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意法半導(dǎo)體高壓功率MOSFET研討會(huì)即將來(lái)襲

意法半導(dǎo)體中國(guó) ? 來(lái)源:意法半導(dǎo)體工業(yè)電子 ? 2024-11-07 14:11 ? 次閱讀
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以下文章來(lái)源于意法半導(dǎo)體工業(yè)電子,作者意法工業(yè)電子

???????? 即刻報(bào)名誠(chéng)邀您參加意法半導(dǎo)體高壓功率(HV)MOSFET研討會(huì) - 11.19杭州站/11.21深圳站!了解更多ST HV MOSFET技術(shù)及產(chǎn)品,助力增強(qiáng)產(chǎn)品,潛力和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。

意法半導(dǎo)體的HV功率MOSFET產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝,具有很寬的擊穿電壓范圍(250到1700V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻。意法半導(dǎo)體的MDmesh高壓MOSFET技術(shù)增強(qiáng)了功率處理能力,從而實(shí)現(xiàn)了高效解決方案。同時(shí)產(chǎn)品支持的應(yīng)用電壓范圍大,可用于工業(yè)及汽車應(yīng)用,如開關(guān)模式電源、照明、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制和車載充電、電池管理系統(tǒng)等等,無(wú)論哪一種應(yīng)用,ST都有符合您設(shè)計(jì)要求的功率MOSFET。

研討會(huì)亮點(diǎn):

技術(shù)深度解析——將詳細(xì)介紹HV MOSFET產(chǎn)品的先進(jìn)封裝技術(shù)、寬泛的擊穿電壓范圍(250到1700V)、低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻等特性。同時(shí),還將展示MDmesh高壓MOSFET技術(shù)如何增強(qiáng)功率處理能力,實(shí)現(xiàn)高效解決方案。

應(yīng)用實(shí)例分享——將分享HV MOSFET在工業(yè)及汽車應(yīng)用中的成功案例,包括開關(guān)模式電源、照明、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制和車載充電、電池管理系統(tǒng)等。無(wú)論您的應(yīng)用需求如何,意法半導(dǎo)體都有符合您設(shè)計(jì)要求的功率MOSFET。

最新產(chǎn)品與技術(shù)展示——將展示ST最新的高壓功率(HV)MOSFET技術(shù)方案,以及(HV)MOSFET產(chǎn)品技術(shù)路標(biāo)、應(yīng)用指導(dǎo)及可靠性認(rèn)證,M9/DM9系列、K6系列等前沿技術(shù)和產(chǎn)品。

ST高壓功率(HV)MOSFET研討會(huì)——杭州站

會(huì)議時(shí)間:2024年11月19日(周二)09:00 - 18:00

會(huì)議地址:杭州JW萬(wàn)豪酒店,浙江杭州拱墅區(qū)湖墅南路28號(hào)310006

ST高壓功率(HV)MOSFET研討會(huì)——深圳站

會(huì)議時(shí)間:11月21日 09:00 - 18:00

會(huì)議地址:深圳南山香格里拉酒店,廣東深圳南山區(qū)白石三道深灣匯云中心五期J座

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:誠(chéng)邀您參加:ST高壓功率(HV)MOSFET研討會(huì)—11.19杭州站/11.21深圳站

文章出處:【微信號(hào):STMChina,微信公眾號(hào):意法半導(dǎo)體中國(guó)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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