刻蝕是半導體制造中最常用的工藝之一, 上海伯東日本 Atonarp Aston 質(zhì)譜儀適用于等離子體刻蝕過程及終點監(jiān)測 (干法刻蝕終點檢測), 通過持續(xù)監(jiān)控腔室工藝化學氣體, 確保半導體晶圓生產(chǎn)的高產(chǎn)量和最大吞吐量.

Aston 質(zhì)譜儀干法刻蝕終點檢測整體解決方案
連續(xù)蝕刻工藝金屬, 如鋁 Al, 鎢 W, 銅 Cu, 鈦 Ti 和氮化鈦 TiN 會形成非揮發(fā)性金屬鹵化物副產(chǎn)物, 例如六氯化鎢 WCl6 重新沉積在蝕刻的側(cè)壁上, 因顆粒污染或沉積材料導致電氣短路, 從而導致產(chǎn)量降低.

上海伯東 Aston 質(zhì)譜儀提供包括腔室和過程, 例如指紋識別, 腔室清潔, 過程監(jiān)控, 包括有腐蝕性氣體存在時, 顆粒沉積和氣體污染物凝結(jié).

Aston 質(zhì)譜分析儀與腔室連接

Aston 質(zhì)譜分析儀等離子刻蝕腔體監(jiān)測

Aston 質(zhì)譜分析儀CVD清洗終點優(yōu)化

Aston 質(zhì)譜分析儀小開口區(qū)域刻蝕

Aston 質(zhì)譜儀干法刻蝕終點檢測優(yōu)勢
高性能, 嵌入式和可靠的原位計量分子氣體計量
完整的腔室解決方案, 在不同工藝步驟中對前體, 反應物和副產(chǎn)物進行時時監(jiān)測
批量生產(chǎn)過程的控制
高靈敏度, Aston? 質(zhì)譜儀的 OA% 靈敏度顯示為 <0.25%, 其檢測限比 OES （LOD 約 2.5%）高出一個數(shù)量級.

Aston 質(zhì)譜儀技術參數(shù)

為了確保一致和優(yōu)化的接觸蝕刻, 需要高靈敏度的原位分子診斷來提供蝕刻副產(chǎn)物的實時測量和量化, 并能夠檢測到明確定義的終點. 隨著接觸開口面積 OA% 的減少, 諸如光學發(fā)射光譜 OES 等傳統(tǒng)計量解決方案缺乏準確檢測蝕刻終點的靈敏度（低信噪比 SNR 比）. 上海伯東 Aston? 質(zhì)譜儀的 OA% 靈敏度顯示為 <0.25%, 其檢測限比 OES （LOD 約 2.5%）高出一個數(shù)量級. 此外,?Aston? 質(zhì)譜儀內(nèi)部產(chǎn)生的基于等離子體的電離源允許它在存在腐蝕性蝕刻氣體的情況下工作, 無論處理室中是否存在等離子體源.

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