一條龍生產(chǎn)體制，實現(xiàn)了高品質(zhì)和高可靠性。

未來，ROHM將繼續(xù)致力于擴(kuò)充車載用SiC功率元器件的產(chǎn)品陣容。

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審核編輯 黃宇